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1. 发明专利

TWI441277B 真空處理裝置及程式有权
简体标题：真空处理设备及进程
公开(公告)号：TWI441277B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW100102146
申请日：2011-01-20
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：仲田輝男 , NAKATA, TERUO , 近藤英明 , KONDO, HIDEAKI , 田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 野木慶太 , NOGI, KEITA
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： G06F19/00

2. 发明专利

TW201338037A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201338037A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102119148
申请日：2008-02-21
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 木村伸吾 , KIMURA, SHINGO , 矢富實 , YATOMI, MINORU , 磯崎真一 , ISOZAKI, MASAKAZU , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/6719
摘要：目的在於提供一種相當於單位設置面積之生產性高的半導體製造裝置。真空處理裝置具備：多數晶圓盒平台，其上載置晶圓盒；真空搬送室，於上述大氣搬送室背面側和其連結而配置，平面形狀具有多角形狀，被減壓之內部用於搬送上述晶圓；及多數真空處理室，於該真空搬送室側面以可裝拆方式被連結、相鄰而配置，用於處理由上述真空搬送室被搬送至內部的上述晶圓；其特徵為：上述多數真空處理裝置，係包含：多數蝕刻處理室，用於進行上述晶圓之蝕刻處理；及至少1個去灰處理室，用於進行上述晶圓之灰化處理；該去灰處理室由上述真空搬送室之上述前面看時被連結於左右之一方之側之側面，上述大氣搬送室靠近該去灰處理室所連結之上述一方之側而配置。
简体摘要：目的在于提供一种相当於单位设置面积之生产性高的半导体制造设备。真空处理设备具备：多数晶圆盒平台，其上载置晶圆盒；真空搬送室，于上述大气搬送室背面侧和其链接而配置，平面形状具有多角形状，被减压之内部用于搬送上述晶圆；及多数真空处理室，于该真空搬送室侧面以可装拆方式被链接、相邻而配置，用于处理由上述真空搬送室被搬送至内部的上述晶圆；其特征为：上述多数真空处理设备，系包含：多数蚀刻处理室，用于进行上述晶圆之蚀刻处理；及至少1个去灰处理室，用于进行上述晶圆之灰化处理；该去灰处理室由上述真空搬送室之上述前面看时被链接于左右之一方之侧之侧面，上述大气搬送室靠近该去灰处理室所链接之上述一方之侧而配置。

3. 发明专利

TWI408766B 真空處理裝置有权
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TWI408766B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW099126749
申请日：2010-08-11
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 近藤英明 , KONDO, HIDEAKI , 仲田輝男 , NAKATA, TERUO , 野木慶太 , NOGI, KEITA , 下田篤 , SHIMODA, ATSUSHI , 智田崇文 , CHIDA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , H01L21/67769 , Y10S414/139

4. 发明专利

TWI653685B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI653685B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106122900
申请日：2016-02-26
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：植村崇 , UEMURA, TAKASHI , 田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02

5. 发明专利

TW201701351A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201701351A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105105935
申请日：2016-02-26
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：植村崇 , UEMURA, TAKASHI , 田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/3288 , H01J37/32807 , H01J37/32853 , H01L21/67184 , H01L21/6719
摘要：提供提升保養作業的效率而使處理的效率提升的真空處理裝置。一種電漿處理裝置，構成為具有晶圓被運用電漿而處理的處理室的真空容器、及構成前述真空容器的至少一個構材可相對於底板而移動於水平方向而卸除，夾著前述底板的前述真空容器而配置於該真空容器的側方並在前述晶圓在被減壓的內部被搬送的真空搬送室的相反之側的端部被與此連結而安裝，具有上下方向的軸而可使前述可卸除構材移動於上下方向的升降器具備：連結於前述上下方向的軸與前述可卸除構材並沿著該上下方向的軸而移動的連結部；以及是配置於此連結部並於上下方向具有旋轉軸的關節部亦即前述可卸除構材在其周圍迴旋於水平方向的迴旋軸。
简体摘要：提供提升保养作业的效率而使处理的效率提升的真空处理设备。一种等离子处理设备，构成为具有晶圆被运用等离子而处理的处理室的真空容器、及构成前述真空容器的至少一个构材可相对于底板而移动于水平方向而卸除，夹着前述底板的前述真空容器而配置于该真空容器的侧方并在前述晶圆在被减压的内部被搬送的真空搬送室的相反之侧的端部被与此链接而安装，具有上下方向的轴而可使前述可卸除构材移动于上下方向的升降器具备：链接于前述上下方向的轴与前述可卸除构材并沿着该上下方向的轴而移动的链接部；以及是配置于此链接部并于上下方向具有旋转轴的关节部亦即前述可卸除构材在其周围回旋于水平方向的回旋轴。

6. 发明专利

TWI532114B 真空處理裝置及真空處理裝置之運轉方法有权
简体标题：真空处理设备及真空处理设备之运转方法
公开(公告)号：TWI532114B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102123989
申请日：2010-08-11
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 近藤英明 , KONDO, HIDEAKI , 仲田輝男 , NAKATA, TERUO , 野木慶太 , NOGI, KEITA , 下田篤 , SHIMODA, ATSUSHI , 智田崇文 , CHIDA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , H01L21/67769 , Y10S414/139

7. 发明专利

TW201342518A 真空處理裝置及真空處理裝置之運轉方法审中-公开
简体标题：真空处理设备及真空处理设备之运转方法
公开(公告)号：TW201342518A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102123989
申请日：2010-08-11
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 近藤英明 , KONDO, HIDEAKI , 仲田輝男 , NAKATA, TERUO , 野木慶太 , NOGI, KEITA , 下田篤 , SHIMODA, ATSUSHI , 智田崇文 , CHIDA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , H01L21/67769 , Y10S414/139
摘要： [課題]提供一種：將在真空搬送室處所具備之真空處理室的配置作最佳化，而每設置面積單位之被處理物的生產能力為高之裝置。[解決手段]一種真空處理裝置及其真空處理裝置之運轉方法，具備有：大氣搬送室，其係在前面側處被配置有複數之卡匣台，在其內部搬送被收容在被設置於前述複數之卡匣台內之至少一個上的卡匣內的複數之晶圓；鎖定室，其係被配置且連結在該大氣搬送室之後方而在內部收納從從該大氣搬送室被搬送而來之前述晶圓；第1真空搬送室，其係被連結於該鎖定室之後方，在其內部搬送前述晶圓；搬送中間室，其係被連結於前述第1真空搬送室之後方；第2真空搬送室，其係被連結於該搬送中間室之後方，在其內部搬送前述晶圓；被連結於前述第1真空搬送室之側面的至少1個的真空處理室，其係對從前述第1真空搬送室被搬送之前述晶圓進行處理；及被連結於前述第2真空搬送室之側面的2個以上的真空處理室，其係對從前述第2真空搬送室被搬送之前述晶圓進行處理，前述第1真空搬送室係在其內部於前述鎖定室和被連結於該第1真空搬送室之側面的前述真空處理室或前述搬送中間室之間，搬送前述晶圓，前述第2真空搬送室係在其內部於前述搬送中間室和被連結於該第2真空搬送室之側面的前述真空處理室之間，搬送前述晶圓，具備有控制部，其係用以調節前述複數之晶圓之搬送，使得前述複數之晶圓中，被搬送至與前述第1真空搬送室連結之真空處理室而被處理之數量，較被搬送至與前述第2真空搬送室連結之真空處理室而被處理之數量少。
简体摘要： [课题]提供一种：将在真空搬送室处所具备之真空处理室的配置作最优化，而每设置面积单位之被处理物的生产能力为高之设备。[解决手段]一种真空处理设备及其真空处理设备之运转方法，具备有：大气搬送室，其系在前面侧处被配置有复数之卡匣台，在其内部搬送被收容在被设置于前述复数之卡匣台内之至少一个上的卡匣内的复数之晶圆；锁定室，其系被配置且链接在该大气搬送室之后方而在内部收纳从从该大气搬送室被搬送而来之前述晶圆；第1真空搬送室，其系被链接于该锁定室之后方，在其内部搬送前述晶圆；搬送中间室，其系被链接于前述第1真空搬送室之后方；第2真空搬送室，其系被链接于该搬送中间室之后方，在其内部搬送前述晶圆；被链接于前述第1真空搬送室之侧面的至少1个的真空处理室，其系对从前述第1真空搬送室被搬送之前述晶圆进行处理；及被链接于前述第2真空搬送室之侧面的2个以上的真空处理室，其系对从前述第2真空搬送室被搬送之前述晶圆进行处理，前述第1真空搬送室系在其内部于前述锁定室和被链接于该第1真空搬送室之侧面的前述真空处理室或前述搬送中间室之间，搬送前述晶圆，前述第2真空搬送室系在其内部于前述搬送中间室和被链接于该第2真空搬送室之侧面的前述真空处理室之间，搬送前述晶圆，具备有控制部，其系用以调节前述复数之晶圆之搬送，使得前述复数之晶圆中，被搬送至与前述第1真空搬送室链接之真空处理室而被处理之数量，较被搬送至与前述第2真空搬送室链接之真空处理室而被处理之数量少。

8. 发明专利

TW201330163A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201330163A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101105092
申请日：2012-02-16
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：磯村僚一 , ISOMURA, RYOICHI , 田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 近藤英明 , KONDO, HIDEAKI , 小林滿知明 , KOBAYASHI, MICHIAKI
IPC分类号： H01L21/68 , C23C16/54 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/67745 , H01L21/67184
摘要：本發明之課題在於提供單位設置面積的生產性很高的真空處理裝置。本發明的解決手段為一種真空處理裝置，係具備：在大氣搬送室的背面側被配置搬送晶圓至內部之真空搬送機械臂的複數真空搬送室的各個至少各有1個被連結之複數真空處理室；把卡匣內的複數晶圓取出而依序往前述複數真空處理室搬送而進行處理後返回前述卡匣的真空處理裝置；設定前述複數枚之晶圓的搬送動作而調節此動作的控制部，以任意之前述晶圓被搬送至前述複數真空搬送室之中連結於被配置在最裏側的真空搬送室的前述真空處理室之全部的方式進行調節之後，使次一晶圓的搬送，在前述任意晶圓成為可以從被連結於前述最裏側的真空搬送室的前述真空處理室搬出之前，可搬入該次一晶圓的前述真空處理室，且係以被搬送至被配置於最後方的真空處理室的方式進行調節。
简体摘要：本发明之课题在于提供单位设置面积的生产性很高的真空处理设备。本发明的解决手段为一种真空处理设备，系具备：在大气搬送室的背面侧被配置搬送晶圆至内部之真空搬送机械臂的复数真空搬送室的各个至少各有1个被链接之复数真空处理室；把卡匣内的复数晶圆取出而依序往前述复数真空处理室搬送而进行处理后返回前述卡匣的真空处理设备；设置前述复数枚之晶圆的搬送动作而调节此动作的控制部，以任意之前述晶圆被搬送至前述复数真空搬送室之中链接于被配置在最里侧的真空搬送室的前述真空处理室之全部的方式进行调节之后，使次一晶圆的搬送，在前述任意晶圆成为可以从被链接于前述最里侧的真空搬送室的前述真空处理室搬出之前，可搬入该次一晶圆的前述真空处理室，且系以被搬送至被配置于最后方的真空处理室的方式进行调节。

9. 发明专利

TWI600082B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI600082B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW105105935
申请日：2016-02-26
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：植村崇 , UEMURA, TAKASHI , 田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/3288 , H01J37/32807 , H01J37/32853 , H01L21/67184 , H01L21/6719

10. 外观设计

TWD180288S 電漿處理裝置用上腔室有权
简体标题：等离子处理设备用上腔室
公开(公告)号：TWD180288S
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104305548D01
申请日：2016-04-29
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
设计人：植村崇 , UEMURA, TAKASHI , 佐藤浩平 , SATO, KOHEI , 田內勤 , TAUCHI, SUSUMU

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