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1. 发明专利

TW201724556A 光學基材、半導體發光元件用基板、及半導體發光元件审中-公开
简体标题：光学基材、半导体发光组件用基板、及半导体发光组件
公开(公告)号：TW201724556A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105131537
申请日：2016-09-30
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：室尾洋行 , MUROO, HIROYUKI , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 木山朋紀 , KIYAMA, TOMONORI , 古池潤 , KOIKE, JUN , 前川知文 , MAEKAWA, TOMOFUMI
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22
摘要：本發明提供一種可高良率地製造尤其是與先前相比具有優異之發光效率之半導體發光元件之半導體膜、及使用其之半導體發光元件。本發明係於主面之一部分或整面形成有凹凸構造(20)之光學基材，且上述凹凸構造包含有規則之去齒部。上述凹凸構造包括凸部(21)、凸部間底部(平坦部)(22)、及於較由該凸部間底部形成之主面低之位置具有平坦面之凹部(23)(去齒部)。又，較佳為上述凸部以平均節距P0配置，上述去齒部配置於正多邊形之頂點或將上述頂點間連結之上述正多邊形之邊上，且上述正多邊形之邊之長度長於平均節距P0。
简体摘要：本发明提供一种可高良率地制造尤其是与先前相比具有优异之发光效率之半导体发光组件之半导体膜、及使用其之半导体发光组件。本发明系于主面之一部分或整面形成有凹凸构造(20)之光学基材，且上述凹凸构造包含有守则之去齿部。上述凹凸构造包括凸部(21)、凸部间底部(平坦部)(22)、及于较由该凸部间底部形成之主面低之位置具有平坦面之凹部(23)(去齿部)。又，较佳为上述凸部以平均节距P0配置，上述去齿部配置于正多边形之顶点或将上述顶点间链接之上述正多边形之边上，且上述正多边形之边之长度长于平均节距P0。

2. 发明专利

TW201344959A 光學基板、半導體發光元件及半導體發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：光学基板、半导体发光组件及半导体发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW201344959A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102111965
申请日：2013-04-02
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN , 三田村哲理 , MITAMURA, YOSHIMICHI , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L21/306 , G01M11/00
CPC分类号： H01L33/58 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L22/12 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要：本發明之光學基板(1)於表面設置有凹凸結構(12)，該凹凸結構(12)包含獨立之複數個凸部(131~134)、及設置於各凸部(131~134)間之凹部(14)。凹凸結構(12)之鄰接之凸部(131~134)間之平均間隔Pave滿足50nm≦Pave≦1500nm，且具有相對於平均凸部高度Have滿足0.6h≧hn≧0h之凸部高度hn的凸部(133)以滿足1/10000≦Z≦1/5之概率Z存在。若將光學基板(1)用於半導體發光元件，則可使半導體層中之位錯分散且減低位錯密度，藉此改善內部量子效率IQE，並且藉由光散射而將波導模式消除而提高光取出效率LEE，從而提昇半導體發光元件之發光效率。
简体摘要：本发明之光学基板(1)于表面设置有凹凸结构(12)，该凹凸结构(12)包含独立之复数个凸部(131~134)、及设置于各凸部(131~134)间之凹部(14)。凹凸结构(12)之邻接之凸部(131~134)间之平均间隔Pave满足50nm≦Pave≦1500nm，且具有相对于平均凸部高度Have满足0.6h≧hn≧0h之凸部高度hn的凸部(133)以满足1/10000≦Z≦1/5之概率Z存在。若将光学基板(1)用于半导体发光组件，则可使半导体层中之位错分散且减低位错密度，借此改善内部量子效率IQE，并且借由光散射而将波导模式消除而提高光取出效率LEE，从而提升半导体发光组件之发光效率。

3. 发明专利

TWI598211B 熱壓印裝置及積層體有权
简体标题：热压印设备及积层体
公开(公告)号：TWI598211B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW103134826
申请日：2013-05-08
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：細見尙希 , HOSOMI, NAOKI , 古池潤 , KOIKE, JUN , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO
IPC分类号： B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： B29C59/022 , B29C59/026 , B29C59/046 , B29C59/16 , B29K2033/08 , B29K2105/0005 , G03F7/0002 , Y10T428/24628

4. 发明专利

TW201327631A 微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法审中-公开
简体标题：微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体之制造方法
公开(公告)号：TW201327631A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101121830
申请日：2012-06-18
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 前田雅俊 , MAEDA, MASATOSHI , 有久慎司 , ARIHISA, SHINJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要：本發明係為於被處理體上形成高縱橫比之微細圖案，而提供一種可容易地形成殘膜較薄或無殘膜之微細圖案的微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法。本發明之微細圖案形成用積層體(1)之特徵在於：其係用以於被處理體(200)上經由第1遮罩層(103)而形成微細圖案(220)者，且包含表面具有凹凸結構(101a)之模具(101)、及設置於凹凸結構(101a)上之第2遮罩層(102)，關於第2遮罩層(102)，距離(lcc)與凹凸結構(101a)之高度(h)滿足下述式(1)，且距離(lcv)與高度(h)滿足下述式(2)：式(1)0＜lcc＜1.0h 式(2)0≦lcv≦0.05h。
简体摘要：本发明系为于被处理体上形成高纵横比之微细图案，而提供一种可容易地形成残膜较薄或无残膜之微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体之制造方法。本发明之微细图案形成用积层体(1)之特征在于：其系用以于被处理体(200)上经由第1遮罩层(103)而形成微细图案(220)者，且包含表面具有凹凸结构(101a)之模具(101)、及设置于凹凸结构(101a)上之第2遮罩层(102)，关于第2遮罩层(102)，距离(lcc)与凹凸结构(101a)之高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)与高度(h)满足下述式(2)：式(1)0＜lcc＜1.0h 式(2)0≦lcv≦0.05h。

5. 发明专利

TWI627067B 機能轉印體、機能層之轉印方法、梱包物及機能轉印膜捲筒有权
简体标题：机能转印体、机能层之转印方法、梱包物及机能转印膜卷筒
公开(公告)号：TWI627067B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103109542
申请日：2013-06-13
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO
IPC分类号： B32B3/30 , B32B37/14 , H01L21/027

6. 发明专利

TWI620345B 光學基材、半導體發光元件用基板、及半導體發光元件有权
简体标题：光学基材、半导体发光组件用基板、及半导体发光组件
公开(公告)号：TWI620345B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105131537
申请日：2016-09-30
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：室尾洋行 , MUROO, HIROYUKI , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 木山朋紀 , KIYAMA, TOMONORI , 古池潤 , KOIKE, JUN , 前川知文 , MAEKAWA, TOMOFUMI
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22

7. 发明专利

TW201333544A 光學用基材及發光裝置审中-公开
简体标题：光学用基材及发光设备
公开(公告)号：TW201333544A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101149628
申请日：2012-12-24
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 古池潤 , KOIKE, JUN , 井上直樹 , INOUE, NAOKI
IPC分类号： G02B5/18 , H01L51/50 , B82Y20/00
CPC分类号： G02B5/1861 , G02B5/1809 , H01L51/0096 , H01L51/5262 , H05B33/02 , Y02E10/549
摘要：本發明係提供一種可降低光之繞射引起之色偏的光學用基材。該光學用基材(12)具有包含包括自基材主面向面外方向延伸之複數個凸部或凹部之點(31)之微細結構層，且該微細結構層於基材主面內之第1方向上具有以間距(Py)排列有複數個點之複數個點陣列，並於基材主面內之與第1方向正交之第2方向上具有以間距(Px)排列有複數個點之複數個點陣列，間距(Py)及間距(Px)均為不定間隔，且分別為奈米級。
简体摘要：本发明系提供一种可降低光之绕射引起之色偏的光学用基材。该光学用基材(12)具有包含包括自基材主面向面外方向延伸之复数个凸部或凹部之点(31)之微细结构层，且该微细结构层于基材主面内之第1方向上具有以间距(Py)排列有复数个点之复数个点数组，并于基材主面内之与第1方向正交之第2方向上具有以间距(Px)排列有复数个点之复数个点数组，间距(Py)及间距(Px)均为不定间隔，且分别为奈米级。

8. 发明专利

TW201320398A 光學用基材及半導體發光元件审中-公开
简体标题：光学用基材及半导体发光组件
公开(公告)号：TW201320398A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101131626
申请日：2012-08-30
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 古池潤 , KOIKE, JUN , 前田雅俊 , MAEDA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/22 , B29C43/46 , B29C2043/464 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/2006 , G03F7/24 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L51/5268 , Y10T428/24479
摘要：本發明提供一種可藉由減少導體層中之錯位缺陷數而改善內部量子效率IQE且可使LED之發光效率提高並具備微細構造體之光學用基材。本發明之光學用基材(1)具備微細構造層(12)，該微細構造層(12)包含由自基材(11)主表面向面外方向延伸之複數個凸部(13)所構成之點；微細構造層(12)於基材(11)主表面內之第1方向上，具有複數個點以間距Py排列而成之複數個點行(13-1~13-N)，於與基材(11)主表面內之第1方向正交之第2方向上，具有複數個點以間距Px排列而成之複數個點行，且就間距Py及間距Px而言可任一者為奈米級之固定間隔另一者為奈米級之不定間隔，或可均為奈米級之不定間隔。
简体摘要：本发明提供一种可借由减少导体层中之错位缺陷数而改善内部量子效率IQE且可使LED之发光效率提高并具备微细构造体之光学用基材。本发明之光学用基材(1)具备微细构造层(12)，该微细构造层(12)包含由自基材(11)主表面向面外方向延伸之复数个凸部(13)所构成之点；微细构造层(12)于基材(11)主表面内之第1方向上，具有复数个点以间距Py排列而成之复数个点行(13-1~13-N)，于与基材(11)主表面内之第1方向正交之第2方向上，具有复数个点以间距Px排列而成之复数个点行，且就间距Py及间距Px而言可任一者为奈米级之固定间隔另一者为奈米级之不定间隔，或可均为奈米级之不定间隔。

9. 发明专利

TW201236872A 細微結構積層體、細微結構積層體之製作方法及細微結構體之製造方法审中-公开
简体标题：细微结构积层体、细微结构积层体之制作方法及细微结构体之制造方法
公开(公告)号：TW201236872A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100145371
申请日：2011-12-08
申请人：旭化成股份有限公司
发明人：古池潤 , 伊藤隆一 , 山口布士人
IPC分类号： B32B , G02B
CPC分类号： G02B1/14 , C23C18/1216 , C23C18/122 , C23C18/1233 , C23C18/1245 , G02B1/10 , G02B1/105 , H01L31/02366 , Y02E10/50 , Y10T428/24537
摘要：本發明係提供一種可大面積且高生產性地形成耐環境性、耐候性、長期穩定性優異之細微凹凸結構的細微結構積層體及使用該細微結構積層體的細微結構積層體之製作方法，以及提供一種生產性較高且可實現大面積化的細微結構體之製造方法。本發明之細微結構積層體之特徵在於包括：基材；樹脂層，其設置於上述基材之一主面上，表面具有細微凹凸結構；及無機層，其係包含溶膠-凝膠材料，設置於上述樹脂層之上述細微凹凸結構上，具有與上述樹脂層之上述細微凹凸結構對應之形狀的細微凹凸結構；且上述樹脂層之上述硬化物層側區域中之氟元素濃度(Es)高於上述樹脂層中之平均氟濃度(Eb)。
简体摘要：本发明系提供一种可大面积且高生产性地形成耐环境性、耐候性、长期稳定性优异之细微凹凸结构的细微结构积层体及使用该细微结构积层体的细微结构积层体之制作方法，以及提供一种生产性较高且可实现大面积化的细微结构体之制造方法。本发明之细微结构积层体之特征在于包括：基材；树脂层，其设置于上述基材之一主面上，表面具有细微凹凸结构；及无机层，其系包含溶胶-凝胶材料，设置于上述树脂层之上述细微凹凸结构上，具有与上述树脂层之上述细微凹凸结构对应之形状的细微凹凸结构；且上述树脂层之上述硬化物层侧区域中之氟元素浓度(Es)高于上述树脂层中之平均氟浓度(Eb)。

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