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1. 发明专利

TW200305949A 電漿蝕刻方法失效
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW200305949A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092106060
申请日：2003-03-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山口智代 , 藤本究 , 北村彰規 , 丁載榮 , 布瀨曉志 , 小尾真知子 , 和田暢弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32165
摘要：本發明提供一種電漿蝕刻方法，其特徵為能提高對光致抗蝕的選擇比，及／或抑制蝕刻之中止。將含有1，1，1，4，4，5，5，5–八氟–2–戊炔的蝕刻氣體，導入處理容器中使之電漿化，通過處理容器內被處理體（圖1之W）二氧化矽膜〔圖2之（61）〕上之光致抗蝕掩蔽模〔圖2之（62）〕的開口圖案，進行電漿蝕刻。
简体摘要：本发明提供一种等离子蚀刻方法，其特征为能提高对光致抗蚀的选择比，及／或抑制蚀刻之中止。将含有1，1，1，4，4，5，5，5–八氟–2–戊炔的蚀刻气体，导入处理容器中使之等离子化，通过处理容器内被处理体（图1之W）二氧化硅膜〔图2之（61）〕上之光致抗蚀掩蔽模〔图2之（62）〕的开口图案，进行等离子蚀刻。

2. 发明专利

TW201226605A 蒸鍍處理裝置及蒸鍍處理方法审中-公开
简体标题：蒸镀处理设备及蒸镀处理方法
公开(公告)号：TW201226605A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100130244
申请日：2011-08-24
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：鎌田美子 , 石川拓 , 小野裕司 , 林輝幸 , 布瀨曉志 , 齊藤美佐子 , 鎌田豐弘 , 大槻志門
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H05B33/10 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/544 , C23C14/545 , H01L51/001 , H01L51/56
摘要：本發明係提供一種蒸鍍處理裝置，可在基板形成薄膜之同時進行膜厚之控制。本發明之蒸鍍處理裝置，係藉由蒸鍍而於基板形成薄膜者；具備有：供給材料氣體之減壓自如的材料供給部、以及於該基板形成薄膜之成膜部；該成膜部係具有對噴射於該基板之材料氣體之蒸氣濃度進行測定之感測機構；另設有基於該感測機構之測定結果來控制成膜條件之控制部。
简体摘要：本发明系提供一种蒸镀处理设备，可在基板形成薄膜之同时进行膜厚之控制。本发明之蒸镀处理设备，系借由蒸镀而于基板形成薄膜者；具备有：供给材料气体之减压自如的材料供给部、以及于该基板形成薄膜之成膜部；该成膜部系具有对喷射于该基板之材料气体之蒸气浓度进行测定之传感机构；另设有基于该传感机构之测定结果来控制成膜条件之控制部。

3. 发明专利

TW200306625A 電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW200306625A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW091137526
申请日：2002-12-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤本究 , 丁載榮 , 布瀨曉志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：本發明之技術課題，是在蝕刻含矽膜(阻障層)上的絕緣膜後，若灰化絕緣膜上的抗蝕劑，則於蝕刻步驟中所形成而附著於處理容器內的物件(零件)之副生成物，會在阻障層上產生活性反應物質(游離氟：fluorineradical)，而使阻障層被蝕刻。本發明電漿處理方法之解決課題的手段，是在蝕刻阻障層上的絕緣膜後，在灰化抗蝕劑前，先進行處理容器內的清除。此外，在不同的處理容器內，分別進行阻障層上絕緣膜的蝕刻和光抗蝕劑(photoresist)的灰化。又，以氮(N2)中添加有少量氫(H2)的氣體電漿，來進行抗蝕劑的灰化。
简体摘要：本发明之技术课题，是在蚀刻含硅膜(阻障层)上的绝缘膜后，若灰化绝缘膜上的抗蚀剂，则于蚀刻步骤中所形成而附着于处理容器内的对象(零件)之副生成物，会在阻障层上产生活性反应物质(游离氟：fluorineradical)，而使阻障层被蚀刻。本发明等离子处理方法之解决课题的手段，是在蚀刻阻障层上的绝缘膜后，在灰化抗蚀剂前，雪铁龙行处理容器内的清除。此外，在不同的处理容器内，分别进行阻障层上绝缘膜的蚀刻和光抗蚀剂(photoresist)的灰化。又，以氮(N2)中添加有少量氢(H2)的气体等离子，来进行抗蚀剂的灰化。

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