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1. 发明专利

TW200827667A 應用共振現象之終點檢測方法、終點檢測裝置和搭載有終點檢測裝置之化學機械研磨裝置、以及利用化學機械研磨裝置做成的半導體裝置 END POINT DETECTION METHOD APPLYING RESONANCE PHENOMENON, END POINT DETECTION APPARATUS, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS ON WHICH THE DETECTION APPARATUS IS LOADED, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS 审中-公开
简体标题：应用共振现象之终点检测方法、终点检测设备和搭载有终点检测设备之化学机械研磨设备、以及利用化学机械研磨设备做成的半导体设备 END POINT DETECTION METHOD APPLYING RESONANCE PHENOMENON, END POINT DETECTION APPARATUS, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS ON WHICH THE DETECTION APPARATUS IS LOADED, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS
公开(公告)号：TW200827667A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096131318
申请日：2007-08-24
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：北出惠太 KEITA KITADE , 松下治 OSAMU MATSUSHITA , 藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA
IPC分类号： G01B , B24B
CPC分类号： B24B37/013 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之目的在於,提供一種應用共振現象之終點檢測方法、終點檢測裝置和搭載有終點檢測裝置之化學機械研磨裝置,係即時監視導電性膜之膜厚變化而精確地檢測該導電性膜的研磨終點,並在不產生雜訊的情形下,可圖謀低消耗電力以降低成本。本發明為達成上述目的,乃提供一種應用共振現象之終點檢測方法,其係檢測將導電性膜研磨並除去適當厚度時的研磨終點之終點檢測方法,係使用由具備著平面電感器和集中常數電容器之柯匹次型等的振盪電路所構成的感測器,從與平面電感器對峙的導電性膜之膜厚變化所伴同之感測器的振盪頻率之變化,來即時監視導電性膜之膜厚變化。
简体摘要：本发明之目的在于,提供一种应用共振现象之终点检测方法、终点检测设备和搭载有终点检测设备之化学机械研磨设备,系实时监视导电性膜之膜厚变化而精确地检测该导电性膜的研磨终点,并在不产生噪声的情形下,可图谋低消耗电力以降低成本。本发明为达成上述目的,乃提供一种应用共振现象之终点检测方法,其系检测将导电性膜研磨并除去适当厚度时的研磨终点之终点检测方法,系使用由具备着平面电感器和集中常数电容器之柯匹次型等的振荡电路所构成的传感器,从与平面电感器对峙的导电性膜之膜厚变化所伴同之传感器的振荡频率之变化,来实时监视导电性膜之膜厚变化。

2. 发明专利

TW200846660A 研磨結束時間點之預測、檢測方法及其裝置、以及即時膜厚監視方法及其裝置 METHOD OF FORECASTING AND DETECTING POLISHING ENDPOINT AND THE DEVICE THEREOF AND REAL TIME FILM THICKNESS MONITORING METHOD AND THE DEVICE THEREOF 失效
简体标题：研磨结束时间点之预测、检测方法及其设备、以及实时膜厚监视方法及其设备 METHOD OF FORECASTING AND DETECTING POLISHING ENDPOINT AND THE DEVICE THEREOF AND REAL TIME FILM THICKNESS MONITORING METHOD AND THE DEVICE THEREOF
公开(公告)号：TW200846660A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096135015
申请日：2007-09-20
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 北出惠太 KEITA KITADE
IPC分类号： G01N , H01L
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/105 , H01L21/3212 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係以提供一種能將渦電流引起的焦耳熱損抑制成極小,同時精確地預測、檢測研磨結束時間點,且能當場精確算出應除去的殘膜量及研磨率等,而得以正確地評估既定的導電性膜是否被適當除去之研磨結束時間點之預測、檢測方法及其裝置以及即時膜厚監視方法及其裝置為目的。本發明為達成上述目的遂提供如下之方法,其係使高頻電感型感測器中之電感器接近既定的導電性膜,監視依該電感器所形成之磁力線而誘發於既定的導電性膜上的磁力線變化,根據研磨中之膜厚成為與以既定的導電性膜之材質作為一要素所決定之表皮深度對應的膜厚時之磁力線變化,檢出膜厚基準點,再從該膜厚基準點來預測研磨結束時間點,且當場算出研磨率及應除去之殘餘膜厚量。
简体摘要：本发明系以提供一种能将涡电流引起的焦耳热损抑制成极小,同时精确地预测、检测研磨结束时间点,且能当场精确算出应除去的残膜量及研磨率等,而得以正确地评估既定的导电性膜是否被适当除去之研磨结束时间点之预测、检测方法及其设备以及实时膜厚监视方法及其设备为目的。本发明为达成上述目的遂提供如下之方法,其系使高频电感型传感器中之电感器接近既定的导电性膜,监视依该电感器所形成之磁力线而诱发于既定的导电性膜上的磁力线变化,根据研磨中之膜厚成为与以既定的导电性膜之材质作为一要素所决定之表皮深度对应的膜厚时之磁力线变化,检出膜厚基准点,再从该膜厚基准点来预测研磨结束时间点,且当场算出研磨率及应除去之残余膜厚量。

3. 发明专利

TW200912253A 研磨結束時間點之預測及/或檢測之方法及裝置與監視即時膜厚之方法及裝置 METHOD AND DEVICE FOR FORECASTING/DETECTING POLISHING END POINT AND METHOD AND DEVICE FOR MONITORING REAL-TIME FILM THICKNESS 审中-公开
简体标题：研磨结束时间点之预测及/或检测之方法及设备与监视实时膜厚之方法及设备 METHOD AND DEVICE FOR FORECASTING/DETECTING POLISHING END POINT AND METHOD AND DEVICE FOR MONITORING REAL-TIME FILM THICKNESS
公开(公告)号：TW200912253A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097127871
申请日：2008-07-23
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 北出惠太 KEITA KITADE
IPC分类号： G01B , H01L
CPC分类号： G01B7/107 , B24B37/005
摘要： [課題]本發明提供一種用以預測及/或檢測一研磨結束時間點之方法及裝置,以及用以監視一即時膜厚之方法及裝置,係能夠將渦電流引起的焦耳熱損抑制到極小,同時精確地預測及/或檢測一研磨結束時間點,且能即時精確計算出應除去的殘膜量及研磨率等,並得以精確估算是否已適當去除預定導電薄膜。[解決手段]為達成上述目的,本發明提供如下方法,其中一高頻電感器型感測器中之一電感器36係設置於預定導電薄膜28鄰近處,且可監視經由該電感器36形成之磁力線於該預定導電薄膜28被誘導之磁力線變化,且在應用磁力線變化時,當膜厚成為相對應之表皮深度時,被研磨之膜厚係取決於預定導電薄膜28之材質,可在磁力線變化過程中檢測一用以預測研磨結束時間點之磁力線變化量,於是可從該磁力線變化量預測研磨結束時間點,並進一步立即計算出一研磨率及應除去之一殘餘膜厚量。
简体摘要： [课题]本发明提供一种用以预测及/或检测一研磨结束时间点之方法及设备,以及用以监视一实时膜厚之方法及设备,系能够将涡电流引起的焦耳热损抑制到极小,同时精确地预测及/或检测一研磨结束时间点,且能实时精确计算出应除去的残膜量及研磨率等,并得以精确估算是否已适当去除预定导电薄膜。[解决手段]为达成上述目的,本发明提供如下方法,其中一高频电感器型传感器中之一电感器36系设置于预定导电薄膜28邻近处,且可监视经由该电感器36形成之磁力线于该预定导电薄膜28被诱导之磁力线变化,且在应用磁力线变化时,当膜厚成为相对应之表皮深度时,被研磨之膜厚系取决于预定导电薄膜28之材质,可在磁力线变化过程中检测一用以预测研磨结束时间点之磁力线变化量,于是可从该磁力线变化量预测研磨结束时间点,并进一步立即计算出一研磨率及应除去之一残余膜厚量。

4. 发明专利

TW200839863A 晶圓研磨監視方法 WAFER POLISH MONITORING METHOD AND DEVICE 审中-公开
简体标题：晶圆研磨监视方法 WAFER POLISH MONITORING METHOD AND DEVICE
公开(公告)号：TW200839863A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096148537
申请日：2007-12-19
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 北出惠太 KEITA KITADE
IPC分类号： H01L , G01B , B24B
CPC分类号： B24B49/10 , H01L22/26
摘要： [課題]本發明提供一種在未受研磨漿等影響之下監視在導電性膜到達由集膚深度所定義之極薄膜厚以後之膜厚變化而高精度且確實地檢出該導電性膜之研磨終點的晶圓研磨監視方法及其裝置為目的。[解決手段]本發明為達成上述目的,係提供一種晶圓研磨監視方法,其係在與晶圓W表面的導電性膜8對向的部位形成高頻傳送通道9,且由通過高頻傳送通道9而逃脫之穿透電磁波和未通過高頻傳送通道9並作反射的反射電磁波之至少任一來評估導電性膜8的研磨除去狀態,並檢出與研磨除去的結束點及研磨除去的結束時間點對應的時間點。
简体摘要： [课题]本发明提供一种在未受研磨浆等影响之下监视在导电性膜到达由集肤深度所定义之极薄膜厚以后之膜厚变化而高精度且确实地检出该导电性膜之研磨终点的晶圆研磨监视方法及其设备为目的。[解决手段]本发明为达成上述目的,系提供一种晶圆研磨监视方法,其系在与晶圆W表面的导电性膜8对向的部位形成高频发送信道9,且由通过高频发送信道9而逃脱之穿透电磁波和未通过高频发送信道9并作反射的反射电磁波之至少任一来评估导电性膜8的研磨除去状态,并检出与研磨除去的结束点及研磨除去的结束时间点对应的时间点。

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