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1. 发明专利

TW200907979A 程式化非揮發記憶體的方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR PROGRAMMING NONVOLATILE MEMORY 审中-公开
简体标题：进程化非挥发内存的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR PROGRAMMING NONVOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TW200907979A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097130857
申请日：2008-08-13
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：呂函庭 LUE, HANG TING , 徐子軒 HSU, TZU HSUAN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5671 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3418 , G11C16/3427
摘要：本發明揭露一種非揮發記憶體,其具有執行一程式化操作之邏輯,此程式化操作控制一連串的程式化調整偏壓以程式化該記憶體陣列內至少一被選取且具有資料的記憶胞。此一連串的程式化調整偏壓包含送至該記憶胞的複數組變動閘極偏壓値。
简体摘要：本发明揭露一种非挥发内存,其具有运行一进程化操作之逻辑,此进程化操作控制一连串的进程化调整偏压以进程化该内存数组内至少一被选取且具有数据的记忆胞。此一连串的进程化调整偏压包含送至该记忆胞的复数组变动闸极偏压値。

2. 发明专利

TW200746364A 非揮發記憶體基板瞬時熱載體注射程式化和抹除方法 PROGRAM AND ERASE METHODS WITH SUBSTRATE TRANSIENT HOT CARRIER INJECTION IN A NON-VOLATILE MEMORY 审中-公开
简体标题：非挥发内存基板瞬时热载体注射进程化和抹除方法 PROGRAM AND ERASE METHODS WITH SUBSTRATE TRANSIENT HOT CARRIER INJECTION IN A NON-VOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TW200746364A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096112200
申请日：2007-04-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：徐子軒 HSU, TZU HSUAN , 吳昭誼 WU, CHAO I , 謝光宇 HSIEH, KUANG YEU , 金雅琴 KING, YA CHIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C16/0466
摘要：本發明描述一電荷捕捉記憶體之一程式化方法和一抹除方法,而該電荷捕捉記憶體藉著使用基板瞬時熱電子技術來進行程式化,以及基板瞬時熱電洞技術來進行抹除,並模擬反及閘(NAND)記憶體操作之富勒-諾得罕(FN)穿隧方法。本發明之方法可廣泛的應用在電荷捕捉記憶體上,包含n-通道或p-通道矽氧化氮化氧化矽(SONOS)型記憶體,帶隙加工矽氧化氮化氧化矽(BE-SONOS)型裝置和浮動閘極(FG)型記憶體。該電荷捕捉記憶體之程式化係使用一基板瞬時熱電子注射,而其本體偏壓(Vb)具有一短暫脈衝寬度,以及閘極偏壓(Vg)具有一足以將電子由通道區域移至電荷捕捉結構之脈衝寬度。
简体摘要：本发明描述一电荷捕捉内存之一进程化方法和一抹除方法,而该电荷捕捉内存借着使用基板瞬时热电子技术来进行进程化,以及基板瞬时热电洞技术来进行抹除,并仿真反及闸(NAND)内存操作之富勒-诺得罕(FN)穿隧方法。本发明之方法可广泛的应用在电荷捕捉内存上,包含n-信道或p-信道硅氧化氮化氧化硅(SONOS)型内存,带隙加工硅氧化氮化氧化硅(BE-SONOS)型设备和浮动闸极(FG)型内存。该电荷捕捉内存之进程化系使用一基板瞬时热电子注射,而其本体偏压(Vb)具有一短暂脉冲宽度,以及闸极偏压(Vg)具有一足以将电子由信道区域移至电荷捕捉结构之脉冲宽度。

3. 发明专利

TWI255547B 非揮發性記憶胞及其操作方法與非揮發性記憶體 NONVOLATILE MEMORY CELL AND OPERATION METHOD THEREOF AND NONVOLATILE MEMORY 有权
简体标题：非挥发性记忆胞及其操作方法与非挥发性内存 NONVOLATILE MEMORY CELL AND OPERATION METHOD THEREOF AND NONVOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TWI255547B
公开(公告)日：2006-05-21
申请号：TW093138085
申请日：2004-12-09
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：徐子軒 HSU, TZU HSUAN , 施彥豪 SHIH, YEN HAO
IPC分类号： H01L , G11C
摘要：一種非揮發性記憶胞，包括基底、電荷陷入層、控制閘極、第一導電態的源極、汲極與淺摻雜區以及第二導電態的口袋摻雜區。其中，電荷陷入層在基底上、控制閘極在電荷陷入層上，而在基底、電荷陷入層與控制閘極之間尚各有一介電層。而源極與汲極係分別於電荷陷入層兩側之基底中。淺摻雜區則位於源極與電荷陷入層之間的基底表面，以及口袋摻雜區是位於汲極與電荷陷入層之間的基底內。本發明由於具有不對稱且不同導電態的植入結構，因此可增加記憶胞之編程速度、防止鄰近記憶胞間的干擾，還可減少位元線選擇電晶體所佔用的額外面積。
简体摘要：一种非挥发性记忆胞，包括基底、电荷陷入层、控制闸极、第一导电态的源极、汲极与浅掺杂区以及第二导电态的口袋掺杂区。其中，电荷陷入层在基底上、控制闸极在电荷陷入层上，而在基底、电荷陷入层与控制闸极之间尚各有一介电层。而源极与汲极系分别于电荷陷入层两侧之基底中。浅掺杂区则位于源极与电荷陷入层之间的基底表面，以及口袋掺杂区是位于汲极与电荷陷入层之间的基底内。本发明由于具有不对称且不同导电态的植入结构，因此可增加记忆胞之编程速度、防止邻近记忆胞间的干扰，还可减少比特线选择晶体管所占用的额外面积。

4. 发明专利

TW200845311A 用以增强記憶裝置之保留特性的方法 HIGH TEMPERATURE METHODS FOR ENHANCING RETENTION CHARACTERISTICS OF MEMORY DEVICES 审中-公开
简体标题：用以增强记忆设备之保留特性的方法 HIGH TEMPERATURE METHODS FOR ENHANCING RETENTION CHARACTERISTICS OF MEMORY DEVICES
公开(公告)号：TW200845311A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096116343
申请日：2007-05-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：吳昭誼 WU, CHAO I , 徐子軒 HSU, TZU HSUAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/324 , G11C16/04 , G11C16/3454 , G11C29/06 , G11C29/50 , G11C29/50016 , H01L29/66833
摘要：本發明係經由執行一保留改善程序來改善一記憶裝置保留特性之方法。而該保留改善程序包含,一烘烤流程,將該記憶裝置安置於一高溫環境下;一確認流程,決定記憶裝置記憶胞的邏輯狀態;以及一重新程式化流程,經由在一0-狀態程式化記憶胞至一高臨界電壓狀態,而再次地程式化該記憶裝置。在烘烤步驟中,安置該記憶裝置於一高溫環境下,經由釋放淺層捕捉電荷來造成一電荷流失,使得保存可靠度獲得改善。
简体摘要：本发明系经由运行一保留改善进程来改善一记忆设备保留特性之方法。而该保留改善进程包含,一烘烤流程,将该记忆设备安置于一高温环境下;一确认流程,决定记忆设备记忆胞的逻辑状态;以及一重新进程化流程,经由在一0-状态进程化记忆胞至一高临界电压状态,而再次地进程化该记忆设备。在烘烤步骤中,安置该记忆设备于一高温环境下,经由释放浅层捕捉电荷来造成一电荷流失,使得保存可靠度获得改善。

5. 发明专利

TWI282093B 積體電路及程式化電荷儲存記憶胞的方法 CIRCUIT AND METHOD FOR PROGRAMMING CHARGE STORAGE MEMORY CELLS 有权
简体标题：集成电路及进程化电荷存储记忆胞的方法 CIRCUIT AND METHOD FOR PROGRAMMING CHARGE STORAGE MEMORY CELLS
公开(公告)号：TWI282093B
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW093135928
申请日：2004-11-23
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：徐子軒 HSU, TZU HSUAN , 吳昭誼 WU, CHAO I
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/12 , G11C16/3454 , G11C16/3459
摘要：一種電荷儲存記憶胞之電路及其自我收斂程式化之方法，此電荷儲存記憶胞例如是氮化物唯讀記憶體或是浮置閘極快閃記憶體，其包括配置於一基底上的一源極與一汲極、一電荷儲存元件與一控制閘極。程式化電荷儲存記憶胞的方法，包括施加一源極電壓，此源極電壓係具有一增加有效啟始電壓的本體效應(body effect)。而且，在操作期間，至少是在目標啟始電壓收斂的那一部份程式化操作期間，源極電壓隨著汲極電壓增加，以調整熱電子注入效率。其中，於操作期間，係施加一選定的閘極電壓，以建立目標啟始電壓。在多位元記憶胞中，係根據所儲存的資料值以設定閘極電壓，使電壓可自我收斂在多個目標電壓。
简体摘要：一种电荷存储记忆胞之电路及其自我收敛进程化之方法，此电荷存储记忆胞例如是氮化物唯读内存或是浮置闸极闪存，其包括配置于一基底上的一源极与一汲极、一电荷存储组件与一控制闸极。进程化电荷存储记忆胞的方法，包括施加一源极电压，此源极电压系具有一增加有效启始电压的本体效应(body effect)。而且，在操作期间，至少是在目标启始电压收敛的那一部份进程化操作期间，源极电压随着汲极电压增加，以调整热电子注入效率。其中，于操作期间，系施加一选定的闸极电压，以创建目标启始电压。在多比特记忆胞中，系根据所存储的数据值以设置闸极电压，使电压可自我收敛在多个目标电压。

6. 发明专利

TWI260020B 程式化記憶胞的方法 METHOD FOR PROGRAMMING MEMORY CELLS 有权
简体标题：进程化记忆胞的方法 METHOD FOR PROGRAMMING MEMORY CELLS
公开(公告)号：TWI260020B
公开(公告)日：2006-08-11
申请号：TW094116445
申请日：2005-05-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：李明修 LEE, MING HSIU , 吳昭誼 WU, CHAO I , 徐子軒 HSU, TZU HSUAN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/12 , G11C16/3459 , G11C16/3481
摘要：一種程式化一個或多個記憶胞的方法，這些記憶胞需要由兩端來操作，在驗證每個記憶胞的兩端，以確認程式化的記憶胞端後，將一個程式化電壓提供給這些確認程式化之記憶胞的第一端；另一個驗證過程則是經由每個記憶胞的兩端確認程式化的記憶胞端來執行，接著，將一個程式化電壓提供給這些確認程式化之記憶胞的第二端。這些驗證兩端、程式化第一端、再驗證兩端，以及程式化第二端的步驟將持續直到每個記憶胞的兩端皆被程式化至目標程式化電壓為止，其中此目標程式化電壓具有多個電壓準位。
简体摘要：一种进程化一个或多个记忆胞的方法，这些记忆胞需要由两端来操作，在验证每个记忆胞的两端，以确认进程化的记忆胞端后，将一个进程化电压提供给这些确认进程化之记忆胞的第一端；另一个验证过程则是经由每个记忆胞的两端确认进程化的记忆胞端来运行，接着，将一个进程化电压提供给这些确认进程化之记忆胞的第二端。这些验证两端、进程化第一端、再验证两端，以及进程化第二端的步骤将持续直到每个记忆胞的两端皆被进程化至目标进程化电压为止，其中此目标进程化电压具有多个电压准位。

7. 发明专利

TW200520207A 三維多晶矽唯讀記憶體及其製造方法审中-公开
简体标题：三维多晶硅唯读内存及其制造方法
公开(公告)号：TW200520207A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW092134463
申请日：2003-12-05
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：徐子軒 HSU, TZU HSUAN , 李明修 LEE, MING HSIU , 龍翔瀾 LUNG, HSIANG LAN , 吳昭誼 WU, CHAO I
IPC分类号： H01L
摘要：一種三維多晶矽唯讀記憶體及其製造方法，此三維多晶矽唯讀記憶體包括：矽基板、絕緣氧化層、N型重摻雜多晶矽層、P型輕摻雜多晶矽層、介電層以及二氧化層。絕緣氧化層位於矽基板上，而N型重摻雜多晶矽層位於絕緣氧化層上，包括數條相互隔開且平行之字元線；字元線之間有一層氧化層，而介電層則位於字元線與氧化層上。P型輕摻雜多晶矽層位於介電層上，且包括數條相互隔開且平行之位元線，位元線並與字元線實質上垂直交錯。介電層中至少有一頸狀結構(neck)形成於位元線之下方，另一氧化層則位於位元線之間，且位於字元線與第一氧化層上。
简体摘要：一种三维多晶硅唯读内存及其制造方法，此三维多晶硅唯读内存包括：硅基板、绝缘氧化层、N型重掺杂多晶硅层、P型轻掺杂多晶硅层、介电层以及二氧化层。绝缘氧化层位于硅基板上，而N型重掺杂多晶硅层位于绝缘氧化层上，包括数条相互隔开且平行之字符线；字符线之间有一层氧化层，而介电层则位于字符线与氧化层上。P型轻掺杂多晶硅层位于介电层上，且包括数条相互隔开且平行之比特线，比特线并与字符线实质上垂直交错。介电层中至少有一颈状结构(neck)形成于比特线之下方，另一氧化层则位于比特线之间，且位于字符线与第一氧化层上。

8. 发明专利

TW200905887A 記憶胞及其製造方法 MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：记忆胞及其制造方法 MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200905887A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097119164
申请日：2008-05-23
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：徐子軒 HSU, TZU HSUAN , 呂函庭 LUE, HANG TING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/12 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要：一種記憶胞,設置於一基底上,此基底中具有多個隔離結構,且隔離結構於該基底中定義出至少一鰭狀結構,該鰭狀結構之上表面高於該些隔離結構之上表面。此記憶胞包括:一摻雜區、一閘極、一電荷陷入結構與一源極/汲極區。摻雜區位於鰭狀結構的一頂部且接近鰭狀結構之頂部的一表面,其中摻雜區具有一第一導電型。閘極設置於基底上,橫跨鰭狀結構。電荷陷入結構設置於閘極與鰭狀結構之間。源極/汲極區設置於閘極所裸露之鰭狀結構中,其中源極/汲極區具有一第二導電型且第一導電型與第二導電型不同。
简体摘要：一种记忆胞,设置于一基底上,此基底中具有多个隔离结构,且隔离结构于该基底中定义出至少一鳍状结构,该鳍状结构之上表面高于该些隔离结构之上表面。此记忆胞包括:一掺杂区、一闸极、一电荷陷入结构与一源极/汲极区。掺杂区位于鳍状结构的一顶部且接近鳍状结构之顶部的一表面,其中掺杂区具有一第一导电型。闸极设置于基底上,横跨鳍状结构。电荷陷入结构设置于闸极与鳍状结构之间。源极/汲极区设置于闸极所裸露之鳍状结构中,其中源极/汲极区具有一第二导电型且第一导电型与第二导电型不同。

9. 发明专利

TWI297499B 藉由單邊讀取架構識別程式化及抹除記憶胞中之邏輯資訊之方法 METHOD OF IDENTIFYING LOGICAL INFORMATION IN A PROGRAMMING AND ERASING CELL BY ON-SIDE READING SCHEME 有权
简体标题：借由单边读取架构识别进程化及抹除记忆胞中之逻辑信息之方法 METHOD OF IDENTIFYING LOGICAL INFORMATION IN A PROGRAMMING AND ERASING CELL BY ON-SIDE READING SCHEME
公开(公告)号：TWI297499B
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW094105499
申请日：2005-02-23
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：吳昭誼 WU, CHAO I , 李明修 LEE, MING HSIU , 徐子軒 HSU, TZU HSUAN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0475
摘要：一種於記憶胞中識別邏輯資訊的方法,尤其是一種單邊讀取架構之藉由熱電洞注入氮化物電子儲存層以程式化(programming by hot hole injection nitride electron storage, PHINES)記憶胞。此方法包括以下步驟:藉由增加一局部臨界電壓至一特定値以抹除PHINES記憶胞之第一儲存電荷區和第二儲存電荷區;藉由熱電洞注入以程式化PHINES記憶胞之第一儲存電荷區和第二儲存電荷區中至少其中一個儲存電荷區;藉由測量第一儲存電荷區和第二儲存電荷區之一之輸出電流,以讀取PHINES記憶胞之邏輯狀態。其中,第一儲存電荷區和第二儲存電荷區中儲存不同的熱電洞量之間的作用造成不同的輸出電流量,以使PHINES記憶胞之邏輯狀態可藉由單邊讀取架構判斷。
简体摘要：一种于记忆胞中识别逻辑信息的方法,尤其是一种单边读取架构之借由热电洞注入氮化物电子存储层以进程化(programming by hot hole injection nitride electron storage, PHINES)记忆胞。此方法包括以下步骤:借由增加一局部临界电压至一特定値以抹除PHINES记忆胞之第一存储电荷区和第二存储电荷区;借由热电洞注入以进程化PHINES记忆胞之第一存储电荷区和第二存储电荷区中至少其中一个存储电荷区;借由测量第一存储电荷区和第二存储电荷区之一之输出电流,以读取PHINES记忆胞之逻辑状态。其中,第一存储电荷区和第二存储电荷区中存储不同的热电洞量之间的作用造成不同的输出电流量,以使PHINES记忆胞之逻辑状态可借由单边读取架构判断。

10. 发明专利

TW200822374A 具高耦合率之圓柱型通道電荷捕捉裝置 CYLINDRICAL CHANNEL CHARGE TRAPPING DEVICES WITH EFFECTIVELY HIGH COUPLING RATIOS 审中-公开
简体标题：具高耦合率之圆柱型信道电荷捕捉设备 CYLINDRICAL CHANNEL CHARGE TRAPPING DEVICES WITH EFFECTIVELY HIGH COUPLING RATIOS
公开(公告)号：TW200822374A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096139405
申请日：2007-10-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：呂函庭 LUE, HANG TING , 徐子軒 HSU, TZU HSUAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28282 , G11C16/0466 , H01L29/0657 , H01L29/4234 , H01L29/66833 , H01L29/7851 , H01L29/7854 , H01L29/792 , H01L29/7926
摘要：一記憶胞包括:以半導體通道區所分隔之源極區及汲極區,通道區係具有面積A1之一通道表面且包括一第一圓柱形區,一第一介電結構係位於此通道表面上,一介電電荷捕捉結構係位於第一介電結構上,一第二介電結構係位於介電電荷捕捉結構上,一傳導層具有一傳導表面,此傳導表面具有面積A2且包括一第二圓柱形表面,此第二圓柱形表面係位於第二介電結構上,傳導表面係疊置於介電電荷捕捉結構及通道區之通道表面,且面積A2與面積A1之比値係大於或等於1.2,以上一併描述於其裝置及製造方法之內。
简体摘要：一记忆胞包括:以半导体信道区所分隔之源极区及汲极区,信道区系具有面积A1之一信道表面且包括一第一圆柱形区,一第一介电结构系位于此信道表面上,一介电电荷捕捉结构系位于第一介电结构上,一第二介电结构系位于介电电荷捕捉结构上,一传导层具有一传导表面,此传导表面具有面积A2且包括一第二圆柱形表面,此第二圆柱形表面系位于第二介电结构上,传导表面系叠置于介电电荷捕捉结构及信道区之信道表面,且面积A2与面积A1之比値系大于或等于1.2,以上一并描述于其设备及制造方法之内。

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