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1. 发明专利

TW201403709A 電漿處理裝置，電漿處理方法及電腦可讀取的記錄媒體审中-公开
简体标题：等离子处理设备，等离子处理方法及电脑可读取的记录媒体
公开(公告)号：TW201403709A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102126893
申请日：2005-06-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA , 杉本勝 , SUGIMOTO, MASARU , 日向邦彥 , HINATA, KUNIHIKO , 小林典之 , KOBAYASHI, NORIYUKI , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 大谷竜二 , OHTANI, RYUJI , 吉備和雄 , KIBI, KAZUO , 藤昌司 , SAITO, MASASHI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 岩田学 , IWATA, MANABU , 矢野大介 , YANO, DAISUKE , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI , 速水利泰 , HAYAMI, TOSHIHIRO , 山崎広樹 , YAMAZAKI, HIROKI , 佐藤学 , SATO, MANABU
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
摘要：本發明係於上部電極及下部電極之間產生處理氣體的電漿，而於晶圓W施以電漿蝕刻之電漿蝕刻裝置，其特徵為更具備一可變直流電源，其係於上部電極施加一其表面的自我偏壓電壓的絕對值會變大成可對其表面取得適度的濺射效果的程度，且上部電極的電漿外皮的厚度會變厚成可形成所望的縮小化電漿的程度之直流電壓。
简体摘要：本发明系于上部电极及下部电极之间产生处理气体的等离子，而于晶圆W施以等离子蚀刻之等离子蚀刻设备，其特征为更具备一可变直流电源，其系于上部电极施加一其表面的自我偏压电压的绝对值会变大成可对其表面取得适度的溅射效果的程度，且上部电极的等离子外皮的厚度会变厚成可形成所望的缩小化等离子的程度之直流电压。

2. 发明专利

TW201137967A 基板處理裝置及其清潔方法以及記錄有程式之記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备及其清洁方法以及记录有进程之记录媒体
公开(公告)号：TW201137967A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099139451
申请日：2010-11-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：本田昌伸 , 村上貴宏 , 三村高範 , 花岡秀敏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32862
摘要：本發明關於一種不需提高下部電極的自偏壓,便可提升基板載置台附著物的去除率之基板處理裝置及其清潔方法以及記錄有程式之記錄媒體。當根據特定處理條件來清潔處理室內時,係配合下部電極的自偏壓,若其絕對値愈小,則以減少O2氣體的流量比而增加Ar氣體的流量比之方式所設定的流量比,來將O2氣體與惰性氣體所構成的處理氣體供應至處理室內,並對下部電極與上部電極之電極間施加高頻電功率以產生電漿。
简体摘要：本发明关于一种不需提高下部电极的自偏压,便可提升基板载置台附着物的去除率之基板处理设备及其清洁方法以及记录有进程之记录媒体。当根据特定处理条件来清洁处理室内时,系配合下部电极的自偏压,若其绝对値愈小,则以减少O2气体的流量比而增加Ar气体的流量比之方式所设置的流量比,来将O2气体与惰性气体所构成的处理气体供应至处理室内,并对下部电极与上部电极之电极间施加高频电功率以产生等离子。

3. 发明专利

TWI431683B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI431683B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW096111087
申请日：2007-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 早川欣延 , HAYAKAWA, YOSHINOBU , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI , 岩田學 , IWATA, MANABU , 田中諭志 , TANAKA, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165

4. 发明专利

TW201207930A 表面平坦化方法审中-公开
公开(公告)号：TW201207930A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100108094
申请日：2011-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：花岡秀敏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32105 , H01L21/32115
摘要：本發明的課題是在於提供一種可維持表面的多晶矽層的膜厚來使基板的表面平坦化之表面平坦化方法。解決手段是在基板處理裝置(10)的腔室(11)內使在表面具有多晶矽層(40)的晶圓(W)的表面平坦化時,將晶圓(W)載置於腔室(11)內的基座(12),且將腔室(11)內的壓力設定成100mTorr以上乃至800mTorr以下的其中任一,將氧氣體及氬氣體的混合氣體之氬氣體的流量比設定成50%以上乃至95%以下的其中任一,而往腔室(11)內部導入,將頻率被設定成13MHz以上乃至100MHz以下的其中任一之電漿生成用的高頻電力施加於基座(12)來激發所被導入的混合氣體,使產生電漿,藉由產生的電漿中的氧的陽離子(43)或氬的陽離子(44)來濺射晶圓(W)的表面。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可维持表面的多晶硅层的膜厚来使基板的表面平坦化之表面平坦化方法。解决手段是在基板处理设备(10)的腔室(11)内使在表面具有多晶硅层(40)的晶圆(W)的表面平坦化时,将晶圆(W)载置于腔室(11)内的基座(12),且将腔室(11)内的压力设置成100mTorr以上乃至800mTorr以下的其中任一,将氧气体及氩气体的混合气体之氩气体的流量比设置成50%以上乃至95%以下的其中任一,而往腔室(11)内部导入,将频率被设置成13MHz以上乃至100MHz以下的其中任一之等离子生成用的高频电力施加于基座(12)来激发所被导入的混合气体,使产生等离子,借由产生的等离子中的氧的阳离子(43)或氩的阳离子(44)来溅射晶圆(W)的表面。

5. 发明专利

TWI590323B 基板處理裝置及其清潔方法有权
简体标题：基板处理设备及其清洁方法
公开(公告)号：TWI590323B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW099139451
申请日：2010-11-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本田昌伸 , HONDA, MASANOBU , 村上貴宏 , MURAKAMI, TAKAHIRO , 三村高範 , MIMURA, TAKANORI , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32862

7. 发明专利

TWI562685B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI562685B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102111673
申请日：2013-04-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32559 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32651 , H01J37/32697 , H01L21/31116

8. 发明专利

TWI525694B 腔室內洗淨方法有权
简体标题：腔室内洗净方法
公开(公告)号：TWI525694B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW099129694
申请日：2010-09-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本田昌伸 , HONDA, MASANOBU , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI , 平野太一 , HIRANO, TAICHI , 三村高範 , MIMURA, TAKANORI , 岩田學 , IWATA, MANABU , 岡城武敏 , OKAJO, TAKETOSHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/4405 , H01J37/32862

9. 发明专利

TWI562188B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI562188B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW100146489
申请日：2011-12-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J2237/334

10. 发明专利

TW201534762A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201534762A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103137323
申请日：2014-10-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野中龍 , NONAKA, RYO , 佐藤雅紀 , SATO, MASANORI , 籔本奈津紀 , YABUMOTO, NATSUKI , 高山貴光 , TAKAYAMA, TAKAMITSU , 原田彰俊 , HARADA, AKITOSHI , 佐佐木淳一 , SASAKI, JUNICHI , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI
IPC分类号： C23C4/12 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32477 , H01J37/34
摘要：將妨礙被處理體之分離的殘留吸附力降低。電漿處理方法係包含：附著工序，係在處理容器內部所設置的靜電吸盤未載置有被處理體的狀態下，藉由產生含Ar、He、O2及N2中至少任一者之處理氣體的電漿，並利用該電漿中的離子來濺射含有Si的構件，而讓Si含有物附著至附著了含C及F反應生成物的該靜電吸盤；吸附工序，係在該被處理體被搬入至該處理容器內部的情形中，藉由沉積了該Si含有物的該靜電吸盤來吸附該被處理體；電漿處理工序，係電漿處理該被處理體；以及分離工序，係讓被電漿處理的該被處理體從附著了該Si含有物的該靜電吸盤分離。
简体摘要：将妨碍被处理体之分离的残留吸附力降低。等离子处理方法系包含：附着工序，系在处理容器内部所设置的静电吸盘未载置有被处理体的状态下，借由产生含Ar、He、O2及N2中至少任一者之处理气体的等离子，并利用该等离子中的离子来溅射含有Si的构件，而让Si含有物附着至附着了含C及F反应生成物的该静电吸盘；吸附工序，系在该被处理体被搬入至该处理容器内部的情形中，借由沉积了该Si含有物的该静电吸盘来吸附该被处理体；等离子处理工序，系等离子处理该被处理体；以及分离工序，系让被等离子处理的该被处理体从附着了该Si含有物的该静电吸盘分离。

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