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1. 发明专利

TW201816885A 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻系統审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法及等离子蚀刻系统
公开(公告)号：TW201816885A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125698
申请日：2017-07-31
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：齊藤英樹 , SAITOH, HIDEKI , 松井久 , MATSUI, HISASHI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： [課題]提供於以含氯氣體電漿蝕刻Ti/Al/Ti疊層膜而形成源極電極及汲極電極之時，可以抑制微粒之產生，再者，可以抑制基底之氧化物半導體膜之損失的技術。　　[解決手段]在第1電漿蝕刻裝置，使用含氯氣體對Ti/Al/Ti疊層膜之上層Ti膜及Al膜進行第1電漿蝕刻，接著，在第2電漿蝕刻裝置，使用含氟氣體對Ti/Al/Ti疊層膜之下層Ti膜進行第2電漿蝕刻，接著，藉由第2電漿蝕刻裝置，使用O2氣體之電漿或O2氣體及含氟氣體之電漿，進行用以抑制腐蝕之後處理。
简体摘要： [课题]提供于以含氯气体等离子蚀刻Ti/Al/Ti叠层膜而形成源极电极及汲极电极之时，可以抑制微粒之产生，再者，可以抑制基底之氧化物半导体膜之损失的技术。　　[解决手段]在第1等离子蚀刻设备，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜之上层Ti膜及Al膜进行第1等离子蚀刻，接着，在第2等离子蚀刻设备，使用含氟气体对Ti/Al/Ti叠层膜之下层Ti膜进行第2等离子蚀刻，接着，借由第2等离子蚀刻设备，使用O2气体之等离子或O2气体及含氟气体之等离子，进行用以抑制腐蚀之后处理。

2. 发明专利

TW201836005A 電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置及基板載置台审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法、等离子蚀刻设备及基板载置台
公开(公告)号：TW201836005A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106122062
申请日：2017-06-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木芳彦 , SASAKI, YOSHIHIKO , 南雅人 , MINAMI, MASATO , 藤永元毅 , FUJINAGA, MOTOKI , 神戶喬史 , KAMBE, TAKAFUMI , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：提供可以導入乾洗淨，且可以延長處理容器之維修週期的電漿蝕刻方法。一種藉由電漿蝕刻裝置對被形成基板之特定膜進行電漿蝕刻之電漿蝕刻方法，具有：在電漿蝕刻裝置的電漿蝕刻處理中，選定處理氣體，以使被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨的工程；在電漿蝕刻裝置中，對特定膜，使用事先被選定之處理氣體而進行電漿蝕刻處理的工程；於將進行電漿蝕刻處理之工程進行一次或兩次以上之特定次數之後，藉由乾洗淨氣體之電漿，將電漿蝕刻裝置之腔室內予以乾洗淨的工程。
简体摘要：提供可以导入干洗净，且可以延长处理容器之维修周期的等离子蚀刻方法。一种借由等离子蚀刻设备对被形成基板之特定膜进行等离子蚀刻之等离子蚀刻方法，具有：在等离子蚀刻设备的等离子蚀刻处理中，选定处理气体，以使被生成之反应生成物成为能够干洗净的工程；在等离子蚀刻设备中，对特定膜，使用事先被选定之处理气体而进行等离子蚀刻处理的工程；于将进行等离子蚀刻处理之工程进行一次或两次以上之特定次数之后，借由干洗净气体之等离子，将等离子蚀刻设备之腔室内予以干洗净的工程。

3. 发明专利

TWI647762B 電漿處理裝置、薄膜電晶體之製造方法及記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备、薄膜晶体管之制造方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI647762B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW104106667
申请日：2015-03-03
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤永元毅 , FUJINAGA, MOTOKI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L29/786 , H01J37/32

4. 发明专利

TWI436421B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI436421B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW100127317
申请日：2011-08-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME , 戶澤茂樹 , TOZAWA, SHIGEKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/302 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , H01L21/76224 , H01L21/76283 , H01L27/11521 , H01L29/66825 , H01L29/66833

5. 发明专利

TWI458010B 蝕刻方法、蝕刻系統及記錄媒體有权
简体标题：蚀刻方法、蚀刻系统及记录媒体
公开(公告)号：TWI458010B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW099107931
申请日：2010-03-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/02063 , H01L21/3065 , H01L21/67069

6. 发明专利

TW201546901A 電漿處理裝置、薄膜電晶體之製造方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：等离子处理设备、薄膜晶体管之制造方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201546901A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104106667
申请日：2015-03-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤永元毅 , FUJINAGA, MOTOKI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L29/786 , H01J37/32
摘要：提供一種可在薄膜電晶體之製造工程中，一邊抑制侵蝕之發生，一邊將包含有鋁之電極圖案化的電漿處理裝置。電漿處理裝置(2)，係對形成有薄膜電晶體(4a、4b)的基板(F)執行電漿處理，進行前述電漿處理的處理容器(21)，係具備載置有基板(F)的載置台(231)。真空排氣部(214)，係進行處理容器(21)內之真空排氣，且從氫氣供給部(262)供給作為電漿產生用氣體的氫氣。電漿產生部(24)，係將前述電漿產生用氣體電漿化，在包含有鋁之金屬膜的上層側，形成有已被圖案化之光阻膜，且藉由包含有氯的蝕刻氣體，來進行前述金屬膜被蝕刻處理之基板的處理。
简体摘要：提供一种可在薄膜晶体管之制造工程中，一边抑制侵蚀之发生，一边将包含有铝之电极图案化的等离子处理设备。等离子处理设备(2)，系对形成有薄膜晶体管(4a、4b)的基板(F)运行等离子处理，进行前述等离子处理的处理容器(21)，系具备载置有基板(F)的载置台(231)。真空排气部(214)，系进行处理容器(21)内之真空排气，且从氢气供给部(262)供给作为等离子产生用气体的氢气。等离子产生部(24)，系将前述等离子产生用气体等离子化，在包含有铝之金属膜的上层侧，形成有已被图案化之光阻膜，且借由包含有氯的蚀刻气体，来进行前述金属膜被蚀刻处理之基板的处理。

7. 发明专利

TWI483300B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI483300B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101100073
申请日：2012-01-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小田桐正彌 , ODAGIRI, MASAYA , 戶澤茂樹 , TOZAWA, SHIGEKI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67173 , H01L21/67017 , H01L21/6719 , Y10T137/8593

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