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1. 发明专利

TWI600101B 真空處理裝置有权
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TWI600101B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW103127079
申请日：2014-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 属優作 , SAKKA, YUUSAKU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H01L21/67184 , H01L21/6719

2. 发明专利

TW201530678A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201530678A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103127079
申请日：2014-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 属優作 , SAKKA, YUUSAKU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H01L21/67184 , H01L21/6719
摘要：本發明的課題在於提供即使被處理物大口徑化的場合，也可以達到處理均勻性良好地，而且能夠以很好的效率進行常態維修/非常態維修的真空處理裝置。本發明的解決手段係於具有真空搬送室的真空處理裝置，具備：具有圓筒形狀的下部容器(250)、具有具備試料台(241)及對試料台的中心軸配置為軸對稱的支撐樑之環狀的試料台底座(242)之試料台單元，具有圓筒形狀的上部容器(230)、以及能夠使被固定於試料台底座(242)的試料台單元移動於上下方向及水平方向的移動手段(210)。
简体摘要：本发明的课题在于提供即使被处理物大口径化的场合，也可以达到处理均匀性良好地，而且能够以很好的效率进行常态维修/非常态维修的真空处理设备。本发明的解决手段系于具有真空搬送室的真空处理设备，具备：具有圆筒形状的下部容器(250)、具有具备试料台(241)及对试料台的中心轴配置为轴对称的支撑梁之环状的试料台底座(242)之试料台单元，具有圆筒形状的上部容器(230)、以及能够使被固定于试料台底座(242)的试料台单元移动于上下方向及水平方向的移动手段(210)。

3. 发明专利

TWI532098B 電漿處理方法及真空處理裝置有权
简体标题：等离子处理方法及真空处理设备
公开(公告)号：TWI532098B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102148437
申请日：2013-12-26
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02071 , H01L21/67207

4. 发明专利

TWI644382B 真空處理裝置有权
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TWI644382B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106122760
申请日：2014-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 属優作 , SAKKA, YUUSAKU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065

5. 外观设计

TWD194248S 電漿處理裝置用噴氣板有权
简体标题：等离子处理设备用喷气板
公开(公告)号：TWD194248S
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW107301129
申请日：2018-02-27
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
设计人：田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 奧田浩司 , OKUDA, KOUJI

6. 发明专利

TWI612580B 電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI612580B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105103764
申请日：2013-12-26
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02071 , H01L21/67207

7. 发明专利

TW201738991A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201738991A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106122760
申请日：2014-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 牧野昭孝 , MAKINO, AKITAKA , 田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 属優作 , SAKKA, YUUSAKU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H01L21/67184 , H01L21/6719
摘要：本發明的課題在於提供即使被處理物大口徑化的場合，也可以達到處理均勻性良好地，而且能夠以很好的效率進行常態維修/非常態維修的真空處理裝置。本發明的解決手段係於具有真空搬送室的真空處理裝置，具備：具有圓筒形狀的下部容器(250)、具有具備試料台(241)及對試料台的中心軸配置為軸對稱的支撐樑之環狀的試料台底座(242)之試料台單元，具有圓筒形狀的上部容器(230)、以及能夠使被固定於試料台底座(242)的試料台單元移動於上下方向及水平方向的移動手段(210)。
简体摘要：本发明的课题在于提供即使被处理物大口径化的场合，也可以达到处理均匀性良好地，而且能够以很好的效率进行常态维修/非常态维修的真空处理设备。本发明的解决手段系于具有真空搬送室的真空处理设备，具备：具有圆筒形状的下部容器(250)、具有具备试料台(241)及对试料台的中心轴配置为轴对称的支撑梁之环状的试料台底座(242)之试料台单元，具有圆筒形状的上部容器(230)、以及能够使被固定于试料台底座(242)的试料台单元移动于上下方向及水平方向的移动手段(210)。

8. 发明专利

TW201618183A 電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW201618183A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW105103764
申请日：2013-12-26
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02071 , H01L21/67207
摘要：本發明係針對使用鹵素氣體而對金屬材料進行電漿蝕刻之電漿處理方法及真空處理裝置，提供可以抑制金屬材料表面氧化，並且可以除去試料上之殘留鹵素成分之電漿處理方法。本發明係屬於對配置含有金屬之膜的試料進行電漿處理，該電漿處理方法之特徵為：使用含鹵素氣體和氮氣之混合氣體對上述試料進行電漿處理，對被進行上述電漿處理之試料照射僅使用氧氣和氮氣之混合氣體而生成的電漿。
简体摘要：本发明系针对使用卤素气体而对金属材料进行等离子蚀刻之等离子处理方法及真空处理设备，提供可以抑制金属材料表面氧化，并且可以除去试料上之残留卤素成分之等离子处理方法。本发明系属于对配置含有金属之膜的试料进行等离子处理，该等离子处理方法之特征为：使用含卤素气体和氮气之混合气体对上述试料进行等离子处理，对被进行上述等离子处理之试料照射仅使用氧气和氮气之混合气体而生成的等离子。

9. 发明专利

TW201501197A 電漿處理方法及真空處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及真空处理设备
公开(公告)号：TW201501197A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW102148437
申请日：2013-12-26
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田中一海 , TANAKA, KAZUUMI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02071 , H01L21/67207
摘要：本發明係針對使用鹵素氣體而對金屬材料進行電漿蝕刻之電漿處理方法及真空處理裝置，提供可以抑制金屬材料表面氧化，並且可以除去試料上之殘留鹵素成分之電漿處理方法及真空處理裝置。本發明係屬於對具有含金屬之膜的試料進行電漿處理的電漿處理方法，使用含鹵素氣體和氮氣之混合氣體而對上述試料進行電漿處理，在與對被進行了上述電漿處理之試料施予後處理的後處理室不同的電漿生成室，藉由氧氣和惰性氣體之混合氣體生成電漿，一面經被配置在上述電漿生成室和上述後處理室之間的輸送路徑而將上述所生成之電漿輸送至後處理室，一面對上述試料進行後處理。
简体摘要：本发明系针对使用卤素气体而对金属材料进行等离子蚀刻之等离子处理方法及真空处理设备，提供可以抑制金属材料表面氧化，并且可以除去试料上之残留卤素成分之等离子处理方法及真空处理设备。本发明系属于对具有含金属之膜的试料进行等离子处理的等离子处理方法，使用含卤素气体和氮气之混合气体而对上述试料进行等离子处理，在与对被进行了上述等离子处理之试料施予后处理的后处理室不同的等离子生成室，借由氧气和惰性气体之混合气体生成等离子，一面经被配置在上述等离子生成室和上述后处理室之间的输送路径而将上述所生成之等离子输送至后处理室，一面对上述试料进行后处理。

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