专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI692796B 載置台及電漿處理裝置有权
简体标题：载置台及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI692796B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW104143399
申请日：2015-12-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：南雅人 , MINAMI, MASATO , 佐佐木芳彦 , SASAKI, YOSHIHIKO , 邊見篤 , HEMMI, ATSUSHI , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/509 , C23C16/458 , H01L21/683

2. 发明专利

TW201921483A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201921483A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107121413
申请日：2018-06-22
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：南雅人 , MINAMI, MASATO , 佐佐木芳彦 , SASAKI, YOSHIHIKO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI , 町山 , MACHIYAMA, WATARU
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/458
摘要： [課題] 提供對複數被處理基板同時進行電漿處理之時，能夠抑制對載置被處理基板之電極部施加高頻電力而對周圍之構件所造成的影響之電漿處理裝置。　　[解決手段] 電漿處理裝置(1)藉由電漿形成部(31)將被供給至處理空間之處理氣體予以電漿化，施加高頻電力之第1電極部(41a)構成用以載置一被處理基板(G)之第1基板載置面(51)。再者，施加高頻電力之金屬製之第2電極部(41b)被設置在與上述第1電極部(41a)間隔開而相鄰的位置，構成用以載置其他被處理基板之第2基板載置面(52)。在包圍第1、第2基板載置面(51、52)之雙方之周圍的位置，於設置陶瓷製之環部，該位置之環部(6)之下面側，設置有介電質構件(44)，該介電質構件(44)係由介電質係數較上述陶瓷低的介電質所構成。
简体摘要： [课题] 提供对复数被处理基板同时进行等离子处理之时，能够抑制对载置被处理基板之电极部施加高频电力而对周围之构件所造成的影响之等离子处理设备。　　[解决手段] 等离子处理设备(1)借由等离子形成部(31)将被供给至处理空间之处理气体予以等离子化，施加高频电力之第1电极部(41a)构成用以载置一被处理基板(G)之第1基板载置面(51)。再者，施加高频电力之金属制之第2电极部(41b)被设置在与上述第1电极部(41a)间隔开而相邻的位置，构成用以载置其他被处理基板之第2基板载置面(52)。在包围第1、第2基板载置面(51、52)之双方之周围的位置，于设置陶瓷制之环部，该位置之环部(6)之下面侧，设置有介电质构件(44)，该介电质构件(44)系由介电质系数较上述陶瓷低的介电质所构成。

3. 发明专利

TWI634585B 電漿處理裝置及電漿分布調整方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子分布调整方法
公开(公告)号：TWI634585B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW103122763
申请日：2014-07-02
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 古屋敦城 , FURUYA, ATSUKI , 內藤啟 , NAITO, HAJIME
IPC分类号： H01J37/32

4. 发明专利

TW201812885A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201812885A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106119836
申请日：2017-06-14
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：里吉務 , SATOYOSHI, TSUTOMU , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：提供一種技術：對於矩形之被處理基板之外周側的區域，朝向周方向進行更均勻的電漿處理。電漿處理裝置(1)，係對矩形的被處理基板(G)，執行在陰極電極(13)與矩形的陽極電極部(3)之間所形成之處理氣體的電容耦合電漿(P)所致之電漿處理。此時，陽極電極部(3)，係朝向徑方向被分割成複數個徑方向分割電極(34)、(33)、(32)，外周側的徑方向分割電極(32)，係進一步被分割成角部側之角部分割電極(32b)與邊部側之邊部分割電極(32a)。在該些角部分割電極(32b)與邊部分割電極(32a)之至少一方的接地端(104)側，係設置有阻抗調整部(52)、(51)。
简体摘要：提供一种技术：对于矩形之被处理基板之外周侧的区域，朝向周方向进行更均匀的等离子处理。等离子处理设备(1)，系对矩形的被处理基板(G)，运行在阴极电极(13)与矩形的阳极电极部(3)之间所形成之处理气体的电容耦合等离子(P)所致之等离子处理。此时，阳极电极部(3)，系朝向径方向被分割成复数个径方向分割电极(34)、(33)、(32)，外周侧的径方向分割电极(32)，系进一步被分割成角部侧之角部分割电极(32b)与边部侧之边部分割电极(32a)。在该些角部分割电极(32b)与边部分割电极(32a)之至少一方的接地端(104)侧，系设置有阻抗调整部(52)、(51)。

5. 发明专利

TWI547214B 天線單元及感應耦合電漿處理裝置有权
简体标题：天线单元及感应耦合等离子处理设备
公开(公告)号：TWI547214B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW100131928
申请日：2011-09-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤亮 , SATO, RYO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/505

6. 发明专利

TW201306671A 感應耦合電漿用天線單元、以及感應耦合電漿處理裝置审中-公开
简体标题：感应耦合等离子用天线单元、以及感应耦合等离子处理设备
公开(公告)号：TW201306671A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101120288
申请日：2012-06-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤亮 , SATO, RYO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
摘要：為了提供可進行矩形基板之外側區域的電漿分布控制之感應耦合電漿用天線單元。天線單元(50)之天線(13)，形成感應電場的部分全體是構成與矩形基板(G)對應的矩形狀平面，且具有將複數根天線用線捲繞成漩渦狀而構成之第1天線部(13a)及第2天線部(13b)；第1天線部(13a)之複數根天線用線，是形成矩形狀平面之4個角部，且在與矩形狀平面不同的位置將4個角部結合；第2天線部(13b)之複數根天線用線，是形成矩形狀平面之4邊的中央部，且在與矩形狀平面不同的位置將4邊的中央部結合。
简体摘要：为了提供可进行矩形基板之外侧区域的等离子分布控制之感应耦合等离子用天线单元。天线单元(50)之天线(13)，形成感应电场的部分全体是构成与矩形基板(G)对应的矩形状平面，且具有将复数根天线用线卷绕成漩涡状而构成之第1天线部(13a)及第2天线部(13b)；第1天线部(13a)之复数根天线用线，是形成矩形状平面之4个角部，且在与矩形状平面不同的位置将4个角部结合；第2天线部(13b)之复数根天线用线，是形成矩形状平面之4边的中央部，且在与矩形状平面不同的位置将4边的中央部结合。

7. 发明专利

TWI600048B 感應耦合電漿處理裝置有权
简体标题：感应耦合等离子处理设备
公开(公告)号：TWI600048B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW102140490
申请日：2013-11-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 里吉務 , SATOYOSHI, TSUTOMU , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 古屋敦城 , FURUYA, ATSUKI , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H01J37/32

8. 发明专利

TW201511076A 電漿處理裝置及電漿分布調整方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子分布调整方法
公开(公告)号：TW201511076A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103122763
申请日：2014-07-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 古屋敦城 , FURUYA, ATSUKI , 內藤啟 , NAITO, HAJIME
IPC分类号： H01J37/32
摘要：提供一種抑制因電漿之金屬窗濺射切削並可調整電漿強度分布的感應耦合型電漿處理裝置。將基板電漿處理之電漿處理裝置係具備：讓感應耦合電漿產生在電漿產生區域的高頻天線；以及配置於電漿產生區域與高頻天線之間，並與本體容器絕緣的金屬窗。金屬窗係具有利用絕緣體而相互絕緣的複數個金屬窗，該等金屬窗係分別以1點的接地點來接地。
简体摘要：提供一种抑制因等离子之金属窗溅射切削并可调整等离子强度分布的感应耦合型等离子处理设备。将基板等离子处理之等离子处理设备系具备：让感应耦合等离子产生在等离子产生区域的高频天线；以及配置于等离子产生区域与高频天线之间，并与本体容器绝缘的金属窗。金属窗系具有利用绝缘体而相互绝缘的复数个金属窗，该等金属窗系分别以1点的接地点来接地。

9. 发明专利

TWI413164B 傳熱氣體供給機構及傳熱氣體供給方法，以及基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：传热气体供给机构及传热气体供给方法，以及基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI413164B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW096135499
申请日：2007-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤亮 , SATO, RYO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/67

10. 发明专利

TW201637065A 載置台及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：载置台及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201637065A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104143399
申请日：2015-12-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：南雅人 , MINAMI, MASATO , 佐佐木芳彦 , SASAKI, YOSHIHIKO , 邊見篤 , HEMMI, ATSUSHI , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/509 , C23C16/458 , H01L21/683
摘要：在具備有進行電漿處理時所使用之聚焦環(6) 的載置台(2)中，抑制起因於垂直方向之電場之聚焦環(6)的削去，而降低微粒。將載置有玻璃基板(G)之載置台本體(2)設成為從側周面呈平坦柱狀的構造，並在聚焦環(6)之下方側，以包圍載置台本體(2)且接觸於載置台本體(2)之側周面的方式，設置側部絕緣構件(31)。因此，由於在聚焦環(6)的正下方，係不存在有載置台本體(2)，因此，在聚焦環(6)不會產生垂直方向的電場，而可抑制聚焦環(6)之削去。又，使側部絕緣構件(31)壓接於下部電極(20)的側周面，並使補助絕緣構件(32)壓接於絕緣間隔物構件(28)，並且將側部絕緣構件(31)與補助絕緣構件(32)的間隙設成為曲徑構造，藉此可抑制異常放電。
简体摘要：在具备有进行等离子处理时所使用之聚焦环(6) 的载置台(2)中，抑制起因于垂直方向之电场之聚焦环(6)的削去，而降低微粒。将载置有玻璃基板(G)之载置台本体(2)设成为从侧周面呈平坦柱状的构造，并在聚焦环(6)之下方侧，以包围载置台本体(2)且接触于载置台本体(2)之侧周面的方式，设置侧部绝缘构件(31)。因此，由于在聚焦环(6)的正下方，系不存在有载置台本体(2)，因此，在聚焦环(6)不会产生垂直方向的电场，而可抑制聚焦环(6)之削去。又，使侧部绝缘构件(31)压接于下部电极(20)的侧周面，并使补助绝缘构件(32)压接于绝缘间隔物构件(28)，并且将侧部绝缘构件(31)与补助绝缘构件(32)的间隙设成为曲径构造，借此可抑制异常放电。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式