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1. 发明专利

TW201321452A 經表面被覆處理之無機粉體审中-公开
简体标题：经表面被覆处理之无机粉体
公开(公告)号：TW201321452A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101138504
申请日：2012-10-18
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：島田幹也 , SHIMADA, MIKIYA , 中本憲史 , NAKAMOTO, NORIFUMI , 荒井香太郎 , ARAI, KOUTAROU , 肥高友也 , HIDAKA, TOMOYA
IPC分类号： C09C3/12 , B05D1/18 , B05D7/24
CPC分类号： C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995
摘要：本發明係提供一種具有新穎之物性之經表面被覆處理之無機粉體。經表面被覆處理之無機粉體係由單分子膜被覆之無機粉體，該單分子膜係由式(I)所表示之至少一種結構單元而形成：(式中，R1表示亦可具有取代基之碳數1~30之烷基，X1及X2分別獨立地表示羥基、OR2或O-Si鍵之任意者，‧表示與無機粉體側之原子之鍵結位置)；且該單分子膜之至少一部分具有結晶性。上述經表面被覆處理之無機粉體係例如藉由如下方式而得以製造：使無機粉體與含有如下物質之有機薄膜形成溶液接觸：(A)式(II)所表示之至少一種化合物：(式中，R1表示亦可具有取代基之碳數1~30之烷基，X3表示水解性基，n表示1~3之任意整數)、(B)10 ppm~飽和濃度之水、及(C)有機溶劑， R1Si(OH)nX33-n (II)。
简体摘要：本发明系提供一种具有新颖之物性之经表面被覆处理之无机粉体。经表面被覆处理之无机粉体系由单分子膜被覆之无机粉体，该单分子膜系由式(I)所表示之至少一种结构单元而形成：(式中，R1表示亦可具有取代基之碳数1~30之烷基，X1及X2分别独立地表示羟基、OR2或O-Si键之任意者，‧表示与无机粉体侧之原子之键结位置)；且该单分子膜之至少一部分具有结晶性。上述经表面被覆处理之无机粉体系例如借由如下方式而得以制造：使无机粉体与含有如下物质之有机薄膜形成溶液接触：(A)式(II)所表示之至少一种化合物：(式中，R1表示亦可具有取代基之碳数1~30之烷基，X3表示水解性基，n表示1~3之任意整数)、(B)10 ppm~饱和浓度之水、及(C)有机溶剂， R1Si(OH)nX33-n (II)。

2. 发明专利

TWI537420B 疏水化表面基板之製造方法失效
简体标题：疏水化表面基板之制造方法
公开(公告)号：TWI537420B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW104109580
申请日：2015-03-25
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：肥高友也 , HIDAKA, TOMOYA , 島田幹也 , SHIMADA, MIKIYA
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/16 , B05D3/02 , B05D7/24 , B05D5/00
CPC分类号： C03C17/3405 , B05D5/08 , B05D2201/00 , B05D2202/00 , B05D2203/35 , B05D2350/63 , C03C2217/76

3. 发明专利

TWI595000B 有機薄膜形成用溶液及使用其之有機薄膜形成方法有权
简体标题：有机薄膜形成用溶液及使用其之有机薄膜形成方法
公开(公告)号：TWI595000B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW104109434
申请日：2015-03-24
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：肥高友也 , HIDAKA, TOMOYA , 島田幹也 , SHIMADA, MIKIYA
IPC分类号： C07F7/00 , C07F7/10 , H01L21/20
CPC分类号： C07F7/10 , C08G77/26 , C09D183/08

4. 发明专利

TW201540722A 有機薄膜形成用溶液及使用其之有機薄膜形成方法审中-公开
简体标题：有机薄膜形成用溶液及使用其之有机薄膜形成方法
公开(公告)号：TW201540722A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104109434
申请日：2015-03-24
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：肥高友也 , HIDAKA, TOMOYA , 島田幹也 , SHIMADA, MIKIYA
IPC分类号： C07F7/00 , C07F7/10 , H01L21/20
CPC分类号： C07F7/10 , C08G77/26 , C09D183/08
摘要：本發明之目的在於提供一種可迅速地成膜，並且無需進行繁雜之管理便可製造雜質較少且緻密之無色透明之有機薄膜的方法。本發明係使用含有式(I)所表示之有機金屬化合物之有機薄膜形成用溶液而形成有機薄膜；R1nMXm-n (I) (式(I)中，R1表示可具有取代基或連結基之碳數14~30之脂肪族烴基、可具有取代基或連結基之碳數14~30之鹵化脂肪族烴基，M表示選自由矽原子、鍺原子、錫原子、鈦原子、及鋯原子所組成之群中之至少一種金屬原子，X表示羥基或-NR22基，X中之至少兩個表示-NR22基，R2表示氫原子、可具有取代基之碳數1~10之烷基、或可具有取代基之苯基，R2彼此可相同亦可不同，m表示M之原子價。 n表示1至(m-2)中之任一正整數，於n為2以上之情形時，R1可相同亦可不同)。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可迅速地成膜，并且无需进行繁杂之管理便可制造杂质较少且致密之无色透明之有机薄膜的方法。本发明系使用含有式(I)所表示之有机金属化合物之有机薄膜形成用溶液而形成有机薄膜；R1nMXm-n (I) (式(I)中，R1表示可具有取代基或链接基之碳数14~30之脂肪族烃基、可具有取代基或链接基之碳数14~30之卤化脂肪族烃基，M表示选自由硅原子、锗原子、锡原子、钛原子、及锆原子所组成之群中之至少一种金属原子，X表示羟基或-NR22基，X中之至少两个表示-NR22基，R2表示氢原子、可具有取代基之碳数1~10之烷基、或可具有取代基之苯基，R2彼此可相同亦可不同，m表示M之原子价。 n表示1至(m-2)中之任一正整数，于n为2以上之情形时，R1可相同亦可不同)。

5. 发明专利

TW201602407A 疏水化表面基板之製造方法失效
简体标题：疏水化表面基板之制造方法
公开(公告)号：TW201602407A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104109580
申请日：2015-03-25
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：肥高友也 , HIDAKA, TOMOYA , 島田幹也 , SHIMADA, MIKIYA
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/16 , B05D3/02 , B05D7/24 , B05D5/00
CPC分类号： C03C17/3405 , B05D5/08 , B05D2201/00 , B05D2202/00 , B05D2203/35 , B05D2350/63 , C03C2217/76
摘要：本發明之目的在於提供一種於塑膠製、金屬製、或玻璃製基板上形成密接性優異之金屬氧化物薄膜，進而最終對表面進行疏水化之方法。將塑膠製、金屬製、或玻璃製基板藉由以式(I)所表示之金屬烷氧化物進行處理，進而藉由以式(II)所表示之有機矽烷化合物進行處理，藉此可簡便地對該基板表面進行疏水化。 M(OR1)4 (I) (式(I)中，R1表示碳數4以上之烴基，M表示鈦原子或鋯原子) R2-Si-X3 (II) (式中，R2表示未經取代或具有取代基之碳數15以上之烴基，X表示羥基或水解性基，X可相同亦可不同)
简体摘要：本发明之目的在于提供一种于塑胶制、金属制、或玻璃制基板上形成密接性优异之金属氧化物薄膜，进而最终对表面进行疏水化之方法。将塑胶制、金属制、或玻璃制基板借由以式(I)所表示之金属烷氧化物进行处理，进而借由以式(II)所表示之有机硅烷化合物进行处理，借此可简便地对该基板表面进行疏水化。 M(OR1)4 (I) (式(I)中，R1表示碳数4以上之烃基，M表示钛原子或锆原子) R2-Si-X3 (II) (式中，R2表示未经取代或具有取代基之碳数15以上之烃基，X表示羟基或水解性基，X可相同亦可不同)

6. 发明专利

TWI466960B 經表面被覆處理之無機粉體有权
简体标题：经表面被覆处理之无机粉体
公开(公告)号：TWI466960B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW101138504
申请日：2012-10-18
申请人：日本曹達股份有限公司 , NIPPON SODA CO., LTD.
发明人：島田幹也 , SHIMADA, MIKIYA , 中本憲史 , NAKAMOTO, NORIFUMI , 荒井香太郎 , ARAI, KOUTAROU , 肥高友也 , HIDAKA, TOMOYA
IPC分类号： C09C3/12 , B05D1/18 , B05D7/24
CPC分类号： C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995

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