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1. 发明专利

TW201841250A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201841250A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107100435
申请日：2018-01-05
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松井久 , MATSUI, HISASHI , 齊藤英樹 , SAITOH, HIDEKI , 片桐崇良 , KATAGIRI, TAKAYOSHI , 窪田真樹 , KUBOTA, MASAKI , 冨山和哉 , TOMIYAMA, KAZUYA
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H01J37/32
摘要： [課題]提供能夠邊使用共同處理氣體原料供給部，邊對複數氣體噴淋頭部之每一個調整處理氣體之成分的電漿處理裝置。　　[解決手段]在對被處理基板(G)實行電漿處理之電漿處理裝置(1)中，在對收容有載置被處理基板(G)之載置台(13)的處理空間(100)，進行第1、第2處理氣體原料之供給的第1、第2處理氣體原料供給部(4a、4b)，各設置有第1、第2供給流量調節部(41a、41b)，並且，對複數氣體噴淋頭部(30a～30d)，分配該些第1、第2處理氣體原料的複數第1、第2分配流路(401、402)，也各設置第1、第2分配流量調節部(421a～424a、421b～424b)。
简体摘要： [课题]提供能够边使用共同处理气体原料供给部，边对复数气体喷淋头部之每一个调整处理气体之成分的等离子处理设备。　　[解决手段]在对被处理基板(G)实行等离子处理之等离子处理设备(1)中，在对收容有载置被处理基板(G)之载置台(13)的处理空间(100)，进行第1、第2处理气体原料之供给的第1、第2处理气体原料供给部(4a、4b)，各设置有第1、第2供给流量调节部(41a、41b)，并且，对复数气体喷淋头部(30a～30d)，分配该些第1、第2处理气体原料的复数第1、第2分配流路(401、402)，也各设置第1、第2分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。

2. 发明专利

TW201816885A 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻系統审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法及等离子蚀刻系统
公开(公告)号：TW201816885A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125698
申请日：2017-07-31
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：齊藤英樹 , SAITOH, HIDEKI , 松井久 , MATSUI, HISASHI , 宇賀神肇 , UGAJIN, HAJIME
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： [課題]提供於以含氯氣體電漿蝕刻Ti/Al/Ti疊層膜而形成源極電極及汲極電極之時，可以抑制微粒之產生，再者，可以抑制基底之氧化物半導體膜之損失的技術。　　[解決手段]在第1電漿蝕刻裝置，使用含氯氣體對Ti/Al/Ti疊層膜之上層Ti膜及Al膜進行第1電漿蝕刻，接著，在第2電漿蝕刻裝置，使用含氟氣體對Ti/Al/Ti疊層膜之下層Ti膜進行第2電漿蝕刻，接著，藉由第2電漿蝕刻裝置，使用O2氣體之電漿或O2氣體及含氟氣體之電漿，進行用以抑制腐蝕之後處理。
简体摘要： [课题]提供于以含氯气体等离子蚀刻Ti/Al/Ti叠层膜而形成源极电极及汲极电极之时，可以抑制微粒之产生，再者，可以抑制基底之氧化物半导体膜之损失的技术。　　[解决手段]在第1等离子蚀刻设备，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜之上层Ti膜及Al膜进行第1等离子蚀刻，接着，在第2等离子蚀刻设备，使用含氟气体对Ti/Al/Ti叠层膜之下层Ti膜进行第2等离子蚀刻，接着，借由第2等离子蚀刻设备，使用O2气体之等离子或O2气体及含氟气体之等离子，进行用以抑制腐蚀之后处理。

3. 发明专利

TWI619166B 真空裝置及閥控制方法有权
简体标题：真空设备及阀控制方法
公开(公告)号：TWI619166B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103112995
申请日：2014-04-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 斉藤英樹 , SAITOH, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/3065

4. 发明专利

TW201511125A 真空裝置及閥控制方法审中-公开
简体标题：真空设备及阀控制方法
公开(公告)号：TW201511125A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103112995
申请日：2014-04-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 斉藤英樹 , SAITOH, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明之目的，係提供一種可對應到以大流量使用處理氣體之製程的真空裝置。電漿處理裝置(100)，係在連接於處理容器(1)之排氣管(53)中的4根第1排氣管(53A)中，將APC閥(55A)設定為開合度300(30%)，在剩餘的4根第2排氣管(53B)中，將APC閥(55B)設定為開合度1000(100%)。藉此，如曲線C所示，在將APC閥(55)之開合度設定為300時的曲線A與將APC閥(55)之開合度設定為1000時的曲線B之間，可在處理容器(1)內進行壓力控制與處理氣體的流量控制。相較於曲線A，即使在相同的壓力P1下，曲線C亦能夠對更大流量的處理氣體進行排氣(Q1
简体摘要：本发明之目的，系提供一种可对应到以大流量使用处理气体之制程的真空设备。等离子处理设备(100)，系在连接于处理容器(1)之排气管(53)中的4根第1排气管(53A)中，将APC阀(55A)设置为开合度300(30%)，在剩余的4根第2排气管(53B)中，将APC阀(55B)设置为开合度1000(100%)。借此，如曲线C所示，在将APC阀(55)之开合度设置为300时的曲线A与将APC阀(55)之开合度设置为1000时的曲线B之间，可在处理容器(1)内进行压力控制与处理气体的流量控制。相较于曲线A，即使在相同的压力P1下，曲线C亦能够对更大流量的处理气体进行排气(Q1

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