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    • 9. 发明专利
    • 電漿處理方法及真空處理裝置
    • 等离子处理方法及真空处理设备
    • TW201501197A
    • 2015-01-01
    • TW102148437
    • 2013-12-26
    • 日立全球先端科技股份有限公司HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
    • 田中一海TANAKA, KAZUUMI角屋誠浩SUMIYA, MASAHIRO
    • H01L21/3065
    • H01L21/02071H01L21/67207
    • 本發明係針對使用鹵素氣體而對金屬材料進行電漿蝕刻之電漿處理方法及真空處理裝置,提供可以抑制金屬材料表面氧化,並且可以除去試料上之殘留鹵素成分之電漿處理方法及真空處理裝置。 本發明係屬於對具有含金屬之膜的試料進行電漿處理的電漿處理方法,使用含鹵素氣體和氮氣之混合氣體而對上述試料進行電漿處理,在與對被進行了上述電漿處理之試料施予後處理的後處理室不同的電漿生成室,藉由氧氣和惰性氣體之混合氣體生成電漿,一面經被配置在上述電漿生成室和上述後處理室之間的輸送路徑而將上述所生成之電漿輸送至後處理室,一面對上述試料進行後處理。
    • 本发明系针对使用卤素气体而对金属材料进行等离子蚀刻之等离子处理方法及真空处理设备,提供可以抑制金属材料表面氧化,并且可以除去试料上之残留卤素成分之等离子处理方法及真空处理设备。 本发明系属于对具有含金属之膜的试料进行等离子处理的等离子处理方法,使用含卤素气体和氮气之混合气体而对上述试料进行等离子处理,在与对被进行了上述等离子处理之试料施予后处理的后处理室不同的等离子生成室,借由氧气和惰性气体之混合气体生成等离子,一面经被配置在上述等离子生成室和上述后处理室之间的输送路径而将上述所生成之等离子输送至后处理室,一面对上述试料进行后处理。