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1. 发明专利

TWI600101B 真空處理裝置有权
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TWI600101B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW103127079
申请日：2014-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 属優作 , SAKKA, YUUSAKU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H01L21/67184 , H01L21/6719

2. 发明专利

TWI598927B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI598927B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW104105335
申请日：2015-02-16
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：丹藤匠 , TANDOU, TAKUMI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01L21/6831

3. 发明专利

TWI644382B 真空處理裝置有权
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TWI644382B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106122760
申请日：2014-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 属優作 , SAKKA, YUUSAKU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065

4. 发明专利

TWI585816B 電漿處理裝置及電漿處理裝置的試料台的製造方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理设备的试料台的制造方法
公开(公告)号：TWI585816B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104105340
申请日：2015-02-16
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：丹藤匠 , TANDOU, TAKUMI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 川崎裕通 , KAWASAKI, HIROMICHI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32192 , H01L21/6833

5. 发明专利

TW201604920A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201604920A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104105340
申请日：2015-02-16
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：丹藤匠 , TANDOU, TAKUMI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 川崎裕通 , KAWASAKI, HIROMICHI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32192 , H01L21/6833
摘要：本發明的課題係提供一種可提升處理的良品率之電漿處理裝置。該電漿處理裝置係具備：真空容器；處理室，其係配置於此真空容器內部，在內側形成電漿；試料台，其係配置於此處理室的下方，利用前述電漿的處理的對象之試料係被載置於其上面；介電質製的燒結板，其係構成此試料台之載置前述試料的載置面；金屬製的基材，其係於燒結板的下方，經由利用黏著劑所構成的黏著層來予以接合；及冷媒流路，其係配置於基材的內部，流通冷媒，前述黏著層的厚度係前述試料台的外周側的部分大於中心側的部分。在外周側的部分產生的剪斷力小於前述黏著層的前述試料台的中心側的部分。
简体摘要：本发明的课题系提供一种可提升处理的良品率之等离子处理设备。该等离子处理设备系具备：真空容器；处理室，其系配置于此真空容器内部，在内侧形成等离子；试料台，其系配置于此处理室的下方，利用前述等离子的处理的对象之试料系被载置于其上面；介电质制的烧结板，其系构成此试料台之载置前述试料的载置面；金属制的基材，其系于烧结板的下方，经由利用黏着剂所构成的黏着层来予以接合；及冷媒流路，其系配置于基材的内部，流通冷媒，前述黏着层的厚度系前述试料台的外周侧的部分大于中心侧的部分。在外周侧的部分产生的剪断力小于前述黏着层的前述试料台的中心侧的部分。

6. 发明专利

TW201533795A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201533795A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103126213
申请日：2014-07-31
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：丹藤匠 , TANDOU, TAKUMI , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 川崎裕通 , KAWASAKI, HIROMICHI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32678 , H01L21/6831
摘要：提供一種使處理良率提升之電漿處理裝置。一種電漿處理裝置，具有：處理室，配置於真空容器內部，其內側空間受到減壓；及試料台，配置於處理室內，其上面供處理對象之試料載置；利用該試料台的上方之，供給至前述處理室內之處理用氣體來形成電漿，以處理前述試料，該電漿處理裝置中，前述試料台具備：金屬製的塊(block)，內部具有冷媒流通之通路，於前述試料之處理中被供給高頻電力；及靜電吸盤，配置於該塊上，前述試料承載其上而被靜電吸附；前述靜電吸盤具備：膜狀的電極，被供給吸附前述試料之電力；及板狀的上部燒結體及下部燒結體，將該電極從上下加以包夾而被接合；下部燒結體的介電率比上部燒結體的介電率還高。
简体摘要：提供一种使处理良率提升之等离子处理设备。一种等离子处理设备，具有：处理室，配置于真空容器内部，其内侧空间受到减压；及试料台，配置于处理室内，其上面供处理对象之试料载置；利用该试料台的上方之，供给至前述处理室内之处理用气体来形成等离子，以处理前述试料，该等离子处理设备中，前述试料台具备：金属制的块(block)，内部具有冷媒流通之通路，于前述试料之处理中被供给高频电力；及静电吸盘，配置于该块上，前述试料承载其上而被静电吸附；前述静电吸盘具备：膜状的电极，被供给吸附前述试料之电力；及板状的上部烧结体及下部烧结体，将该电极从上下加以包夹而被接合；下部烧结体的介电率比上部烧结体的介电率还高。

7. 发明专利

TW201530678A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201530678A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103127079
申请日：2014-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 属優作 , SAKKA, YUUSAKU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H01L21/67184 , H01L21/6719
摘要：本發明的課題在於提供即使被處理物大口徑化的場合，也可以達到處理均勻性良好地，而且能夠以很好的效率進行常態維修/非常態維修的真空處理裝置。本發明的解決手段係於具有真空搬送室的真空處理裝置，具備：具有圓筒形狀的下部容器(250)、具有具備試料台(241)及對試料台的中心軸配置為軸對稱的支撐樑之環狀的試料台底座(242)之試料台單元，具有圓筒形狀的上部容器(230)、以及能夠使被固定於試料台底座(242)的試料台單元移動於上下方向及水平方向的移動手段(210)。
简体摘要：本发明的课题在于提供即使被处理物大口径化的场合，也可以达到处理均匀性良好地，而且能够以很好的效率进行常态维修/非常态维修的真空处理设备。本发明的解决手段系于具有真空搬送室的真空处理设备，具备：具有圆筒形状的下部容器(250)、具有具备试料台(241)及对试料台的中心轴配置为轴对称的支撑梁之环状的试料台底座(242)之试料台单元，具有圆筒形状的上部容器(230)、以及能够使被固定于试料台底座(242)的试料台单元移动于上下方向及水平方向的移动手段(210)。

8. 发明专利

TW201738991A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201738991A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106122760
申请日：2014-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 属優作 , SAKKA, YUUSAKU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H01L21/67184 , H01L21/6719
摘要：本發明的課題在於提供即使被處理物大口徑化的場合，也可以達到處理均勻性良好地，而且能夠以很好的效率進行常態維修/非常態維修的真空處理裝置。本發明的解決手段係於具有真空搬送室的真空處理裝置，具備：具有圓筒形狀的下部容器(250)、具有具備試料台(241)及對試料台的中心軸配置為軸對稱的支撐樑之環狀的試料台底座(242)之試料台單元，具有圓筒形狀的上部容器(230)、以及能夠使被固定於試料台底座(242)的試料台單元移動於上下方向及水平方向的移動手段(210)。
简体摘要：本发明的课题在于提供即使被处理物大口径化的场合，也可以达到处理均匀性良好地，而且能够以很好的效率进行常态维修/非常态维修的真空处理设备。本发明的解决手段系于具有真空搬送室的真空处理设备，具备：具有圆筒形状的下部容器(250)、具有具备试料台(241)及对试料台的中心轴配置为轴对称的支撑梁之环状的试料台底座(242)之试料台单元，具有圆筒形状的上部容器(230)、以及能够使被固定于试料台底座(242)的试料台单元移动于上下方向及水平方向的移动手段(210)。

9. 发明专利

TW201338037A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201338037A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102119148
申请日：2008-02-21
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田內勤 , TAUCHI, SUSUMU , 木村伸吾 , KIMURA, SHINGO , 矢富實 , YATOMI, MINORU , 磯崎真一 , ISOZAKI, MASAKAZU , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/6719
摘要：目的在於提供一種相當於單位設置面積之生產性高的半導體製造裝置。真空處理裝置具備：多數晶圓盒平台，其上載置晶圓盒；真空搬送室，於上述大氣搬送室背面側和其連結而配置，平面形狀具有多角形狀，被減壓之內部用於搬送上述晶圓；及多數真空處理室，於該真空搬送室側面以可裝拆方式被連結、相鄰而配置，用於處理由上述真空搬送室被搬送至內部的上述晶圓；其特徵為：上述多數真空處理裝置，係包含：多數蝕刻處理室，用於進行上述晶圓之蝕刻處理；及至少1個去灰處理室，用於進行上述晶圓之灰化處理；該去灰處理室由上述真空搬送室之上述前面看時被連結於左右之一方之側之側面，上述大氣搬送室靠近該去灰處理室所連結之上述一方之側而配置。
简体摘要：目的在于提供一种相当於单位设置面积之生产性高的半导体制造设备。真空处理设备具备：多数晶圆盒平台，其上载置晶圆盒；真空搬送室，于上述大气搬送室背面侧和其链接而配置，平面形状具有多角形状，被减压之内部用于搬送上述晶圆；及多数真空处理室，于该真空搬送室侧面以可装拆方式被链接、相邻而配置，用于处理由上述真空搬送室被搬送至内部的上述晶圆；其特征为：上述多数真空处理设备，系包含：多数蚀刻处理室，用于进行上述晶圆之蚀刻处理；及至少1个去灰处理室，用于进行上述晶圆之灰化处理；该去灰处理室由上述真空搬送室之上述前面看时被链接于左右之一方之侧之侧面，上述大气搬送室靠近该去灰处理室所链接之上述一方之侧而配置。

10. 发明专利

TW201332009A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201332009A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101124031
申请日：2012-07-04
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：大橋智宏 , OHASHI, TOMOHIRO , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 北田裕穗 , KITADA, HIROHO , 古瀨宗雄 , FURUSE, MUNEO , 田村智行 , TAMURA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449
摘要： [課題]提供可以減少試料之污染，提升處理之良品率的電漿處理裝置或電漿處理方法。[解決手段]電漿處理裝置，係具備：惰性氣體之供給路徑，係和針對真空容器內之下方所配置的試料台之上方之上述處理室內之空間進行處理用氣體之供給的供給管路呈連結、連通；及配置於該惰性氣體之供給路徑上，用於開閉該供給路徑的閘閥及調節上述惰性氣體之流量的調節器；於試料之處理終了時係對上述處理用氣體之供給管路供給上述惰性氣體，而使該供給管路內之壓力，維持於比起上述處理用氣體與上述供給管路之內壁之構成材料的化合物之氣化壓力為高的壓力。
简体摘要： [课题]提供可以减少试料之污染，提升处理之良品率的等离子处理设备或等离子处理方法。[解决手段]等离子处理设备，系具备：惰性气体之供给路径，系和针对真空容器内之下方所配置的试料台之上方之上述处理室内之空间进行处理用气体之供给的供给管路呈链接、连通；及配置于该惰性气体之供给路径上，用于开闭该供给路径的闸阀及调节上述惰性气体之流量的调节器；于试料之处理终了时系对上述处理用气体之供给管路供给上述惰性气体，而使该供给管路内之压力，维持于比起上述处理用气体与上述供给管路之内壁之构成材料的化合物之气化压力为高的压力。

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