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1. 发明专利

TWI618113B 功能轉印體及功能轉印膜捲筒有权
简体标题：功能转印体及功能转印膜卷筒
公开(公告)号：TWI618113B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW104112474
申请日：2015-04-17
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN , 梁昭淵 , YANG, SOYEUN , 前川知文 , MAEKAWA, TOMOFUMI
IPC分类号： H01L21/02 , B32B3/30
CPC分类号： B32B3/28 , B32B33/00 , H01L21/027

2. 发明专利

TW201724556A 光學基材、半導體發光元件用基板、及半導體發光元件审中-公开
简体标题：光学基材、半导体发光组件用基板、及半导体发光组件
公开(公告)号：TW201724556A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105131537
申请日：2016-09-30
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：室尾洋行 , MUROO, HIROYUKI , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 木山朋紀 , KIYAMA, TOMONORI , 古池潤 , KOIKE, JUN , 前川知文 , MAEKAWA, TOMOFUMI
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22
摘要：本發明提供一種可高良率地製造尤其是與先前相比具有優異之發光效率之半導體發光元件之半導體膜、及使用其之半導體發光元件。本發明係於主面之一部分或整面形成有凹凸構造(20)之光學基材，且上述凹凸構造包含有規則之去齒部。上述凹凸構造包括凸部(21)、凸部間底部(平坦部)(22)、及於較由該凸部間底部形成之主面低之位置具有平坦面之凹部(23)(去齒部)。又，較佳為上述凸部以平均節距P0配置，上述去齒部配置於正多邊形之頂點或將上述頂點間連結之上述正多邊形之邊上，且上述正多邊形之邊之長度長於平均節距P0。
简体摘要：本发明提供一种可高良率地制造尤其是与先前相比具有优异之发光效率之半导体发光组件之半导体膜、及使用其之半导体发光组件。本发明系于主面之一部分或整面形成有凹凸构造(20)之光学基材，且上述凹凸构造包含有守则之去齿部。上述凹凸构造包括凸部(21)、凸部间底部(平坦部)(22)、及于较由该凸部间底部形成之主面低之位置具有平坦面之凹部(23)(去齿部)。又，较佳为上述凸部以平均节距P0配置，上述去齿部配置于正多边形之顶点或将上述顶点间链接之上述正多边形之边上，且上述正多边形之边之长度长于平均节距P0。

3. 发明专利

TW201344959A 光學基板、半導體發光元件及半導體發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：光学基板、半导体发光组件及半导体发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW201344959A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102111965
申请日：2013-04-02
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN , 三田村哲理 , MITAMURA, YOSHIMICHI , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L21/306 , G01M11/00
CPC分类号： H01L33/58 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L22/12 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要：本發明之光學基板(1)於表面設置有凹凸結構(12)，該凹凸結構(12)包含獨立之複數個凸部(131~134)、及設置於各凸部(131~134)間之凹部(14)。凹凸結構(12)之鄰接之凸部(131~134)間之平均間隔Pave滿足50nm≦Pave≦1500nm，且具有相對於平均凸部高度Have滿足0.6h≧hn≧0h之凸部高度hn的凸部(133)以滿足1/10000≦Z≦1/5之概率Z存在。若將光學基板(1)用於半導體發光元件，則可使半導體層中之位錯分散且減低位錯密度，藉此改善內部量子效率IQE，並且藉由光散射而將波導模式消除而提高光取出效率LEE，從而提昇半導體發光元件之發光效率。
简体摘要：本发明之光学基板(1)于表面设置有凹凸结构(12)，该凹凸结构(12)包含独立之复数个凸部(131~134)、及设置于各凸部(131~134)间之凹部(14)。凹凸结构(12)之邻接之凸部(131~134)间之平均间隔Pave满足50nm≦Pave≦1500nm，且具有相对于平均凸部高度Have满足0.6h≧hn≧0h之凸部高度hn的凸部(133)以满足1/10000≦Z≦1/5之概率Z存在。若将光学基板(1)用于半导体发光组件，则可使半导体层中之位错分散且减低位错密度，借此改善内部量子效率IQE，并且借由光散射而将波导模式消除而提高光取出效率LEE，从而提升半导体发光组件之发光效率。

4. 发明专利

TW201346985A 模具、抗蝕積層體及其製造方法與凹凸結構體审中-公开
简体标题：模具、抗蚀积层体及其制造方法与凹凸结构体
公开(公告)号：TW201346985A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102108542
申请日：2013-03-11
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN
IPC分类号： H01L21/027 , B29C59/02
CPC分类号： B29C59/022 , B29C33/3857 , B29C33/424 , B29C71/04 , B29C2059/023 , B29K2027/12 , B29K2883/00 , B29K2995/0077 , B32B3/266 , B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/325 , B32B27/36 , B32B2264/102 , B32B2264/104 , B32B2307/518 , B32B2315/00 , B32B2457/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , Y10T428/24322 , Y10T428/24612 , H01L2924/00
摘要：本發明之抗蝕積層體(30)具備：無機基板(21)；第1抗蝕層(22)，其係設於無機基板(21)之一主表面上；及第2抗蝕層(23)，其係設於第1抗蝕層(22)上，且表面設有凹凸結構(23a)。凹凸結構(23a)中，轉印後之殘膜之厚度為50 nm以下，模具之微細圖案之凸部頂部寬度(lcv)與凹部開口寬度(lcc)之比率(lcv/lcc)係處於特定範圍內，且模具之微細圖案之凹部體積(Vcm)與第2抗蝕層(23)之體積(Vr2)之比率(Vr2/Vcm)係處於特定範圍內。可容易地於無機基板(21)上形成具有薄且均勻之殘膜之抗蝕遮罩(25)。
简体摘要：本发明之抗蚀积层体(30)具备：无机基板(21)；第1抗蚀层(22)，其系设于无机基板(21)之一主表面上；及第2抗蚀层(23)，其系设于第1抗蚀层(22)上，且表面设有凹凸结构(23a)。凹凸结构(23a)中，转印后之残膜之厚度为50 nm以下，模具之微细图案之凸部顶部宽度(lcv)与凹部开口宽度(lcc)之比率(lcv/lcc)系处于特定范围内，且模具之微细图案之凹部体积(Vcm)与第2抗蚀层(23)之体积(Vr2)之比率(Vr2/Vcm)系处于特定范围内。可容易地于无机基板(21)上形成具有薄且均匀之残膜之抗蚀遮罩(25)。

5. 发明专利

TWI694174B 電解用電極、積層體、捲繞體、電解槽之製造方法、電極之更新方法、及捲繞體之製造方法有权
简体标题：电解用电极、积层体、卷绕体、电解槽之制造方法、电极之更新方法、及卷绕体之制造方法
公开(公告)号：TWI694174B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107109914
申请日：2018-03-22
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：船川明恭 , FUNAKAWA, AKIYASU , 角佳典 , KADO, YOSHIFUMI , 蜂谷敏徳 , HACHIYA, TOSHINORI , 古池潤 , KOIKE, JUN
IPC分类号： C25B11/00 , C25B13/08 , C25B9/10 , C08J5/22

6. 发明专利

TWI598211B 熱壓印裝置及積層體有权
简体标题：热压印设备及积层体
公开(公告)号：TWI598211B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW103134826
申请日：2013-05-08
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：細見尙希 , HOSOMI, NAOKI , 古池潤 , KOIKE, JUN , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO
IPC分类号： B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： B29C59/022 , B29C59/026 , B29C59/046 , B29C59/16 , B29K2033/08 , B29K2105/0005 , G03F7/0002 , Y10T428/24628

7. 发明专利

TW201313428A 微細凹凸構造轉印用鑄模审中-公开
简体标题：微细凹凸构造转印用铸模
公开(公告)号：TW201313428A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101121831
申请日：2012-06-18
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN
IPC分类号： B29C33/38 , B29C33/58 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要：本發明提供一種具有高脫模性並且轉印材之塗敷性亦良好之微細凹凸構造轉印用鑄模。本發明之微細凹凸構造轉印用鑄模(110)包括：基材；圖案部(111)，其係於基材之一主表面上之一部分形成有向被處理體轉印之微細凹凸構造；非圖案部(112)，其係一主表面內之除轉印區域以外之未形成微細凹凸構造之區域；及障壁區域(114)，其係於圖案部(111)與非圖案部之間，以至少一部分與圖案部(111)鄰接之方式設置。圖案部(111)及障壁區域(114)包含複數個凹部。又，於圖案部(111)之平均粗糙因數Rf1與障壁區域(114)之平均粗糙因數Rf2之間，Rf1>Rf2之關係成立，並且於圖案部(111)之區域之平均開口率Ar1與障壁區域(114)之平均開口率Ar2之間，Ar1>Ar2之關係成立。
简体摘要：本发明提供一种具有高脱模性并且转印材之涂敷性亦良好之微细凹凸构造转印用铸模。本发明之微细凹凸构造转印用铸模(110)包括：基材；图案部(111)，其系于基材之一主表面上之一部分形成有向被处理体转印之微细凹凸构造；非图案部(112)，其系一主表面内之除转印区域以外之未形成微细凹凸构造之区域；及障壁区域(114)，其系于图案部(111)与非图案部之间，以至少一部分与图案部(111)邻接之方式设置。图案部(111)及障壁区域(114)包含复数个凹部。又，于图案部(111)之平均粗糙因子Rf1与障壁区域(114)之平均粗糙因子Rf2之间，Rf1>Rf2之关系成立，并且于图案部(111)之区域之平均开口率Ar1与障壁区域(114)之平均开口率Ar2之间，Ar1>Ar2之关系成立。

8. 发明专利

TW201327631A 微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法审中-公开
简体标题：微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体之制造方法
公开(公告)号：TW201327631A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101121830
申请日：2012-06-18
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 前田雅俊 , MAEDA, MASATOSHI , 有久慎司 , ARIHISA, SHINJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要：本發明係為於被處理體上形成高縱橫比之微細圖案，而提供一種可容易地形成殘膜較薄或無殘膜之微細圖案的微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法。本發明之微細圖案形成用積層體(1)之特徵在於：其係用以於被處理體(200)上經由第1遮罩層(103)而形成微細圖案(220)者，且包含表面具有凹凸結構(101a)之模具(101)、及設置於凹凸結構(101a)上之第2遮罩層(102)，關於第2遮罩層(102)，距離(lcc)與凹凸結構(101a)之高度(h)滿足下述式(1)，且距離(lcv)與高度(h)滿足下述式(2)：式(1)0＜lcc＜1.0h 式(2)0≦lcv≦0.05h。
简体摘要：本发明系为于被处理体上形成高纵横比之微细图案，而提供一种可容易地形成残膜较薄或无残膜之微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体之制造方法。本发明之微细图案形成用积层体(1)之特征在于：其系用以于被处理体(200)上经由第1遮罩层(103)而形成微细图案(220)者，且包含表面具有凹凸结构(101a)之模具(101)、及设置于凹凸结构(101a)上之第2遮罩层(102)，关于第2遮罩层(102)，距离(lcc)与凹凸结构(101a)之高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)与高度(h)满足下述式(2)：式(1)0＜lcc＜1.0h 式(2)0≦lcv≦0.05h。

9. 发明专利

TW201840907A 電解用電極、積層體、捲繞體、電解槽、電解槽之製造方法、電極之更新方法、積層體之更新方法、及捲繞體之製造方法审中-公开
简体标题：电解用电极、积层体、卷绕体、电解槽、电解槽之制造方法、电极之更新方法、积层体之更新方法、及卷绕体之制造方法
公开(公告)号：TW201840907A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107109914
申请日：2018-03-22
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：船川明恭 , FUNAKAWA, AKIYASU , 角佳典 , KADO, YOSHIFUMI , 蜂谷敏徳 , HACHIYA, TOSHINORI , 古池潤 , KOIKE, JUN
IPC分类号： C25B11/00 , C25B13/08 , C25B9/10 , C08J5/22
摘要：本發明係關於電解用電極、積層體、捲繞體、電解槽、電解槽之製造方法、電極之更新方法、積層體之更新方法、及捲繞體之製造方法。本發明之一態樣之電解用電極之每單位面積之質量為48 mg/cm2以下，每單位質量·單位面積所承受之力為0.08 N/mg・cm2以上。
简体摘要：本发明系关于电解用电极、积层体、卷绕体、电解槽、电解槽之制造方法、电极之更新方法、积层体之更新方法、及卷绕体之制造方法。本发明之一态样之电解用电极之每单位面积之质量为48 mg/cm2以下，每单位质量·单位面积所承受之力为0.08 N/mg・cm2以上。

10. 发明专利

TWI627067B 機能轉印體、機能層之轉印方法、梱包物及機能轉印膜捲筒有权
简体标题：机能转印体、机能层之转印方法、梱包物及机能转印膜卷筒
公开(公告)号：TWI627067B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103109542
申请日：2013-06-13
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO
IPC分类号： B32B3/30 , B32B37/14 , H01L21/027

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