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1. 发明专利

TW201321452A 經表面被覆處理之無機粉體审中-公开
简体标题：经表面被覆处理之无机粉体
公开(公告)号：TW201321452A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101138504
申请日：2012-10-18
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：島田幹也 , SHIMADA, MIKIYA , 中本憲史 , NAKAMOTO, NORIFUMI , 荒井香太郎 , ARAI, KOUTAROU , 肥高友也 , HIDAKA, TOMOYA
IPC分类号： C09C3/12 , B05D1/18 , B05D7/24
CPC分类号： C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995
摘要：本發明係提供一種具有新穎之物性之經表面被覆處理之無機粉體。經表面被覆處理之無機粉體係由單分子膜被覆之無機粉體，該單分子膜係由式(I)所表示之至少一種結構單元而形成：(式中，R1表示亦可具有取代基之碳數1~30之烷基，X1及X2分別獨立地表示羥基、OR2或O-Si鍵之任意者，‧表示與無機粉體側之原子之鍵結位置)；且該單分子膜之至少一部分具有結晶性。上述經表面被覆處理之無機粉體係例如藉由如下方式而得以製造：使無機粉體與含有如下物質之有機薄膜形成溶液接觸：(A)式(II)所表示之至少一種化合物：(式中，R1表示亦可具有取代基之碳數1~30之烷基，X3表示水解性基，n表示1~3之任意整數)、(B)10 ppm~飽和濃度之水、及(C)有機溶劑， R1Si(OH)nX33-n (II)。
简体摘要：本发明系提供一种具有新颖之物性之经表面被覆处理之无机粉体。经表面被覆处理之无机粉体系由单分子膜被覆之无机粉体，该单分子膜系由式(I)所表示之至少一种结构单元而形成：(式中，R1表示亦可具有取代基之碳数1~30之烷基，X1及X2分别独立地表示羟基、OR2或O-Si键之任意者，‧表示与无机粉体侧之原子之键结位置)；且该单分子膜之至少一部分具有结晶性。上述经表面被覆处理之无机粉体系例如借由如下方式而得以制造：使无机粉体与含有如下物质之有机薄膜形成溶液接触：(A)式(II)所表示之至少一种化合物：(式中，R1表示亦可具有取代基之碳数1~30之烷基，X3表示水解性基，n表示1~3之任意整数)、(B)10 ppm~饱和浓度之水、及(C)有机溶剂， R1Si(OH)nX33-n (II)。

2. 发明专利

TWI470651B 積層體及其製造方法有权
简体标题：积层体及其制造方法
公开(公告)号：TWI470651B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101128739
申请日：2012-08-09
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：荒井香太郎 , ARAI, KOUTAROU , 瀨田康弘 , SETA, YASUHIRO , 小川一幸 , OGAWA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H05K1/092 , C23C18/1216 , C23C18/1229 , C23C18/1258 , C23C18/1291

3. 发明专利

TWI466960B 經表面被覆處理之無機粉體有权
简体标题：经表面被覆处理之无机粉体
公开(公告)号：TWI466960B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW101138504
申请日：2012-10-18
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：島田幹也 , SHIMADA, MIKIYA , 中本憲史 , NAKAMOTO, NORIFUMI , 荒井香太郎 , ARAI, KOUTAROU , 肥高友也 , HIDAKA, TOMOYA
IPC分类号： C09C3/12 , B05D1/18 , B05D7/24
CPC分类号： C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995

4. 发明专利

TW201314709A 積層體及其製造方法审中-公开
简体标题：积层体及其制造方法
公开(公告)号：TW201314709A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101128739
申请日：2012-08-09
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：荒井香太郎 , ARAI, KOUTAROU , 瀨田康弘 , SETA, YASUHIRO , 小川一幸 , OGAWA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H05K1/092 , C23C18/1216 , C23C18/1229 , C23C18/1258 , C23C18/1291
摘要：本發明揭示一種積層體及其製造方法，該積層體具有：基板：其於表面具有縱橫比為1.5~100之凹凸；及導電膜：其以大致均勻之厚度積層於上述凹凸中之底、側壁面及頂，為選自由ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜、及IGZO膜所組成之群中之任一種。
简体摘要：本发明揭示一种积层体及其制造方法，该积层体具有：基板：其于表面具有纵横比为1.5~100之凹凸；及导电膜：其以大致均匀之厚度积层于上述凹凸中之底、侧壁面及顶，为选自由ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜、及IGZO膜所组成之群中之任一种。

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