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1. 发明专利

TWI490912B 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI490912B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW101105563
申请日：2012-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石川拓 , ISHIKAWA, HIRAKU , 林輝幸 , HAYASHI, TERUYUKI , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI , 小野裕司 , ONO, YUJI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0337 , H01L21/308 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719

2. 发明专利

TWI464804B 非晶形碳化氫膜的後處理方法及使用該方法的電子裝置的製造方法有权
简体标题：非晶形碳化氢膜的后处理方法及使用该方法的电子设备的制造方法
公开(公告)号：TWI464804B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW098103126
申请日：2009-01-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石川拓 , ISHIKAWA, HIRAKU
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/324 , C23C16/26 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76835 , H01L2221/1036

3. 发明专利

TW201226605A 蒸鍍處理裝置及蒸鍍處理方法审中-公开
简体标题：蒸镀处理设备及蒸镀处理方法
公开(公告)号：TW201226605A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100130244
申请日：2011-08-24
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：鎌田美子 , 石川拓 , 小野裕司 , 林輝幸 , 布瀨曉志 , 齊藤美佐子 , 鎌田豐弘 , 大槻志門
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H05B33/10 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/544 , C23C14/545 , H01L51/001 , H01L51/56
摘要：本發明係提供一種蒸鍍處理裝置，可在基板形成薄膜之同時進行膜厚之控制。本發明之蒸鍍處理裝置，係藉由蒸鍍而於基板形成薄膜者；具備有：供給材料氣體之減壓自如的材料供給部、以及於該基板形成薄膜之成膜部；該成膜部係具有對噴射於該基板之材料氣體之蒸氣濃度進行測定之感測機構；另設有基於該感測機構之測定結果來控制成膜條件之控制部。
简体摘要：本发明系提供一种蒸镀处理设备，可在基板形成薄膜之同时进行膜厚之控制。本发明之蒸镀处理设备，系借由蒸镀而于基板形成薄膜者；具备有：供给材料气体之减压自如的材料供给部、以及于该基板形成薄膜之成膜部；该成膜部系具有对喷射于该基板之材料气体之蒸气浓度进行测定之传感机构；另设有基于该传感机构之测定结果来控制成膜条件之控制部。

4. 发明专利

TW201125998A 濺鍍裝置审中-公开
简体标题：溅镀设备
公开(公告)号：TW201125998A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099129189
申请日：2010-08-31
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 小野裕司 , 林輝幸
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/3408 , H01J37/3414
摘要：本發明提供一種濺鍍裝置,係在已形成有機薄膜之基板來作為濺鍍處理對象之情況,可在將來自濺鍍空間之光線遮蔽以防止有機薄膜特性劣化的狀態下來進行濺鍍處理。所提供之濺鍍裝置係可針對設置在對向設置的一對濺鍍靶之間所形成之濺鍍空間側邊處的基板進行濺鍍處理,其具備有:電源,係於該一對之濺鍍靶之間處施加電壓;氣體供給部,係將非活性氣體供給至該濺鍍空間;以及遮光機構,係設置於該濺鍍空間與該基板之間處。
简体摘要：本发明提供一种溅镀设备,系在已形成有机薄膜之基板来作为溅镀处理对象之情况,可在将来自溅镀空间之光线屏蔽以防止有机薄膜特性劣化的状态下来进行溅镀处理。所提供之溅镀设备系可针对设置在对向设置的一对溅镀靶之间所形成之溅镀空间侧边处的基板进行溅镀处理,其具备有:电源,系于该一对之溅镀靶之间处施加电压;气体供给部,系将非活性气体供给至该溅镀空间;以及遮光机构,系设置于该溅镀空间与该基板之间处。

5. 发明专利

TWI533378B 矽氮化膜之成膜方法以及矽氮化膜之成膜裝置有权
简体标题：硅氮化膜之成膜方法以及硅氮化膜之成膜设备
公开(公告)号：TWI533378B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW101105934
申请日：2012-02-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石川拓 , ISHIKAWA, HIRAKU
IPC分类号： H01L21/318 , H01L51/50
CPC分类号： C23C16/345 , C23C14/165 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/511 , H01L51/5253

6. 发明专利

TWI463529B 非晶質碳膜之成膜方法與成膜裝置、及使用該成膜方法之半導體裝置之製造方法、以及電腦可讀取之記憶媒體有权
简体标题：非晶质碳膜之成膜方法与成膜设备、及使用该成膜方法之半导体设备之制造方法、以及电脑可读取之记忆媒体
公开(公告)号：TWI463529B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW096106524
申请日：2007-02-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 石川拓 , ISHIKAWA, HIRAKU
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L21/3146

7. 发明专利

TW201250775A 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201250775A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101105563
申请日：2012-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸 , 松岡孝明 , 小野裕司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0337 , H01L21/308 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719
摘要：本發明關於一種圖案形成方法及半導體裝置之製造方法,該圖案形成方法係形成當蝕刻基板上的被處理膜時成為遮罩的特定圖案,具有以下步驟:於基板的被處理膜上形成有機膜圖案之有機膜圖案形成步驟;之後,於該有機膜圖案上成膜矽氮化膜之成膜步驟;之後,使該矽氮化膜僅殘留於該有機膜圖案的側壁部般來蝕刻該矽氮化膜後,去除該有機膜圖案,而於基板的被處理膜上形成該矽氮化膜的該特定圖案之矽氮化膜圖案形成步驟。其中該成膜步驟係在維持基板溫度為100℃以下之狀態下,激發處理氣體而生成電漿,並藉由該電漿來進行電漿處理,而形成具有100MPa以下的膜應力之矽氮化膜。
简体摘要：本发明关于一种图案形成方法及半导体设备之制造方法,该图案形成方法系形成当蚀刻基板上的被处理膜时成为遮罩的特定图案,具有以下步骤:于基板的被处理膜上形成有机膜图案之有机膜图案形成步骤;之后,于该有机膜图案上成膜硅氮化膜之成膜步骤;之后,使该硅氮化膜仅残留于该有机膜图案的侧壁部般来蚀刻该硅氮化膜后,去除该有机膜图案,而于基板的被处理膜上形成该硅氮化膜的该特定图案之硅氮化膜图案形成步骤。其中该成膜步骤系在维持基板温度为100℃以下之状态下,激发处理气体而生成等离子,并借由该等离子来进行等离子处理,而形成具有100MPa以下的膜应力之硅氮化膜。

8. 发明专利

TW201245890A 成膜裝置、基板處理系統、基板處理方法及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：成膜设备、基板处理系统、基板处理方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201245890A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101100398
申请日：2012-01-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸 , 松岡孝明 , 小野裕司
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/67069 , G03F7/16 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/6715 , H01L21/67207 , H01L21/67225
摘要：本發明係關於一種成膜裝置、基板處理系統、基板處理方法及半導體裝置的製造方法。於基板上形成由低分子化合物之分子阻劑所構成之阻劑圖案的基板處理系統係具備有：成膜裝置，係於基板上成膜出阻劑膜；曝光裝置，係將該成膜後之阻劑膜曝光；以及顯影裝置，係將該曝光後之阻劑膜顯影。該成膜裝置係具有：處理容器，係收納基板；保持台，係設置於該處理容器內而保持基板；阻劑膜用蒸鍍頭，係對該保持台所保持之基板供應該分子阻劑之蒸氣；以及減壓機構，係將該處理容器內之氛圍減壓至真空氛圍。
简体摘要：本发明系关于一种成膜设备、基板处理系统、基板处理方法及半导体设备的制造方法。于基板上形成由低分子化合物之分子阻剂所构成之阻剂图案的基板处理系统系具备有：成膜设备，系于基板上成膜出阻剂膜；曝光设备，系将该成膜后之阻剂膜曝光；以及显影设备，系将该曝光后之阻剂膜显影。该成膜设备系具有：处理容器，系收纳基板；保持台，系设置于该处理容器内而保持基板；阻剂膜用蒸镀头，系对该保持台所保持之基板供应该分子阻剂之蒸气；以及减压机构，系将该处理容器内之氛围减压至真空氛围。

9. 发明专利

TW201240185A 顯示元件製造裝置、顯示元件製造方法、及顯示元件 DISPLAY DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：显示组件制造设备、显示组件制造方法、及显示组件 DISPLAY DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW201240185A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100144890
申请日：2011-12-06
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸
IPC分类号： H01L , H05B , C23C
CPC分类号： H01L51/5253 , C23C16/54 , G09F13/22
摘要：本發明提供一種顯示元件製造裝置、顯示元件製造方法、及顯示元件,其能夠將顯示元件的暫時密封體暴露於大氣中而暫時保管;可得到具有因應要求性能的各種膜構造之顯示元件的完成品;並具有優良產出。利用第1密封膜形成裝置27在有機EL零件的表面形成第1密封膜,而得到暫時密封體。利用LL28將該暫時密封體自減壓空間取出至位於大氣壓空間內的暫時密封體保管部29。暫時密封體,在由第1密封膜確保了耐透濕性的狀態下暫時保管於暫時密封體保管部29之後,視時機利用搬運裝置搬運至各第2密封膜形成部6的各SiN膜形成裝置30,在各SiN膜形成裝置30中,於暫時密封體上形成第2密封膜。
简体摘要：本发明提供一种显示组件制造设备、显示组件制造方法、及显示组件,其能够将显示组件的暂时密封体暴露于大气中而暂时保管;可得到具有因应要求性能的各种膜构造之显示组件的完成品;并具有优良产出。利用第1密封膜形成设备27在有机EL零件的表面形成第1密封膜,而得到暂时密封体。利用LL28将该暂时密封体自减压空间取出至位于大气压空间内的暂时密封体保管部29。暂时密封体,在由第1密封膜确保了耐透湿性的状态下暂时保管于暂时密封体保管部29之后,视时机利用搬运设备搬运至各第2密封膜形成部6的各SiN膜形成设备30,在各SiN膜形成设备30中,于暂时密封体上形成第2密封膜。

10. 发明专利

TW201831723A 成膜方法、硼膜、及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法、硼膜、及成膜设备
公开(公告)号：TW201831723A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106143677
申请日：2017-12-13
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 石川拓 , ISHIKAWA, HIRAKU , 渡部佳優 , WATANABE, YOSHIMASA , 米澤周平 , YONEZAWA, SYUHEI
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/38 , H01L21/314
摘要：本發明提供一種應用於半導體裝置之有用的硼膜及其成膜方法。對處理容器內的壓力已被調整為0.67Pa~33.3Pa(5mTorr~250mTorr)範圍內之處理氛圍供應包含有含硼氣體之反應氣體(B2H6氣體與He氣體)來使反應氣體電漿化。藉由該電漿而於晶圓成膜出硼膜。利用電漿的能量來成膜，藉此便可降低成膜處理時的溫度，來抑制熱的影響而成膜出硼膜。由於硼膜係蝕刻耐受性強，且具有高蝕刻選擇比，故可用來作為半導體裝置材料。
简体摘要：本发明提供一种应用于半导体设备之有用的硼膜及其成膜方法。对处理容器内的压力已被调整为0.67Pa~33.3Pa(5mTorr~250mTorr)范围内之处理氛围供应包含有含硼气体之反应气体(B2H6气体与He气体)来使反应气体等离子化。借由该等离子而于晶圆成膜出硼膜。利用等离子的能量来成膜，借此便可降低成膜处理时的温度，来抑制热的影响而成膜出硼膜。由于硼膜系蚀刻耐受性强，且具有高蚀刻选择比，故可用来作为半导体设备材料。

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