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1. 发明专利

TWI675933B 成膜方法有权
公开(公告)号：TWI675933B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW106106301
申请日：2017-02-24
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 佐藤潤 , SATO, JUN , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/50 , H05H1/46

2. 发明专利

TW201843328A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201843328A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107105461
申请日：2018-02-14
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋豐 , TAKAHASHI, YUTAKA , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 加藤壽 , KATO, HITOSHI
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/34 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要：本發明係提供一種可進行能藉由素簡的程序及裝置來實現的由下向上性高之氮化膜的填埋成膜之成膜方法及成膜裝置。一種從底面側來將氮化膜填埋至基板的表面所形成之凹陷圖案的成膜方法，係具有：將藉由電漿所活化後之氯氣供給至該基板的表面及該凹陷圖案的上部而吸附，以形成吸附阻礙基的工序；將含有矽或金屬及氯的原料氣體供給至包含該凹陷圖案之該基板的表面，而使該原料氣體吸附於未形成有該吸附阻礙基的該凹陷圖案內的下部區域之工序；以及將氮化氣體供給至包含該凹陷圖案之該基板的表面，而讓藉由與該原料氣體之反應所生成的氮化膜之分子層沉積於該凹陷圖案內的下部區域之工序。
简体摘要：本发明系提供一种可进行能借由素简的进程及设备来实现的由下向上性高之氮化膜的填埋成膜之成膜方法及成膜设备。一种从底面侧来将氮化膜填埋至基板的表面所形成之凹陷图案的成膜方法，系具有：将借由等离子所活化后之氯气供给至该基板的表面及该凹陷图案的上部而吸附，以形成吸附阻碍基的工序；将含有硅或金属及氯的原料气体供给至包含该凹陷图案之该基板的表面，而使该原料气体吸附于未形成有该吸附阻碍基的该凹陷图案内的下部区域之工序；以及将氮化气体供给至包含该凹陷图案之该基板的表面，而让借由与该原料气体之反应所生成的氮化膜之分子层沉积于该凹陷图案内的下部区域之工序。

3. 发明专利

TWI642102B 含矽膜之成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：含硅膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI642102B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105119373
申请日：2016-06-21
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤潤 , SATO, JUN , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42

4. 发明专利

TW201816175A 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201816175A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106127559
申请日：2017-08-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/42 , H01L21/31
摘要：在對晶圓依序供給會互相反應之處理氣體來在基板表面層積反應生成物時，能使得膜厚之面內均勻性為良好。在真空容器內，加熱以旋轉台來公轉之晶圓，而進行複數次依序供給DCS氣體及NH3氣體的循環，以在晶圓成膜出SiN膜的成膜裝置中，設置有在將DCS氣體供給至晶圓時，會從旋轉台外周朝向旋轉台中心來延伸並朝晶圓整面供給DCS氣體的主噴嘴，且進一步地設置有將氣體供給至真空容器的周緣側區域之周緣側輔助噴嘴以及將DCS氣體供給至旋轉台的中心側區域之中心側輔助噴嘴。
简体摘要：在对晶圆依序供给会互相反应之处理气体来在基板表面层积反应生成物时，能使得膜厚之面内均匀性为良好。在真空容器内，加热以旋转台来公转之晶圆，而进行复数次依序供给DCS气体及NH3气体的循环，以在晶圆成膜出SiN膜的成膜设备中，设置有在将DCS气体供给至晶圆时，会从旋转台外周朝向旋转台中心来延伸并朝晶圆整面供给DCS气体的主喷嘴，且进一步地设置有将气体供给至真空容器的周缘侧区域之周缘侧辅助喷嘴以及将DCS气体供给至旋转台的中心侧区域之中心侧辅助喷嘴。

5. 发明专利

TWI698548B 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI698548B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW106127559
申请日：2017-08-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/42 , H01L21/31

6. 发明专利

TW201800597A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：TW201800597A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106301
申请日：2017-02-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 佐藤潤 , SATO, JUN , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/50 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/24 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32513 , H01J37/32752
摘要：一種成膜方法，具有下述工序：對基板之表面供給含Si氣體，使該含Si氣體吸附於該基板之該表面之工序；將氮化氣體以第1電漿來活性化而供給於該基板之該表面，使得該基板之該表面上所吸附之該含Si氣體氮化，來沉積SiN膜之工序；以及將以既定比率來包含NH3以及N2之改質氣體以第2電漿來活性化而供給於該基板之該表面，來將該基板之該表面上所沉積之該SiN氮化膜改質之工序。
简体摘要：一种成膜方法，具有下述工序：对基板之表面供给含Si气体，使该含Si气体吸附于该基板之该表面之工序；将氮化气体以第1等离子来活性化而供给于该基板之该表面，使得该基板之该表面上所吸附之该含Si气体氮化，来沉积SiN膜之工序；以及将以既定比率来包含NH3以及N2之改质气体以第2等离子来活性化而供给于该基板之该表面，来将该基板之该表面上所沉积之该SiN氮化膜改质之工序。

7. 发明专利

TWI602943B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI602943B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104103985
申请日：2015-02-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 佐藤潤 , SATO, JUN , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 菅野智子 , SUGANO, TOMOKO , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/507 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228

8. 发明专利

TW201812908A 矽氮化膜之成膜方法审中-公开
简体标题：硅氮化膜之成膜方法
公开(公告)号：TW201812908A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123142
申请日：2017-07-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 高橋豐 , TAKAHASHI, YUTAKA , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/507 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28202
摘要：本發明之目的在於提供一種矽氮化膜之成膜方法，係可形成V字開口剖面形狀，並進行填埋特性良好之填埋成膜。具有：將含氨氣體供給至表面形成有凹陷的基板，而將該凹陷表面氮化並於該凹陷內形成吸附側的工序；將含氯氣體供給至該基板，而從該凹陷之最上部來讓該含氯氣體物理吸附至既定深度之既定區域，並於該既定區域形成非吸附側的工序；以及將含矽氣體供給至該基板，而讓該含矽氣體吸附於包含該凹陷內之該既定區域以外所殘存的底部之該吸附側，並藉由該含氨氣體與該含矽氣體的反應來成膜出矽氮化膜的工序。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种硅氮化膜之成膜方法，系可形成V字开口剖面形状，并进行填埋特性良好之填埋成膜。具有：将含氨气体供给至表面形成有凹陷的基板，而将该凹陷表面氮化并于该凹陷内形成吸附侧的工序；将含氯气体供给至该基板，而从该凹陷之最上部来让该含氯气体物理吸附至既定深度之既定区域，并于该既定区域形成非吸附侧的工序；以及将含硅气体供给至该基板，而让该含硅气体吸附于包含该凹陷内之该既定区域以外所残存的底部之该吸附侧，并借由该含氨气体与该含硅气体的反应来成膜出硅氮化膜的工序。

9. 发明专利

TW201516176A 成膜方法、記憶媒體及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法、记忆媒体及成膜设备
公开(公告)号：TW201516176A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103121650
申请日：2014-06-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45557 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32816
摘要：一種在真空容器內針對基板形成薄膜的成膜方法，其具備：第1工序，係包含將氣體電漿化所得到的關於該薄膜品質的活性基供給至基板的工序，並在基板上成膜第1膜；以及第2工序，係包含將氣體電漿化所得到的關於該薄膜品質的活性基藉由調整控制參數而以每單位膜厚的活性基種之供給量會較該第1工序中的每單位膜厚的活性基之第1供給量要多的方式來供給至基板的工序，並在該第1膜上成膜為與該第1膜相同種類之膜的第2膜。
简体摘要：一种在真空容器内针对基板形成薄膜的成膜方法，其具备：第1工序，系包含将气体等离子化所得到的关于该薄膜品质的活性基供给至基板的工序，并在基板上成膜第1膜；以及第2工序，系包含将气体等离子化所得到的关于该薄膜品质的活性基借由调整控制参数而以每单位膜厚的活性基种之供给量会较该第1工序中的每单位膜厚的活性基之第1供给量要多的方式来供给至基板的工序，并在该第1膜上成膜为与该第1膜相同种类之膜的第2膜。

10. 发明专利

TW201709326A 含矽膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：含硅膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201709326A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105119373
申请日：2016-06-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤潤 , SATO, JUN , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/76802 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45534 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68714 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76831 , H01L21/76898
摘要：一種含矽膜之成膜方法，係將含矽膜填充於基板表面所形成之凹陷，包含有第1成膜循環，該第1成膜循環係由第1矽吸附工序、矽蝕刻工序以及第1含矽膜沉積工序所構成；該第1矽吸附工序係將含矽氣體供給至該基板，而讓該含矽氣體吸附於該凹陷內；該矽蝕刻工序係將蝕刻氣體供給至該基板，而蝕刻吸附於該凹陷內之該含矽氣體的矽成分之一部分；該第1含矽膜沉積工序係將會與該矽成分反應之反應氣體供給至該基板，來與蝕刻後持續吸附於該凹陷內所殘留的該矽成分反應，以生成反應生成物，而讓含矽膜沉積於該凹陷內。
简体摘要：一种含硅膜之成膜方法，系将含硅膜填充于基板表面所形成之凹陷，包含有第1成膜循环，该第1成膜循环系由第1硅吸附工序、硅蚀刻工序以及第1含硅膜沉积工序所构成；该第1硅吸附工序系将含硅气体供给至该基板，而让该含硅气体吸附于该凹陷内；该硅蚀刻工序系将蚀刻气体供给至该基板，而蚀刻吸附于该凹陷内之该含硅气体的硅成分之一部分；该第1含硅膜沉积工序系将会与该硅成分反应之反应气体供给至该基板，来与蚀刻后持续吸附于该凹陷内所残留的该硅成分反应，以生成反应生成物，而让含硅膜沉积于该凹陷内。

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