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2. 发明专利

TW201640579A 蝕刻處理方法及蝕刻處理裝置审中-公开
简体标题：蚀刻处理方法及蚀刻处理设备
公开(公告)号：TW201640579A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104142868
申请日：2015-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：竹田諒平 , TAKEDA, RYOHEI , 高島隆一 , TAKASHIMA, RYUICHI , 大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/465
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32724 , H01L21/02164 , H01L21/31144 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要：本發明之目的在於抑制深度負載，並提高氧化矽膜的蝕刻率。為了達成上述目的，本發明提供一種蝕刻處理方法，其將冷卻載置台的冷卻器之溫度控制在－20℃以下，並利用第1高頻電源所施加的第1高頻電力，從氣體供給源所供給的含氫氣體以及含氟氣體產生電漿，然後利用所產生的該電漿對該載置台上的基板的氧化矽膜進行蝕刻處理，接著在該蝕刻處理後的除電處理中，從第2高頻電源對該載置台施加頻率比第1高頻電力的頻率更低的第2高頻電力。
简体摘要：本发明之目的在于抑制深度负载，并提高氧化硅膜的蚀刻率。为了达成上述目的，本发明提供一种蚀刻处理方法，其将冷却载置台的冷却器之温度控制在－20℃以下，并利用第1高频电源所施加的第1高频电力，从气体供给源所供给的含氢气体以及含氟气体产生等离子，然后利用所产生的该等离子对该载置台上的基板的氧化硅膜进行蚀刻处理，接着在该蚀刻处理后的除电处理中，从第2高频电源对该载置台施加频率比第1高频电力的频率更低的第2高频电力。

3. 发明专利

TWI549178B 電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置及記憶媒體有权
简体标题：等离子蚀刻方法、等离子蚀刻设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI549178B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW099101947
申请日：2010-01-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八田浩一 , YATSUDA, KOICHI , 大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 岡本晉 , OKAMOTO, SHIN , 持木宏政 , MOCHIKI, HIROMASA
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32697

4. 发明专利

TWI587379B 電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI587379B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105111757
申请日：2011-08-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 田邊明良 , TANABE, AKIRA , 安田吉紀 , YASUTA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348

5. 发明专利

TWI478231B 電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置、控制程式及電腦記憶媒體有权
简体标题：等离子蚀刻方法、等离子蚀刻设备、控制进程及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TWI478231B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW097150432
申请日：2008-12-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中諭志 , TANAKA, SATOSHI , 大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 山崎文生 , YAMAZAKI, FUMIO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116

6. 发明专利

TW201403709A 電漿處理裝置，電漿處理方法及電腦可讀取的記錄媒體审中-公开
简体标题：等离子处理设备，等离子处理方法及电脑可读取的记录媒体
公开(公告)号：TW201403709A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102126893
申请日：2005-06-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA , 杉本勝 , SUGIMOTO, MASARU , 日向邦彥 , HINATA, KUNIHIKO , 小林典之 , KOBAYASHI, NORIYUKI , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 大谷竜二 , OHTANI, RYUJI , 吉備和雄 , KIBI, KAZUO , 藤昌司 , SAITO, MASASHI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 岩田学 , IWATA, MANABU , 矢野大介 , YANO, DAISUKE , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI , 速水利泰 , HAYAMI, TOSHIHIRO , 山崎広樹 , YAMAZAKI, HIROKI , 佐藤学 , SATO, MANABU
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
摘要：本發明係於上部電極及下部電極之間產生處理氣體的電漿，而於晶圓W施以電漿蝕刻之電漿蝕刻裝置，其特徵為更具備一可變直流電源，其係於上部電極施加一其表面的自我偏壓電壓的絕對值會變大成可對其表面取得適度的濺射效果的程度，且上部電極的電漿外皮的厚度會變厚成可形成所望的縮小化電漿的程度之直流電壓。
简体摘要：本发明系于上部电极及下部电极之间产生处理气体的等离子，而于晶圆W施以等离子蚀刻之等离子蚀刻设备，其特征为更具备一可变直流电源，其系于上部电极施加一其表面的自我偏压电压的绝对值会变大成可对其表面取得适度的溅射效果的程度，且上部电极的等离子外皮的厚度会变厚成可形成所望的缩小化等离子的程度之直流电压。

7. 发明专利

TW201810417A 蝕刻處理方法审中-公开
简体标题：蚀刻处理方法
公开(公告)号：TW201810417A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118168
申请日：2017-06-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶村幕樹 , TOMURA, MAJU , 工藤仁 , KUDO, JIN , 大矢欣伸 , OHYA, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要：本發明提供一種蝕刻處理方法，其目的在於確保遮罩選擇比，並在含矽膜之蝕刻中避免遮罩開口的阻塞。該蝕刻處理方法，在基板的溫度為－35℃以下之極低溫環境中，從第1高頻電源輸出第1高頻的電力，從第2高頻電源輸出較該第1高頻更低之第2高頻的電力；對由含有碳、氫、及氟之氣體形成的蝕刻氣體，添加碳原子數為3以上的碳氫化合物氣體並產生電漿，蝕刻氧化矽膜或疊層有組成相異之含矽膜的疊層膜。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻处理方法，其目的在于确保遮罩选择比，并在含硅膜之蚀刻中避免遮罩开口的阻塞。该蚀刻处理方法，在基板的温度为－35℃以下之极低温环境中，从第1高频电源输出第1高频的电力，从第2高频电源输出较该第1高频更低之第2高频的电力；对由含有碳、氢、及氟之气体形成的蚀刻气体，添加碳原子数为3以上的碳氢化合物气体并产生等离子，蚀刻氧化硅膜或叠层有组成相异之含硅膜的叠层膜。

8. 发明专利

TW201732923A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201732923A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142155
申请日：2016-12-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高島隆一 , TAKASHIMA, RYUICHI , 後平拓 , GOHIRA, TAKU , 大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32009 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31144
摘要：目的在於調整遮罩膜之開口形狀，並進行蝕刻。
简体摘要：目的在于调整遮罩膜之开口形状，并进行蚀刻。

9. 发明专利

TW201727738A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201727738A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105140600
申请日：2016-12-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：竹田諒平 , TAKEDA, RYOHEI , 冨永翔 , TOMINAGA, SHO , 大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：本發明之目的在於提高對不同種類之蝕刻對象膜進行蝕刻時之基板之溫度控制性及蝕刻均勻性。本發明提供一種蝕刻方法，其具有：第1步驟，其係於晶圓溫度為-35℃以下之極低溫環境下，自第1高頻電源輸出第1高頻功率，自第2高頻電源輸出低於上述第1高頻之第2高頻功率，由含氫氣體及含氟氣體生成電漿，藉由電漿對積層有氧化矽膜及氮化矽膜之積層膜與氧化矽膜之單層膜進行蝕刻；及第2步驟，其係停止上述第2高頻電源之輸出；且重複上述第1步驟與上述第2步驟複數次，且控制為上述第1步驟係短於上述第2步驟之時間。
简体摘要：本发明之目的在于提高对不同种类之蚀刻对象膜进行蚀刻时之基板之温度控制性及蚀刻均匀性。本发明提供一种蚀刻方法，其具有：第1步骤，其系于晶圆温度为-35℃以下之极低温环境下，自第1高频电源输出第1高频功率，自第2高频电源输出低于上述第1高频之第2高频功率，由含氢气体及含氟气体生成等离子，借由等离子对积层有氧化硅膜及氮化硅膜之积层膜与氧化硅膜之单层膜进行蚀刻；及第2步骤，其系停止上述第2高频电源之输出；且重复上述第1步骤与上述第2步骤复数次，且控制为上述第1步骤系短于上述第2步骤之时间。

10. 发明专利

TW201643950A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201643950A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105111757
申请日：2011-08-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 田邊明良 , TANABE, AKIRA , 安田吉紀 , YASUTA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348
摘要：本發明關於一種電漿處理方法及電漿處理裝置，係可提升RF偏壓功能之控制性，並實現對應於微細加工的各種要求條件之電漿製程的最佳化。此電漿處理裝置係為了將來自第3高頻電源之適於產生電容耦合電漿之高頻施加於上部電極(或下部電極)，並控制自電漿入射至半導體晶圓之離子的能量，而將來自第1及第2高頻電源之適於離子吸引的2種類高頻(0.8MHz),(13MHz)重複地施加於晶座。控制部會對應於電漿樣式、條件或配方來控制兩高頻之總功率及功率比。
简体摘要：本发明关于一种等离子处理方法及等离子处理设备，系可提升RF偏压功能之控制性，并实现对应于微细加工的各种要求条件之等离子制程的最优化。此等离子处理设备系为了将来自第3高频电源之适于产生电容耦合等离子之高频施加于上部电极(或下部电极)，并控制自等离子入射至半导体晶圆之离子的能量，而将来自第1及第2高频电源之适于离子吸引的2种类高频(0.8MHz),(13MHz)重复地施加于晶座。控制部会对应于等离子样式、条件或配方来控制两高频之总功率及功率比。

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