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1. 发明专利

TW201246326A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201246326A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101100073
申请日：2012-01-02
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小田桐正彌 , 戶澤茂樹 , 宇賀神肇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67173 , H01L21/67017 , H01L21/6719 , Y10T137/8593
摘要：本發明提供一種基板處理裝置，其可使基板上之氣流均勻化而均勻地對基板進行處理。本發明提供之基板處理裝置係具有處理基板之可減壓之處理腔室者，且包括：基板載置台，其載置基板；擋板，其以將上述處理腔室之內部分隔為處理空間與排氣空間之方式設置於上述基板載置台之周圍；以及排氣口，對上述處理腔室之內部進行排氣；且於上述基板載置台與上述擋板之間設置有間隙，並於上述擋板形成有使上述處理空間與上述排氣空間連通之複數個連通孔。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备，其可使基板上之气流均匀化而均匀地对基板进行处理。本发明提供之基板处理设备系具有处理基板之可减压之处理腔室者，且包括：基板载置台，其载置基板；挡板，其以将上述处理腔室之内部分隔为处理空间与排气空间之方式设置于上述基板载置台之周围；以及排气口，对上述处理腔室之内部进行排气；且于上述基板载置台与上述挡板之间设置有间隙，并于上述挡板形成有使上述处理空间与上述排气空间连通之复数个连通孔。

2. 发明专利

TW201816885A 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻系統审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法及等离子蚀刻系统
公开(公告)号：TW201816885A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125698
申请日：2017-07-31
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：齊藤英樹 , SAITOH, HIDEKI , 松井久 , MATSUI, HISASHI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： [課題]提供於以含氯氣體電漿蝕刻Ti/Al/Ti疊層膜而形成源極電極及汲極電極之時，可以抑制微粒之產生，再者，可以抑制基底之氧化物半導體膜之損失的技術。　　[解決手段]在第1電漿蝕刻裝置，使用含氯氣體對Ti/Al/Ti疊層膜之上層Ti膜及Al膜進行第1電漿蝕刻，接著，在第2電漿蝕刻裝置，使用含氟氣體對Ti/Al/Ti疊層膜之下層Ti膜進行第2電漿蝕刻，接著，藉由第2電漿蝕刻裝置，使用O2氣體之電漿或O2氣體及含氟氣體之電漿，進行用以抑制腐蝕之後處理。
简体摘要： [课题]提供于以含氯气体等离子蚀刻Ti/Al/Ti叠层膜而形成源极电极及汲极电极之时，可以抑制微粒之产生，再者，可以抑制基底之氧化物半导体膜之损失的技术。　　[解决手段]在第1等离子蚀刻设备，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜之上层Ti膜及Al膜进行第1等离子蚀刻，接着，在第2等离子蚀刻设备，使用含氟气体对Ti/Al/Ti叠层膜之下层Ti膜进行第2等离子蚀刻，接着，借由第2等离子蚀刻设备，使用O2气体之等离子或O2气体及含氟气体之等离子，进行用以抑制腐蚀之后处理。

3. 发明专利

TW201225177A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201225177A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100127317
申请日：2011-08-02
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：宇賀神肇 , 戶澤茂樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/302 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , H01L21/76224 , H01L21/76283 , H01L27/11521 , H01L29/66825 , H01L29/66833
摘要：本發明關於一種基板處理方法及基板處理裝置,其目的在於藉由化學性去除處理來有效地去除Si系膜。該基板處理方法係去除處理室內所收納之基板表面的Si系膜,而進行以下步驟:第1步驟,係於處理室內藉由含有鹵素元素之氣體與鹼性氣體,來使基板表面的Si系膜改質成反應生成物;以及第2步驟,係於較第1步驟要減壓之處理室內使反應生成物氣化;其中第1步驟與第2步驟係重複2次以上。藉由重複2次以上第1步驟S1與第2步驟S2,可提高Si系膜的去除率,從而提高生產性。
简体摘要：本发明关于一种基板处理方法及基板处理设备,其目的在于借由化学性去除处理来有效地去除Si系膜。该基板处理方法系去除处理室内所收纳之基板表面的Si系膜,而进行以下步骤:第1步骤,系于处理室内借由含有卤素元素之气体与碱性气体,来使基板表面的Si系膜改质成反应生成物;以及第2步骤,系于较第1步骤要减压之处理室内使反应生成物气化;其中第1步骤与第2步骤系重复2次以上。借由重复2次以上第1步骤S1与第2步骤S2,可提高Si系膜的去除率,从而提高生产性。

4. 发明专利

TW201836005A 電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置及基板載置台审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法、等离子蚀刻设备及基板载置台
公开(公告)号：TW201836005A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106122062
申请日：2017-06-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木芳彦 , SASAKI, YOSHIHIKO , 南雅人 , MINAMI, MASATO , 藤永元毅 , FUJINAGA, MOTOKI , 神戶喬史 , KAMBE, TAKAFUMI , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：提供可以導入乾洗淨，且可以延長處理容器之維修週期的電漿蝕刻方法。一種藉由電漿蝕刻裝置對被形成基板之特定膜進行電漿蝕刻之電漿蝕刻方法，具有：在電漿蝕刻裝置的電漿蝕刻處理中，選定處理氣體，以使被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨的工程；在電漿蝕刻裝置中，對特定膜，使用事先被選定之處理氣體而進行電漿蝕刻處理的工程；於將進行電漿蝕刻處理之工程進行一次或兩次以上之特定次數之後，藉由乾洗淨氣體之電漿，將電漿蝕刻裝置之腔室內予以乾洗淨的工程。
简体摘要：提供可以导入干洗净，且可以延长处理容器之维修周期的等离子蚀刻方法。一种借由等离子蚀刻设备对被形成基板之特定膜进行等离子蚀刻之等离子蚀刻方法，具有：在等离子蚀刻设备的等离子蚀刻处理中，选定处理气体，以使被生成之反应生成物成为能够干洗净的工程；在等离子蚀刻设备中，对特定膜，使用事先被选定之处理气体而进行等离子蚀刻处理的工程；于将进行等离子蚀刻处理之工程进行一次或两次以上之特定次数之后，借由干洗净气体之等离子，将等离子蚀刻设备之腔室内予以干洗净的工程。

5. 发明专利

TWI458010B 蝕刻方法、蝕刻系統及記錄媒體有权
简体标题：蚀刻方法、蚀刻系统及记录媒体
公开(公告)号：TWI458010B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW099107931
申请日：2010-03-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/02063 , H01L21/3065 , H01L21/67069

6. 发明专利

TWI647762B 電漿處理裝置、薄膜電晶體之製造方法及記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备、薄膜晶体管之制造方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI647762B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW104106667
申请日：2015-03-03
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤永元毅 , FUJINAGA, MOTOKI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L29/786 , H01J37/32

7. 发明专利

TW201546901A 電漿處理裝置、薄膜電晶體之製造方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：等离子处理设备、薄膜晶体管之制造方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201546901A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104106667
申请日：2015-03-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤永元毅 , FUJINAGA, MOTOKI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L29/786 , H01J37/32
摘要：提供一種可在薄膜電晶體之製造工程中，一邊抑制侵蝕之發生，一邊將包含有鋁之電極圖案化的電漿處理裝置。電漿處理裝置(2)，係對形成有薄膜電晶體(4a、4b)的基板(F)執行電漿處理，進行前述電漿處理的處理容器(21)，係具備載置有基板(F)的載置台(231)。真空排氣部(214)，係進行處理容器(21)內之真空排氣，且從氫氣供給部(262)供給作為電漿產生用氣體的氫氣。電漿產生部(24)，係將前述電漿產生用氣體電漿化，在包含有鋁之金屬膜的上層側，形成有已被圖案化之光阻膜，且藉由包含有氯的蝕刻氣體，來進行前述金屬膜被蝕刻處理之基板的處理。
简体摘要：提供一种可在薄膜晶体管之制造工程中，一边抑制侵蚀之发生，一边将包含有铝之电极图案化的等离子处理设备。等离子处理设备(2)，系对形成有薄膜晶体管(4a、4b)的基板(F)运行等离子处理，进行前述等离子处理的处理容器(21)，系具备载置有基板(F)的载置台(231)。真空排气部(214)，系进行处理容器(21)内之真空排气，且从氢气供给部(262)供给作为等离子产生用气体的氢气。等离子产生部(24)，系将前述等离子产生用气体等离子化，在包含有铝之金属膜的上层侧，形成有已被图案化之光阻膜，且借由包含有氯的蚀刻气体，来进行前述金属膜被蚀刻处理之基板的处理。

8. 发明专利

TWI483300B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI483300B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101100073
申请日：2012-01-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小田桐正彌 , ODAGIRI, MASAYA , 戶澤茂樹 , TOZAWA, SHIGEKI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67173 , H01L21/67017 , H01L21/6719 , Y10T137/8593

9. 发明专利

TWI436421B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI436421B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW100127317
申请日：2011-08-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME , 戶澤茂樹 , TOZAWA, SHIGEKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/302 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , H01L21/76224 , H01L21/76283 , H01L27/11521 , H01L29/66825 , H01L29/66833

10. 发明专利

TW201108323A 基板之蝕刻方法及系統有权
简体标题：基板之蚀刻方法及系统
公开(公告)号：TW201108323A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099107931
申请日：2010-03-18
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：宇賀神肇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/02063 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要：本發明關於一種蝕刻方法、蝕刻系統及記錄媒體,所提供之該蝕刻方法可在對矽表面上形成有矽氧化膜的基板進行蝕刻之方法中降低接觸電阻,其中係供給含有鹵素之氣體和鹼性氣體至基板上,並使含有鹵素之氣體和鹼性氣體產生化學反應而在矽氧化膜處形成凝聚層,來對矽氧化膜進行蝕刻;供給至少含有一種自F2氣體、XeF2氣體及ClF3氣體的群組中所選出之矽蝕刻氣體至基板上,並利用矽蝕刻氣體來對基板上的矽進行蝕刻;矽氧化膜的蝕刻和矽的蝕刻後,加熱以去除基板上的凝聚層。
简体摘要：本发明关于一种蚀刻方法、蚀刻系统及记录媒体,所提供之该蚀刻方法可在对硅表面上形成有硅氧化膜的基板进行蚀刻之方法中降低接触电阻,其中系供给含有卤素之气体和碱性气体至基板上,并使含有卤素之气体和碱性气体产生化学反应而在硅氧化膜处形成凝聚层,来对硅氧化膜进行蚀刻;供给至少含有一种自F2气体、XeF2气体及ClF3气体的群组中所选出之硅蚀刻气体至基板上,并利用硅蚀刻气体来对基板上的硅进行蚀刻;硅氧化膜的蚀刻和硅的蚀刻后,加热以去除基板上的凝聚层。

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