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1. 发明专利

TWI401762B 閘閥與半導體製造裝置有权
简体标题：闸阀与半导体制造设备
公开(公告)号：TWI401762B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW098107217
申请日：2009-03-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河本慎二 , KOMOTO, SHINJI , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67126 , Y10S251/90 , Y10S414/135

2. 发明专利

TWI411015B 電漿處理裝置、執行其清理方法之電漿裝置及記憶執行其清理方法之程式的記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备、运行其清理方法之等离子设备及记忆运行其清理方法之进程的记忆媒体
公开(公告)号：TWI411015B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW097106945
申请日：2008-02-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 河本慎二 , KOMOTO, SHINJI , 高場裕之 , TAKABA, HIROYUKI , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32862

3. 发明专利

TWI392050B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI392050B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW098102507
申请日：2009-01-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 西本伸也 , NISHIMOTO, SHINYA , 河本慎二 , KOMOTO, SHINJI
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68728 , H01L21/68735

4. 发明专利

TW200943468A 電漿處理裝置 PLASMA PROCESSING DEVICE 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA PROCESSING DEVICE
公开(公告)号：TW200943468A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098102507
申请日：2009-01-22
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石橋清隆 , 野澤俊久 , 西本伸也 , 河本慎二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68728 , H01L21/68735
摘要：本發明之課題為：提供電漿處理裝置，可將載置台頂面輕易加工成平滑之形狀，也可防止基板周緣部之溫度下降。為解決上述課題，電漿處理裝置5藉由使所供應至處理容器20內之處理氣體電漿化，以於處理容器20內處理基板W；處理容器20內設有於頂面載置基板W的載置台21；於載置台21之頂面，用以定位基板W周緣之定位銷25在複數處突出；且定位銷25插入形成於載置台21頂面的凹部26。並且，可於已拆卸定位銷25之狀態下，將載置台21頂面加工成平滑的形狀。又，由於載置台21頂面所載置的基板W之周緣附近僅存在定位銷25，因此也可防止基板周緣部之溫度下降。
简体摘要：本发明之课题为：提供等离子处理设备，可将载置台顶面轻易加工成平滑之形状，也可防止基板周缘部之温度下降。为解决上述课题，等离子处理设备5借由使所供应至处理容器20内之处理气体等离子化，以于处理容器20内处理基板W；处理容器20内设有于顶面载置基板W的载置台21；于载置台21之顶面，用以定位基板W周缘之定位销25在复数处突出；且定位销25插入形成于载置台21顶面的凹部26。并且，可于已拆卸定位销25之状态下，将载置台21顶面加工成平滑的形状。又，由于载置台21顶面所载置的基板W之周缘附近仅存在定位销25，因此也可防止基板周缘部之温度下降。

5. 发明专利

TW201027589A 電漿處理裝置、電漿處理方法、電漿處理裝置之清潔方法及電漿處理裝置用壓力調整閥审中-公开
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法、等离子处理设备之清洁方法及等离子处理设备用压力调整阀
公开(公告)号：TW201027589A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098129047
申请日：2009-08-28
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：野澤俊久 , 河本慎二 , 岩崎征英
IPC分类号： H01J , H05H , C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , Y10T137/7837
摘要：本發明係關於一種電漿處理裝置、電漿處理方法、電漿處理裝置之清潔方法及電漿處理裝置用壓力調整閥。其中電漿處理裝置係具有:從排氣孔向下側延伸之第一排氣通路;連接於第一排氣通路排氣方向的下游側端部,並朝與第一排氣通路呈垂直的方向延伸,且在與排氣方向呈直交的剖面中,其寬度方向較上下方向要長之橫長剖面形狀的第二排氣通路;以及連接於第二排氣通路排氣方向的下游側端部,並朝與第二排氣通路呈垂直的方向延伸之第三排氣通路;連接於第三排氣通路排氣方向的下游側端部以將處理容器內減壓之幫浦;設置於第二排氣通路內並可將第二排氣通路封閉,且具有用以調整排氣方向上游側與下游側壓力的壓力調整用閥板之壓力調整閥;以及設置於第三排氣通路內,且具有可進行開閉第三排氣通路的停止閥板之停止閥。
简体摘要：本发明系关于一种等离子处理设备、等离子处理方法、等离子处理设备之清洁方法及等离子处理设备用压力调整阀。其中等离子处理设备系具有:从排气孔向下侧延伸之第一排气通路;连接于第一排气通路排气方向的下游侧端部,并朝与第一排气通路呈垂直的方向延伸,且在与排气方向呈直交的剖面中,其宽度方向较上下方向要长之横长剖面形状的第二排气通路;以及连接于第二排气通路排气方向的下游侧端部,并朝与第二排气通路呈垂直的方向延伸之第三排气通路;连接于第三排气通路排气方向的下游侧端部以将处理容器内减压之帮浦;设置于第二排气通路内并可将第二排气通路封闭,且具有用以调整排气方向上游侧与下游侧压力的压力调整用阀板之压力调整阀;以及设置于第三排气通路内,且具有可进行开闭第三排气通路的停止阀板之停止阀。

6. 发明专利

TW201005861A 閘閥與半導體製造裝置审中-公开
简体标题：闸阀与半导体制造设备
公开(公告)号：TW201005861A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098107217
申请日：2009-03-06
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：河本慎二 , 野澤俊久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67126 , Y10S251/90 , Y10S414/135
摘要：本發明係關於一種閘閥及半導體製造裝置，可防止因密封組件劣化所造成之密封效果的降低及微塵粒子的產生，並可維持稼動率。其中閘閥係設置於進行半導體製造裝置的製程處理之處理單元與搬送實施製程處理的晶圓之搬送室之間，具備處理單元側之閘閥、於處理單元側的閘閥所具備之O型環、搬送室側之閘閥、於搬送室側的閘閥所具備之O型環，以及處理單元側的閘閥與搬送室側的閘閥之間的絕熱材。
简体摘要：本发明系关于一种闸阀及半导体制造设备，可防止因密封组件劣化所造成之密封效果的降低及微尘粒子的产生，并可维持稼动率。其中闸阀系设置于进行半导体制造设备的制程处理之处理单元与搬送实施制程处理的晶圆之搬送室之间，具备处理单元侧之闸阀、于处理单元侧的闸阀所具备之O型环、搬送室侧之闸阀、于搬送室侧的闸阀所具备之O型环，以及处理单元侧的闸阀与搬送室侧的闸阀之间的绝热材。

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