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1. 发明专利

TW200913038A 研磨結束時間點之預測方法及其裝置 METHOD AND DEVICE FOR FORECASTING POLISHING END POINT 审中-公开
简体标题：研磨结束时间点之预测方法及其设备 METHOD AND DEVICE FOR FORECASTING POLISHING END POINT
公开(公告)号：TW200913038A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097125133
申请日：2008-07-03
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：藤田隆 TAKASHI FUJITA
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： G01B7/06 , B24B37/013 , B24B49/105
摘要： [課題]以提供一種預測並檢知研磨結束時間點之預測方法為目的,係在强的磁通未及於導電性膜下方的裝置晶圓所形成之元件或微細配線等之下,其結果乃抑制依電磁誘導所誘發的渦電流之發生,將渦電流引起的焦耳熱損抑制成極小,且即使是未貫通裝置晶圓的程度之微細的磁場,也能充分地精準地進行預測並檢知研磨結束時間點。[解決手段]本發明為達成上述目的,乃提供一種研磨結束時間點之預測方法,其係存在有使電感器型感測器中的電感器36接近既定的導電性膜28,監視由該電感器36形成的磁通所誘發於既定的導電性膜28的磁通變化,依據以既定的導電性膜28之材質為一因子所決定的集膚效應,使伴隨研磨進行之膜厚減少所形成之渦電流增大的過程、以及在照原樣進行研磨的情況下伴隨膜厚減少所形成的渦電流實質減少過程,依據誘發於既定的導電性膜28之磁通的特徵變化來預測研磨結束時間點,同時減輕乃至關閉誘發於既定的導電性膜28之磁通。
简体摘要： [课题]以提供一种预测并检知研磨结束时间点之预测方法为目的,系在强的磁通未及于导电性膜下方的设备晶圆所形成之组件或微细配线等之下,其结果乃抑制依电磁诱导所诱发的涡电流之发生,将涡电流引起的焦耳热损抑制成极小,且即使是未贯通设备晶圆的程度之微细的磁场,也能充分地精准地进行预测并检知研磨结束时间点。[解决手段]本发明为达成上述目的,乃提供一种研磨结束时间点之预测方法,其系存在有使电感器型传感器中的电感器36接近既定的导电性膜28,监视由该电感器36形成的磁通所诱发于既定的导电性膜28的磁通变化,依据以既定的导电性膜28之材质为一因子所决定的集肤效应,使伴随研磨进行之膜厚减少所形成之涡电流增大的过程、以及在照原样进行研磨的情况下伴随膜厚减少所形成的涡电流实质减少过程,依据诱发于既定的导电性膜28之磁通的特征变化来预测研磨结束时间点,同时减轻乃至关闭诱发于既定的导电性膜28之磁通。

2. 发明专利

TW200845176A 化學機械研磨裝置之研磨條件管理裝置及研磨條件管理方法 POLISHING CONDITION CONTROL APPARATUS AND POLISHING CONDITION CONTROL METHOD OF CMP APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学机械研磨设备之研磨条件管理设备及研磨条件管理方法 POLISHING CONDITION CONTROL APPARATUS AND POLISHING CONDITION CONTROL METHOD OF CMP APPARATUS
公开(公告)号：TW200845176A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097111044
申请日：2008-03-27
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 藤田隆 TAKASHI FUJITA , 田中克典 KATSUNORI TANAKA
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： B24B49/03 , B24B51/00
摘要： [課題]消除晶圓之膜厚不均,提高研磨效率以圖謀降低維持費用(running cost)及提升良率。[解決手段]CMP裝置1係具備測定研磨前之晶圓的膜厚的膜厚監視設備6、使晶圓的研磨速度、研磨壓力等之研磨條件能成為最適當地作成研磨條件之研磨秘訣作成設備7、依據最適當研磨條件及前述測定値來預測該晶圓的研磨時間之研磨時間預測設備、和測定晶圓的實際研磨時間之研磨時間測定設備、及依據該研磨時間的測定値等而進行研磨條件的管理等之電腦9。再者,電腦9具備算出前述研磨時間的測定値與預測値之差的算出部23、及使該算出的差能成為最小般地修正、變更前述研磨條件的研磨條件修正、變更部24,且盡可能即時進行研磨條件之修正、變更。
简体摘要： [课题]消除晶圆之膜厚不均,提高研磨效率以图谋降低维持费用(running cost)及提升良率。[解决手段]CMP设备1系具备测定研磨前之晶圆的膜厚的膜厚监视设备6、使晶圆的研磨速度、研磨压力等之研磨条件能成为最适当地作成研磨条件之研磨秘诀作成设备7、依据最适当研磨条件及前述测定値来预测该晶圆的研磨时间之研磨时间预测设备、和测定晶圆的实际研磨时间之研磨时间测定设备、及依据该研磨时间的测定値等而进行研磨条件的管理等之电脑9。再者,电脑9具备算出前述研磨时间的测定値与预测値之差的算出部23、及使该算出的差能成为最小般地修正、变更前述研磨条件的研磨条件修正、变更部24,且尽可能实时进行研磨条件之修正、变更。

3. 发明专利

TW200827667A 應用共振現象之終點檢測方法、終點檢測裝置和搭載有終點檢測裝置之化學機械研磨裝置、以及利用化學機械研磨裝置做成的半導體裝置 END POINT DETECTION METHOD APPLYING RESONANCE PHENOMENON, END POINT DETECTION APPARATUS, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS ON WHICH THE DETECTION APPARATUS IS LOADED, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS 审中-公开
简体标题：应用共振现象之终点检测方法、终点检测设备和搭载有终点检测设备之化学机械研磨设备、以及利用化学机械研磨设备做成的半导体设备 END POINT DETECTION METHOD APPLYING RESONANCE PHENOMENON, END POINT DETECTION APPARATUS, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS ON WHICH THE DETECTION APPARATUS IS LOADED, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS
公开(公告)号：TW200827667A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096131318
申请日：2007-08-24
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：北出惠太 KEITA KITADE , 松下治 OSAMU MATSUSHITA , 藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA
IPC分类号： G01B , B24B
CPC分类号： B24B37/013 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之目的在於,提供一種應用共振現象之終點檢測方法、終點檢測裝置和搭載有終點檢測裝置之化學機械研磨裝置,係即時監視導電性膜之膜厚變化而精確地檢測該導電性膜的研磨終點,並在不產生雜訊的情形下,可圖謀低消耗電力以降低成本。本發明為達成上述目的,乃提供一種應用共振現象之終點檢測方法,其係檢測將導電性膜研磨並除去適當厚度時的研磨終點之終點檢測方法,係使用由具備著平面電感器和集中常數電容器之柯匹次型等的振盪電路所構成的感測器,從與平面電感器對峙的導電性膜之膜厚變化所伴同之感測器的振盪頻率之變化,來即時監視導電性膜之膜厚變化。
简体摘要：本发明之目的在于,提供一种应用共振现象之终点检测方法、终点检测设备和搭载有终点检测设备之化学机械研磨设备,系实时监视导电性膜之膜厚变化而精确地检测该导电性膜的研磨终点,并在不产生噪声的情形下,可图谋低消耗电力以降低成本。本发明为达成上述目的,乃提供一种应用共振现象之终点检测方法,其系检测将导电性膜研磨并除去适当厚度时的研磨终点之终点检测方法,系使用由具备着平面电感器和集中常数电容器之柯匹次型等的振荡电路所构成的传感器,从与平面电感器对峙的导电性膜之膜厚变化所伴同之传感器的振荡频率之变化,来实时监视导电性膜之膜厚变化。

4. 发明专利

TW200912253A 研磨結束時間點之預測及/或檢測之方法及裝置與監視即時膜厚之方法及裝置 METHOD AND DEVICE FOR FORECASTING/DETECTING POLISHING END POINT AND METHOD AND DEVICE FOR MONITORING REAL-TIME FILM THICKNESS 审中-公开
简体标题：研磨结束时间点之预测及/或检测之方法及设备与监视实时膜厚之方法及设备 METHOD AND DEVICE FOR FORECASTING/DETECTING POLISHING END POINT AND METHOD AND DEVICE FOR MONITORING REAL-TIME FILM THICKNESS
公开(公告)号：TW200912253A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097127871
申请日：2008-07-23
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 北出惠太 KEITA KITADE
IPC分类号： G01B , H01L
CPC分类号： G01B7/107 , B24B37/005
摘要： [課題]本發明提供一種用以預測及/或檢測一研磨結束時間點之方法及裝置,以及用以監視一即時膜厚之方法及裝置,係能夠將渦電流引起的焦耳熱損抑制到極小,同時精確地預測及/或檢測一研磨結束時間點,且能即時精確計算出應除去的殘膜量及研磨率等,並得以精確估算是否已適當去除預定導電薄膜。[解決手段]為達成上述目的,本發明提供如下方法,其中一高頻電感器型感測器中之一電感器36係設置於預定導電薄膜28鄰近處,且可監視經由該電感器36形成之磁力線於該預定導電薄膜28被誘導之磁力線變化,且在應用磁力線變化時,當膜厚成為相對應之表皮深度時,被研磨之膜厚係取決於預定導電薄膜28之材質,可在磁力線變化過程中檢測一用以預測研磨結束時間點之磁力線變化量,於是可從該磁力線變化量預測研磨結束時間點,並進一步立即計算出一研磨率及應除去之一殘餘膜厚量。
简体摘要： [课题]本发明提供一种用以预测及/或检测一研磨结束时间点之方法及设备,以及用以监视一实时膜厚之方法及设备,系能够将涡电流引起的焦耳热损抑制到极小,同时精确地预测及/或检测一研磨结束时间点,且能实时精确计算出应除去的残膜量及研磨率等,并得以精确估算是否已适当去除预定导电薄膜。[解决手段]为达成上述目的,本发明提供如下方法,其中一高频电感器型传感器中之一电感器36系设置于预定导电薄膜28邻近处,且可监视经由该电感器36形成之磁力线于该预定导电薄膜28被诱导之磁力线变化,且在应用磁力线变化时,当膜厚成为相对应之表皮深度时,被研磨之膜厚系取决于预定导电薄膜28之材质,可在磁力线变化过程中检测一用以预测研磨结束时间点之磁力线变化量,于是可从该磁力线变化量预测研磨结束时间点,并进一步立即计算出一研磨率及应除去之一残余膜厚量。

5. 发明专利

TW200839863A 晶圓研磨監視方法 WAFER POLISH MONITORING METHOD AND DEVICE 审中-公开
简体标题：晶圆研磨监视方法 WAFER POLISH MONITORING METHOD AND DEVICE
公开(公告)号：TW200839863A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096148537
申请日：2007-12-19
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 北出惠太 KEITA KITADE
IPC分类号： H01L , G01B , B24B
CPC分类号： B24B49/10 , H01L22/26
摘要： [課題]本發明提供一種在未受研磨漿等影響之下監視在導電性膜到達由集膚深度所定義之極薄膜厚以後之膜厚變化而高精度且確實地檢出該導電性膜之研磨終點的晶圓研磨監視方法及其裝置為目的。[解決手段]本發明為達成上述目的,係提供一種晶圓研磨監視方法,其係在與晶圓W表面的導電性膜8對向的部位形成高頻傳送通道9,且由通過高頻傳送通道9而逃脫之穿透電磁波和未通過高頻傳送通道9並作反射的反射電磁波之至少任一來評估導電性膜8的研磨除去狀態,並檢出與研磨除去的結束點及研磨除去的結束時間點對應的時間點。
简体摘要： [课题]本发明提供一种在未受研磨浆等影响之下监视在导电性膜到达由集肤深度所定义之极薄膜厚以后之膜厚变化而高精度且确实地检出该导电性膜之研磨终点的晶圆研磨监视方法及其设备为目的。[解决手段]本发明为达成上述目的,系提供一种晶圆研磨监视方法,其系在与晶圆W表面的导电性膜8对向的部位形成高频发送信道9,且由通过高频发送信道9而逃脱之穿透电磁波和未通过高频发送信道9并作反射的反射电磁波之至少任一来评估导电性膜8的研磨除去状态,并检出与研磨除去的结束点及研磨除去的结束时间点对应的时间点。

6. 发明专利

TW200839861A 化學機械研磨(CMP)裝置之平台审中-公开
简体标题：化学机械研磨(CMP)设备之平台
公开(公告)号：TW200839861A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096139119
申请日：2007-10-19
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：渡部橋司 KYOUJI WATANABE , 藤田隆 TAKASHI FUJITA
IPC分类号： H01L , B24B
摘要： (課題)使平臺之維護作業容易且能兼顧剝離性及耐腐蝕性兩種特性。(解決手段)化學機械研磨裝置係為,一邊對貼附在被施轉驅動的平臺上的研磨墊供給研磨漿,一邊將晶圓按壓於研磨墊以進行研磨,其中平臺係由鋁合金製的本體部、被覆於該本體部表面的鎳層、以及形成在該鎳層上的剝離調整層所構成,該剝離調整層對前述研磨墊具有適度的剝離性能。又,剝離調整層係例如利用氟樹脂而形成,且兼備有對研磨墊之剝離性、及對研磨漿等藥液L之耐腐蝕性兩者。
简体摘要： (课题)使平台之维护作业容易且能兼顾剥离性及耐腐蚀性两种特性。(解决手段)化学机械研磨设备系为,一边对贴附在被施转驱动的平台上的研磨垫供给研磨浆,一边将晶圆按压于研磨垫以进行研磨,其中平台系由铝合金制的本体部、被覆于该本体部表面的镍层、以及形成在该镍层上的剥离调整层所构成,该剥离调整层对前述研磨垫具有适度的剥离性能。又,剥离调整层系例如利用氟树脂而形成,且兼备有对研磨垫之剥离性、及对研磨浆等药液L之耐腐蚀性两者。

7. 发明专利

TW200919567A 化學機械研磨裝置之研磨條件管理裝置及研磨條件管理方法(CMP) POLISHING CONDITION CONTROL APPARATUS AND POLISHING CONDITION CONTROL METHOD OF CMP APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学机械研磨设备之研磨条件管理设备及研磨条件管理方法(CMP) POLISHING CONDITION CONTROL APPARATUS AND POLISHING CONDITION CONTROL METHOD OF CMP APPARATUS
公开(公告)号：TW200919567A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097113109
申请日：2008-04-11
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 藤田隆 TAKASHI FUJITA , 田中克典 KATSUNORI TANAKA
IPC分类号： H01L , G05B
CPC分类号： B24B37/005 , B24B49/12 , B24B51/00
摘要： [課題]消除晶圓的殘膜厚之不均並圖謀研磨效率之提升、維持費用的降低及良率提升。[解決手段]CMP裝置1係由使晶圓的研磨速度、研磨壓力、研磨劑等之研磨條件能成為最適當地作成研磨條件之研磨秘訣作成手段3、預測在該研磨條件下研磨之晶圓研磨後的殘膜厚之殘膜厚預測手段4、和測定研磨後的晶圓殘膜厚之殘膜厚測定機2、以及基於該殘膜厚的測定結果等而進行研磨條件之管理等的電腦6所構成。再者,電腦6係具備算出前述殘膜厚的測定値與預測値之差的算出部11、及以該算出的差能成為最小般地修正、變更前述研磨條件之研磨條件修正、變更部13,且即時執行該研磨條件之修正、變更。
简体摘要： [课题]消除晶圆的残膜厚之不均并图谋研磨效率之提升、维持费用的降低及良率提升。[解决手段]CMP设备1系由使晶圆的研磨速度、研磨压力、研磨剂等之研磨条件能成为最适当地作成研磨条件之研磨秘诀作成手段3、预测在该研磨条件下研磨之晶圆研磨后的残膜厚之残膜厚预测手段4、和测定研磨后的晶圆残膜厚之残膜厚测定机2、以及基于该残膜厚的测定结果等而进行研磨条件之管理等的电脑6所构成。再者,电脑6系具备算出前述残膜厚的测定値与预测値之差的算出部11、及以该算出的差能成为最小般地修正、变更前述研磨条件之研磨条件修正、变更部13,且实时运行该研磨条件之修正、变更。

8. 发明专利

TW200847257A 電解加工單元裝置及電解加工洗淨乾燥方法 ELECTROLYTIC PROCESSING UNIT DEVICE, AND METHOD FOR ELECTROLYTIC PROCESSING, WASHING, AND DRYING 审中-公开
简体标题：电解加工单元设备及电解加工洗净干燥方法 ELECTROLYTIC PROCESSING UNIT DEVICE, AND METHOD FOR ELECTROLYTIC PROCESSING, WASHING, AND DRYING
公开(公告)号：TW200847257A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096144670
申请日：2007-11-26
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：藤田隆 TAKASHI FUJITA , 渡部橋司 KYOUJI WATANABE
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： B23H5/08 , H01L21/02074 , H01L21/32125 , H01L21/67028 , H01L21/67219 , H01L21/6723
摘要：【【課題】】本發明係作成將晶圓的電解加工工程、洗淨工程及乾燥工程滙集成1個模組,且即便是在各工程發生故障,亦不會使要被其他模組進行加工處理的晶圓之搬運停滯。【【解決手段】】具備有執行晶圓W的電解加工的電解加工部2、將該加工後的晶圓洗淨的洗淨部3、以及使前述晶圓W乾燥之乾燥部4,且該電解加工部2、洗淨部3及乾燥部4設於同一加工處理室5並模組化成1個。藉此,晶圓W的電解加工、洗淨及乾燥係可在1個部位被連續地實施。
简体摘要：【【课题】】本发明系作成将晶圆的电解加工工程、洗净工程及干燥工程汇集成1个模块,且即便是在各工程发生故障,亦不会使要被其他模块进行加工处理的晶圆之搬运停滞。【【解决手段】】具备有运行晶圆W的电解加工的电解加工部2、将该加工后的晶圆洗净的洗净部3、以及使前述晶圆W干燥之干燥部4,且该电解加工部2、洗净部3及干燥部4设于同一加工处理室5并模块化成1个。借此,晶圆W的电解加工、洗净及干燥系可在1个部位被连续地实施。

9. 发明专利

TW200846660A 研磨結束時間點之預測、檢測方法及其裝置、以及即時膜厚監視方法及其裝置 METHOD OF FORECASTING AND DETECTING POLISHING ENDPOINT AND THE DEVICE THEREOF AND REAL TIME FILM THICKNESS MONITORING METHOD AND THE DEVICE THEREOF 失效
简体标题：研磨结束时间点之预测、检测方法及其设备、以及实时膜厚监视方法及其设备 METHOD OF FORECASTING AND DETECTING POLISHING ENDPOINT AND THE DEVICE THEREOF AND REAL TIME FILM THICKNESS MONITORING METHOD AND THE DEVICE THEREOF
公开(公告)号：TW200846660A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096135015
申请日：2007-09-20
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 北出惠太 KEITA KITADE
IPC分类号： G01N , H01L
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/105 , H01L21/3212 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係以提供一種能將渦電流引起的焦耳熱損抑制成極小,同時精確地預測、檢測研磨結束時間點,且能當場精確算出應除去的殘膜量及研磨率等,而得以正確地評估既定的導電性膜是否被適當除去之研磨結束時間點之預測、檢測方法及其裝置以及即時膜厚監視方法及其裝置為目的。本發明為達成上述目的遂提供如下之方法,其係使高頻電感型感測器中之電感器接近既定的導電性膜,監視依該電感器所形成之磁力線而誘發於既定的導電性膜上的磁力線變化,根據研磨中之膜厚成為與以既定的導電性膜之材質作為一要素所決定之表皮深度對應的膜厚時之磁力線變化,檢出膜厚基準點,再從該膜厚基準點來預測研磨結束時間點,且當場算出研磨率及應除去之殘餘膜厚量。
简体摘要：本发明系以提供一种能将涡电流引起的焦耳热损抑制成极小,同时精确地预测、检测研磨结束时间点,且能当场精确算出应除去的残膜量及研磨率等,而得以正确地评估既定的导电性膜是否被适当除去之研磨结束时间点之预测、检测方法及其设备以及实时膜厚监视方法及其设备为目的。本发明为达成上述目的遂提供如下之方法,其系使高频电感型传感器中之电感器接近既定的导电性膜,监视依该电感器所形成之磁力线而诱发于既定的导电性膜上的磁力线变化,根据研磨中之膜厚成为与以既定的导电性膜之材质作为一要素所决定之表皮深度对应的膜厚时之磁力线变化,检出膜厚基准点,再从该膜厚基准点来预测研磨结束时间点,且当场算出研磨率及应除去之残余膜厚量。

10. 发明专利

TW200809948A 洗淨裝置 CLEANING APPARATUS 审中-公开
简体标题：洗净设备 CLEANING APPARATUS
公开(公告)号：TW200809948A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096128477
申请日：2007-08-03
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：高橋弘彥 HIROHIKO TAKAHASHI , 藤田隆 TAKASHI FUJITA
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： H01L21/67219 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/6719
摘要：本發明所提供的洗淨裝置之目的在於,可節省純水使用量且對研磨後的晶圓施作多種洗淨處理,能提高每單位地板面積之晶圓的處理速度同時使運轉率顯著提升,且可因應洗淨處理製程等而在最適合的排列上將複收個洗淨處理槽作交換或排序,且不會有在前處理等途中發生對晶圓處理不良的情形,並可圖謀簡化裝置之構成。本發明為達成上述目的,係提供一種洗淨裝置,其包含將各自具備複數個洗淨處理槽的洗淨管線形成為下層及上層之2段式結構,同時具有:中央搬運設備,係具有對前述下層及上層的洗淨管線中的各洗淨處理槽搬入被處理晶圓之機能及搬出被處理過的晶圓之機能;槽間搬運設備,係於下層及上層之各洗淨管線中將晶圓朝相鄰的洗淨處理槽依序搬運;導入設備,把在上層的洗淨管線中之執行精密洗淨的洗淨處理槽所使用過的純水,導入到下層的洗淨管線中之執行粗洗淨的洗淨處理槽而作為該粗洗淨用洗淨水。
简体摘要：本发明所提供的洗净设备之目的在于,可节省纯水使用量且对研磨后的晶圆施作多种洗净处理,能提高每单位地板面积之晶圆的处理速度同时使运转率显着提升,且可因应洗净处理制程等而在最适合的排列上将复收个洗净处理槽作交换或排序,且不会有在前处理等途中发生对晶圆处理不良的情形,并可图谋简化设备之构成。本发明为达成上述目的,系提供一种洗净设备,其包含将各自具备复数个洗净处理槽的洗净管线形成为下层及上层之2段式结构,同时具有:中央搬运设备,系具有对前述下层及上层的洗净管线中的各洗净处理槽搬入被处理晶圆之机能及搬出被处理过的晶圆之机能;槽间搬运设备,系于下层及上层之各洗净管线中将晶圆朝相邻的洗净处理槽依序搬运;导入设备,把在上层的洗净管线中之运行精密洗净的洗净处理槽所使用过的纯水,导入到下层的洗净管线中之运行粗洗净的洗净处理槽而作为该粗洗净用洗净水。

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