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1. 发明专利

TW201342462A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201342462A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101145748
申请日：2012-12-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：西野雅 , NISHINO, MASARU , 真壁正嗣 , MAKABE, MASATSUGU , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 半田達也 , HANDA, TATSUYA , 綠川良太郎 , MIDORIKAWA, RYOTARO , 小林啟悟 , KOBAYASHI, KEIGO , 仁矢鐵也 , NIYA, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置及電漿處理方法，在導入含鹵素氣體及含氧氣氣體之電漿處理中，抑制微小微粒的產生。本發明提供之電漿處理裝置10具備：可減壓之處理容器12；下部電極，兼作於處理容器載置晶圓W之載置台20；上部電極或天線電極，以與下部電極對向的方式配置；氣體供給源32，將含鹵素氣體及含氧氣氣體導入處理容器內；高頻電源18，對上部電極、天線電極或下部電極之至少任一電極施加電漿產生用之高頻電力；以及電漿處理之機構，以電漿產生用之高頻電力使該氣體電漿化，藉由電漿之作用將載置台上之晶圓進行電漿處理；其特徵為：在處理容器內之暴露於電漿的表面中，至少將較晶圓之載置位置更接近上部電極側、天線電極或下部電極側之高度的表面其一部分或全部，以氟化物包覆。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备及等离子处理方法，在导入含卤素气体及含氧气气体之等离子处理中，抑制微小微粒的产生。本发明提供之等离子处理设备10具备：可减压之处理容器12；下部电极，兼作于处理容器载置晶圆W之载置台20；上部电极或天线电极，以与下部电极对向的方式配置；气体供给源32，将含卤素气体及含氧气气体导入处理容器内；高频电源18，对上部电极、天线电极或下部电极之至少任一电极施加等离子产生用之高频电力；以及等离子处理之机构，以等离子产生用之高频电力使该气体等离子化，借由等离子之作用将载置台上之晶圆进行等离子处理；其特征为：在处理容器内之暴露于等离子的表面中，至少将较晶圆之载置位置更接近上部电极侧、天线电极或下部电极侧之高度的表面其一部分或全部，以氟化物包覆。

2. 发明专利

TWI597773B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI597773B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW101145748
申请日：2012-12-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：西野雅 , NISHINO, MASARU , 真壁正嗣 , MAKABE, MASATSUGU , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 半田達也 , HANDA, TATSUYA , 綠川良太郎 , MIDORIKAWA, RYOTARO , 小林啟悟 , KOBAYASHI, KEIGO , 仁矢鐵也 , NIYA, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495

3. 发明专利

TW201030796A 聚焦環，電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：聚焦环，等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201030796A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098127141
申请日：2009-08-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：辻本宏 , 永岩利文 , 半田達也
IPC分类号： H01J , H01L
CPC分类号： H01J37/32642
摘要：本發明的課題是在於提供一種相較於以往可使聚焦環的壽命長期化,進行能夠謀求電漿處理裝置的操業率的提升及運行成本的降低之聚焦環、電漿處理裝置及電漿處理方法。其解決手段為:聚焦環(15)的內周部(15a)的上面係配置成與半導體晶圓(W)的周緣部下面成對向,此聚焦環(15)的內周部(15a)的上面與半導體晶圓(W)的周緣部下面的距離a係以在最初聚焦環(15)使用於電漿處理的時間點,亦即開始使用新品的聚焦環(15)的時間點,能夠形成0.4mm以上的方式構成。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种相较于以往可使聚焦环的寿命长期化,进行能够谋求等离子处理设备的操业率的提升及运行成本的降低之聚焦环、等离子处理设备及等离子处理方法。其解决手段为:聚焦环(15)的内周部(15a)的上面系配置成与半导体晶圆(W)的周缘部下面成对向,此聚焦环(15)的内周部(15a)的上面与半导体晶圆(W)的周缘部下面的距离a系以在最初聚焦环(15)使用于等离子处理的时间点,亦即开始使用新品的聚焦环(15)的时间点,能够形成0.4mm以上的方式构成。

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