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1. 发明专利

TWI390605B 處理裝置有权
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TWI390605B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW095138412
申请日：2006-10-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西本伸也 , NISHIMOTO, SHINYA , 湯淺珠樹 , YUASA, TAMAKI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/54 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4411 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32522

2. 发明专利

TW201029524A 溫度調節機構及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：温度调节机构及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201029524A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098131693
申请日：2009-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西本伸也
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：本發明係一種能控制電漿處理裝置用介電窗的溫度以實現良好之電漿處理,並能有效地控制裝置整體的溫度以確保作業安全性的溫度調節機構及具備該溫度調節機構的電漿處理裝置。該溫度調節機構設置於具備能進行內部減壓且具備由介電體材料形成之介電窗的處理容器,以及設置於該處理容器外部且至少一部份接觸至該處理容器以傳導該處理容器熱量的外部裝置之電漿處理裝置中,其具備有:外部裝置冷卻流道,係使傳熱介質循環於該外部裝置內;介電窗冷卻流道,係讓傳熱介質循環於該介電窗附近以使得其至少一部份能與該介電窗之間進行熱交換所設置的;冷卻裝置,係將該傳熱介質調節至特定的溫度;以及加熱機構,係預先使得流入該介電窗冷卻流道的該傳熱介質加熱至特定的溫度。其中自該外部裝置冷卻流道流出的該傳熱介質在流入該介電窗冷卻流道之前,係藉由該冷卻裝置或該加熱機構,抑或藉由該兩者來調節至特定的溫度。
简体摘要：本发明系一种能控制等离子处理设备用介电窗的温度以实现良好之等离子处理,并能有效地控制设备整体的温度以确保作业安全性的温度调节机构及具备该温度调节机构的等离子处理设备。该温度调节机构设置于具备能进行内部减压且具备由介电体材料形成之介电窗的处理容器,以及设置于该处理容器外部且至少一部份接触至该处理容器以传导该处理容器热量的外部设备之等离子处理设备中,其具备有:外部设备冷却流道,系使传热介质循环于该外部设备内;介电窗冷却流道,系让传热介质循环于该介电窗附近以使得其至少一部份能与该介电窗之间进行热交换所设置的;冷却设备,系将该传热介质调节至特定的温度;以及加热机构,系预先使得流入该介电窗冷却流道的该传热介质加热至特定的温度。其中自该外部设备冷却流道流出的该传热介质在流入该介电窗冷却流道之前,系借由该冷却设备或该加热机构,抑或借由该两者来调节至特定的温度。

3. 发明专利

TW201021630A 微波電漿處理裝置及微波之供電方法（二）审中-公开
简体标题：微波等离子处理设备及微波之供电方法（二）
公开(公告)号：TW201021630A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098120184
申请日：2009-06-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西本伸也
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222
摘要：本發明係關於一種微波電漿處理裝置，即使在昇溫後仍能將微波之傳送路徑保持在適當的狀態，其中微波電漿處理裝置係藉由從輻射狀槽孔天線之槽孔板所放出之微波的電場能量來激發氣體以對基板進行電漿處理。微波電漿處理裝置係具有：於內部進行電漿處理之處理容器、用以輸出微波之微波源、傳送從微波源所輸出之微波的矩形導波管、將經由矩形導波管所傳送之微波的模式變換之同軸變換機、傳送經由同軸變換機而將模式變換之微波的同軸導波管、在未接觸槽孔板之狀態下裝設於同軸導波管的內部導體之錐形連接器、以及將錐形連接器及槽孔板加以電連接之彈性體。
简体摘要：本发明系关于一种微波等离子处理设备，即使在升温后仍能将微波之发送路径保持在适当的状态，其中微波等离子处理设备系借由从辐射状槽孔天线之槽孔板所放出之微波的电场能量来激发气体以对基板进行等离子处理。微波等离子处理设备系具有：于内部进行等离子处理之处理容器、用以输出微波之微波源、发送从微波源所输出之微波的矩形导波管、将经由矩形导波管所发送之微波的模式变换之同轴变换机、发送经由同轴变换机而将模式变换之微波的同轴导波管、在未接触槽孔板之状态下装设于同轴导波管的内部导体之锥形连接器、以及将锥形连接器及槽孔板加以电连接之弹性体。

4. 发明专利

TWI437634B 電漿處理裝置及光學偵測裝置有权
简体标题：等离子处理设备及光学侦测设备
公开(公告)号：TWI437634B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW100130476
申请日：2011-08-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 仙田孝博 , SENDA, TAKAHIRO , 西本伸也 , NISHIMOTO, SHINYA , 山上宗隆 , YAMAGAMI, MUNETAKA , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： G01N21/55 , H01J37/32192 , H01J37/32972 , H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI358785B 靜電夾具有权
简体标题：静电夹具
公开(公告)号：TWI358785B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW093137512
申请日：2004-12-03
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西本伸也 , 中山博之 , 木村英利
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要：本發明的課題是針對於專利文獻1所述的靜電夾具，是藉由昇降銷彈起晶圓(W)之虞。又，專利文獻2所述的靜電夾具，是很難均勻地控制晶圓(W)面內的溫度。
本發明用以解決手段是：一種靜電夾具，屬於使用靜電力來吸附晶圓(W)的靜電夾具(16)，其特徵為，靜電夾具(16)是具有與晶圓(W)接觸的複數突起部(16C)，且藉由包含具有1至2μm的平均粒徑的氧化鋁結晶粒子的陶瓷介質(16A)形成突起部(16C)，同時將突起部(16C)與晶圓(W)的接觸面形成在依存於粒徑的表面粗度的Ra 0.2至0.3μm。
简体摘要：本发明的课题是针对于专利文献1所述的静电夹具，是借由升降销弹起晶圆(W)之虞。又，专利文献2所述的静电夹具，是很难均匀地控制晶圆(W)面内的温度。本发明用以解决手段是：一种静电夹具，属于使用静电力来吸附晶圆(W)的静电夹具(16)，其特征为，静电夹具(16)是具有与晶圆(W)接触的复数突起部(16C)，且借由包含具有1至2μm的平均粒径的氧化铝结晶粒子的陶瓷介质(16A)形成突起部(16C)，同时将突起部(16C)与晶圆(W)的接触面形成在依存于粒径的表面粗度的Ra 0.2至0.3μm。

6. 发明专利

TW201012316A 微波電漿處理裝置及冷卻套之製造方法审中-公开
简体标题：微波等离子处理设备及冷却套之制造方法
公开(公告)号：TW201012316A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW098123666
申请日：2009-07-14
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西本伸也
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32522
摘要：本發明係關於一種微波電漿處理裝置及冷卻套之製造方法，其中構成微波電漿處理裝置之微波天線的慢波板與冷卻套之冷卻部係相鄰設置以構成微波電漿處理裝置。
简体摘要：本发明系关于一种微波等离子处理设备及冷却套之制造方法，其中构成微波等离子处理设备之微波天线的慢波板与冷却套之冷却部系相邻设置以构成微波等离子处理设备。

7. 发明专利

TW201302329A 被處理基板處理用鹵素去除裝置、被處理基板處理裝置及被處理基板處理方法审中-公开
简体标题：被处理基板处理用卤素去除设备、被处理基板处理设备及被处理基板处理方法
公开(公告)号：TW201302329A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101106365
申请日：2012-02-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西本伸也 , NISHIMOTO, SHINYA , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/67051
摘要：被處理基板處理用鹵素去除裝置16，係去除殘留於被處理基板W的鹵素之被處理基板處理用鹵素去除裝置，包含：超音波產生裝置43，使超音波產生；以及供給機構47，使用超音波產生裝置43讓作為能溶解鹵素的液體之水成為霧狀，而將霧狀的水供給至被處理基板W。
简体摘要：被处理基板处理用卤素去除设备16，系去除残留于被处理基板W的卤素之被处理基板处理用卤素去除设备，包含：超音波产生设备43，使超音波产生；以及供给机构47，使用超音波产生设备43让作为能溶解卤素的液体之水成为雾状，而将雾状的水供给至被处理基板W。

8. 发明专利

TW201010520A 微波電漿處理裝置及微波之供電方法（一）审中-公开
简体标题：微波等离子处理设备及微波之供电方法（一）
公开(公告)号：TW201010520A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098120185
申请日：2009-06-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西本伸也
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32192 , H01J37/3222
摘要：本發明係關於一種抑制微波之傳送路徑變動的微波電漿處理裝置及微波之供電方法，其中微波電漿處理裝置係藉由從輻射狀槽孔天線所放出之微波的電場能量來激發氣體以對基板進行電漿處理。微波電漿處理裝置具備：於內部進行電漿處理之處理容器、用以輸出微波之微波源、傳送從微波源所輸出之微波的矩形導波管、將經由矩形導波管所傳送之微波的模式變換之同軸變換機、可滑動地連結於同軸變換機之同軸導波管的內部導體、連接於同軸變換機並將該同軸變換機及該內部導體電連接之第1接觸組件、以及吸收輻射狀槽孔天線及其上部組件因熱膨脹所產生的位移之第1彈簧組件。
简体摘要：本发明系关于一种抑制微波之发送路径变动的微波等离子处理设备及微波之供电方法，其中微波等离子处理设备系借由从辐射状槽孔天线所放出之微波的电场能量来激发气体以对基板进行等离子处理。微波等离子处理设备具备：于内部进行等离子处理之处理容器、用以输出微波之微波源、发送从微波源所输出之微波的矩形导波管、将经由矩形导波管所发送之微波的模式变换之同轴变换机、可滑动地链接于同轴变换机之同轴导波管的内部导体、连接于同轴变换机并将该同轴变换机及该内部导体电连接之第1接触组件、以及吸收辐射状槽孔天线及其上部组件因热膨胀所产生的位移之第1弹簧组件。

9. 发明专利

TW201006316A 簇射極板與使用該簇射極板之電漿處理裝置审中-公开
简体标题：簇射极板与使用该簇射极板之等离子处理设备
公开(公告)号：TW201006316A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098107598
申请日：2009-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西本伸也
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , C23C16/511
摘要：本發明係提供一種形成可良好冷卻之流路的簇射極板與使用該簇射極板之電漿處理裝置。其中簇射極板係具備第一平板、第二平板以及第三平板，於第三平板面向第二平板一側之面，形成有冷媒流動的流路，第三平板的中心區域形成有相互交叉呈約90度角的格柵，而流路與該格柵交叉的角度相同地亦彎曲呈約90度角，藉由將流路依此方式彎曲，於特別高溫的中心區域可設置多數之流路，並可提供簇射極板良好的冷卻。
简体摘要：本发明系提供一种形成可良好冷却之流路的簇射极板与使用该簇射极板之等离子处理设备。其中簇射极板系具备第一平板、第二平板以及第三平板，于第三平板面向第二平板一侧之面，形成有冷媒流动的流路，第三平板的中心区域形成有相互交叉呈约90度角的格栅，而流路与该格栅交叉的角度相同地亦弯曲呈约90度角，借由将流路依此方式弯曲，于特别高温的中心区域可设置多数之流路，并可提供簇射极板良好的冷却。

10. 发明专利

TWI392050B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI392050B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW098102507
申请日：2009-01-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 西本伸也 , NISHIMOTO, SHINYA , 河本慎二 , KOMOTO, SHINJI
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68728 , H01L21/68735

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