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1. 发明专利

TWI384231B 電壓暫態偵測電路有权
简体标题：电压暂态侦测电路
公开(公告)号：TWI384231B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW098119569
申请日：2009-06-11
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：柯明道 , KER, MING DOU , 陳穩義 , CHEN, WEN YI , 姜信欽 , JIANG, HSIN CHIN
IPC分类号： G01R19/155 , H02H3/22
CPC分类号： H02H9/046 , H02H1/0007

2. 发明专利

TW200941721A 雙向ＰＮＰＮ矽控整流器审中-公开
简体标题：双向ＰＮＰＮ硅控整流器
公开(公告)号：TW200941721A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097117513
申请日：2008-05-13
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：陳穩義 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種雙向PNPN矽控整流器，其包含有一P型基底；一N型磊晶層，其內包含有一P型井與分設於P型井側邊的兩N型井；一第一半導體區、各位於第一半導體區側邊的一第二半導體區與一第三半導體區，其皆係位於該P型井內，並連接至一陽極，其中第一半導體區為第一導電型，第二半導體區與第三半導體區皆為第二導電型；以及二P型摻雜區，其係各位於N型井內，每一P型摻雜區內包含有一鄰近於P型井且皆連接至一陰極的第四半導體區與一第五半導體區，而第四半導體區為第二導電型，第五半導體區為第一導電型。
简体摘要：本发明提供一种双向PNPN硅控整流器，其包含有一P型基底；一N型磊晶层，其内包含有一P型井与分设于P型井侧边的两N型井；一第一半导体区、各位于第一半导体区侧边的一第二半导体区与一第三半导体区，其皆系位于该P型井内，并连接至一阳极，其中第一半导体区为第一导电型，第二半导体区与第三半导体区皆为第二导电型；以及二P型掺杂区，其系各位于N型井内，每一P型掺杂区内包含有一邻近于P型井且皆连接至一阴极的第四半导体区与一第五半导体区，而第四半导体区为第二导电型，第五半导体区为第一导电型。

3. 发明专利

TWI379084B 系統層級的靜電放電偵測電路 SYSTEM-LEVEL ESD DETECTION CIRCUIT 有权
简体标题：系统层级的静电放电侦测电路 SYSTEM-LEVEL ESD DETECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TWI379084B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW097135222
申请日：2008-09-12
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 陳穩義 , 姜信欽
IPC分类号： G01R , H05F
摘要：本發明提供一種靜電放電偵測電路，用以偵測在一電源線上的靜電放電電壓之層級。該偵測電路包含一阻抗元件、一二極體單元以及一控制電路。該阻抗元件耦合在一偵測節點和對應於該電源線之一接地節點之間。該二極體單元耦合在該電源線和該偵測節點之間並順向朝向該電源線。該控制電路耦合至該偵測節點，基於該偵測節點的電壓和該二極體單元之崩潰電壓決定該靜電放電電壓之層級。
简体摘要：本发明提供一种静电放电侦测电路，用以侦测在一电源在线的静电放电电压之层级。该侦测电路包含一阻抗组件、一二极管单元以及一控制电路。该阻抗组件耦合在一侦测节点和对应于该电源线之一接地节点之间。该二极管单元耦合在该电源线和该侦测节点之间并顺向朝向该电源线。该控制电路耦合至该侦测节点，基于该侦测节点的电压和该二极管单元之崩溃电压决定该静电放电电压之层级。

4. 发明专利

TW201012070A 瞬變雜訊偵測電路 TRANSIENT NOISE DETECTION CIRCUIT 审中-公开
简体标题：瞬变噪声侦测电路 TRANSIENT NOISE DETECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TW201012070A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097135226
申请日：2008-09-12
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 姜信欽 , 陳穩義
IPC分类号： H03K
CPC分类号： G01R19/0053 , G01R19/04 , G01R29/26 , G01R31/002
摘要：本發明提供一種能偵測一瞬變雜訊電壓之位準的瞬變雜訊偵測電路。該瞬變雜訊偵測電路包含一觸發電路、一整流電路以及一控制器。該觸發電路被耦接於一電源線以及一接地節點之間。當該觸發電路接受一瞬變雜訊時，該觸發電路產生一觸發訊號。該整流電路包含相互串接之一整流單元以及一限流單元，當該整流單元接收到該觸發電路產生之該觸發訊號時，該整流單元將被該觸發訊號所觸發。該控制器被耦接至該整流單元以及該限流單元間之一偵測節點。該控制器係根據該偵測電路節點之電壓位準判斷反應與否。
简体摘要：本发明提供一种能侦测一瞬变噪声电压之位准的瞬变噪声侦测电路。该瞬变噪声侦测电路包含一触发电路、一整流电路以及一控制器。该触发电路被耦接于一电源线以及一接地节点之间。当该触发电路接受一瞬变噪声时，该触发电路产生一触发信号。该整流电路包含相互串接之一整流单元以及一限流单元，当该整流单元接收到该触发电路产生之该触发信号时，该整流单元将被该触发信号所触发。该控制器被耦接至该整流单元以及该限流单元间之一侦测节点。该控制器系根据该侦测电路节点之电压位准判断反应与否。

5. 发明专利

TWI381526B 雙向ＰＮＰＮ矽控整流器有权
简体标题：双向ＰＮＰＮ硅控整流器
公开(公告)号：TWI381526B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097117513
申请日：2008-05-13
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：陳穩義 , CHEN, WEN YI , 姜信欽 , RYAN HSIN-CHIN JIANG , 柯明道 , KER, MING DOU
IPC分类号： H01L29/747
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87

6. 发明专利

TW201107760A 系統層級的靜電放電偵測電路 SYSTEM-LEVEL ESD DETECTION CIRCUIT 审中-公开
简体标题：系统层级的静电放电侦测电路 SYSTEM-LEVEL ESD DETECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TW201107760A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW097135222
申请日：2008-09-12
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 陳穩義 , 姜信欽
IPC分类号： G01R , H05F
摘要：本發明提供一種靜電放電偵測電路，用以偵測在一電源線上的靜電放電電壓之層級。該偵測電路包含一阻抗元件、一二極體單元以及一控制電路。該阻抗元件耦合在一偵測節點和對應於該電源線之一接地節點之間。該二極體單元耦合在該電源線和該偵測節點之間並順向朝向該電源軌。該控制電路耦合至該偵測節點，基於該偵測節點的電壓和該二極體單元之崩潰電壓決定該靜電放電電壓之層級。
简体摘要：本发明提供一种静电放电侦测电路，用以侦测在一电源在线的静电放电电压之层级。该侦测电路包含一阻抗组件、一二极管单元以及一控制电路。该阻抗组件耦合在一侦测节点和对应于该电源线之一接地节点之间。该二极管单元耦合在该电源线和该侦测节点之间并顺向朝向该电源轨。该控制电路耦合至该侦测节点，基于该侦测节点的电压和该二极管单元之崩溃电压决定该静电放电电压之层级。

7. 发明专利

TW201043972A 電壓暫態偵測電路 VOLTAGE TRANSIENT DETECTING CIRCUIT 审中-公开
简体标题：电压暂态侦测电路 VOLTAGE TRANSIENT DETECTING CIRCUIT
公开(公告)号：TW201043972A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW098119569
申请日：2009-06-11
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 陳穩義 , 姜信欽
IPC分类号： G01R , H02H
CPC分类号： H02H9/046 , H02H1/0007
摘要：本發明揭露一種電壓暫態偵測電路,適用於一電子系統,電子系統包含高壓源線以及低壓源線。電壓暫態偵測電路包含至少一偵測電路以及一判斷模組。其中每一偵測電路分別包含P型電晶體及/或N型電晶體、電容器以及偵測節點。電晶體與電容器耦接,且偵測節點位於電晶體與電容器之間。判斷模組分別與每一偵測節點耦接,判斷模組判斷每一偵測節點之電壓準位並產生判斷結果。藉此,形成一電壓暫態偵測電路,電子系統可選擇性地根據電壓暫態偵測電路的判斷結果執行保護操作。
简体摘要：本发明揭露一种电压暂态侦测电路,适用于一电子系统,电子系统包含高压源线以及低压源线。电压暂态侦测电路包含至少一侦测电路以及一判断模块。其中每一侦测电路分别包含P型晶体管及/或N型晶体管、电容器以及侦测节点。晶体管与电容器耦接,且侦测节点位于晶体管与电容器之间。判断模块分别与每一侦测节点耦接,判断模块判断每一侦测节点之电压准位并产生判断结果。借此,形成一电压暂态侦测电路,电子系统可选择性地根据电压暂态侦测电路的判断结果运行保护操作。

8. 发明专利

TW201242011A 雙向矽控整流器 BIDIRECTIONAL SILICON-CONTROLLED RECTIFIER 审中-公开
简体标题：双向硅控整流器 BIDIRECTIONAL SILICON-CONTROLLED RECTIFIER
公开(公告)号：TW201242011A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101113240
申请日：2008-07-11
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：陳穩義 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0262 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種雙向矽控整流器,其係利用兩側具有浮置閘極之場氧化層結構、虛擬閘極或者虛擬主動區域,來取代傳統利用場氧化層來分隔陽極端結構與陰極端結構,藉此侷限或避免場氧化層之鳥嘴效應所產生的晶格缺陷對整流器運作所造成的電流集中及較高磁場等不良效果,並進而避免訊號的損失。
简体摘要：本发明提供一种双向硅控整流器,其系利用两侧具有浮置闸极之场氧化层结构、虚拟闸极或者虚拟主动区域,来取代传统利用场氧化层来分隔阳极端结构与阴极端结构,借此局限或避免场氧化层之鸟嘴效应所产生的晶格缺陷对整流器运作所造成的电流集中及较高磁场等不良效果,并进而避免信号的损失。

9. 发明专利

TW200945575A 雙向矽控整流器 BIDIRECTIONAL SILICON-CONTROLLED RECTIFIER 审中-公开
简体标题：双向硅控整流器 BIDIRECTIONAL SILICON-CONTROLLED RECTIFIER
公开(公告)号：TW200945575A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW097126331
申请日：2008-07-11
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：陳穩義 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0262 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種雙向矽控整流器，其係利用兩側具有浮置閘極之場氧化層結構、虛擬閘極或者虛擬主動區域，來取代傳統利用場氧化層來分隔陽極端結構與陰極端結構，藉此侷限或避免場氧化層之鳥嘴效應所產生的晶格缺陷對整流器運作所造成的電流集中及較高磁場等不良效果，並進而避免訊號的損失。
简体摘要：本发明提供一种双向硅控整流器，其系利用两侧具有浮置闸极之场氧化层结构、虚拟闸极或者虚拟主动区域，来取代传统利用场氧化层来分隔阳极端结构与阴极端结构，借此局限或避免场氧化层之鸟嘴效应所产生的晶格缺陷对整流器运作所造成的电流集中及较高磁场等不良效果，并进而避免信号的损失。

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