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1. 发明专利

TW202018796A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW202018796A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108140153
申请日：2019-11-05
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 松澤稔 , MATSUZAWA, MINORU , 木內逸人 , KIUCHI, HAYATO , 淀良彰 , YODO, YOSHIAKI , 荒川太朗 , ARAKAWA, TARO , 上里昌充 , AGARI, MASAMITSU , 河村慧美子 , KAWAMURA, EMIKO , 藤井祐介 , FUJII, YUSUKE , 宮井俊輝 , MIYAI, TOSHIKI , 大前卷子 , OHMAE, MAKIKO
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/00
摘要： [課題]在不使品質降低的情形下形成元件晶片。 [解決手段]一種晶圓的加工方法，讓已將複數個元件形成在藉由分割預定線所區劃出的正面的各區域中之晶圓分割成一個個的元件晶片，前述晶圓的加工方法具備以下步驟：聚烯烴系片材配設步驟，將晶圓定位在具有容置晶圓之開口的框架的該開口內，並將聚烯烴系片材配設在晶圓的背面與框架的外周；一體化步驟，將該聚烯烴系片材加熱並藉由熱壓接來將晶圓及該框架透過該聚烯烴系片材一體化；分割步驟，沿著該分割預定線照射對該晶圓具有吸收性之波長的雷射光束，而形成分割溝來將該晶圓分割成一個個的元件晶片；及拾取步驟，藉由噴附空氣來將元件晶片頂推，並從該聚烯烴系片材拾取一個個的該元件晶片。
简体摘要： [课题]在不使品质降低的情形下形成组件芯片。 [解决手段]一种晶圆的加工方法，让已将复数个组件形成在借由分割预定线所区划出的正面的各区域中之晶圆分割成一个个的组件芯片，前述晶圆的加工方法具备以下步骤：聚烯烃系片材配设步骤，将晶圆定位在具有容置晶圆之开口的框架的该开口内，并将聚烯烃系片材配设在晶圆的背面与框架的外周；一体化步骤，将该聚烯烃系片材加热并借由热压接来将晶圆及该框架透过该聚烯烃系片材一体化；分割步骤，沿着该分割预定线照射对该晶圆具有吸收性之波长的激光光束，而形成分割沟来将该晶圆分割成一个个的组件芯片；及十取步骤，借由喷附空气来将组件芯片顶推，并从该聚烯烃系片材十取一个个的该组件芯片。

2. 发明专利

TW202022934A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW202022934A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108144169
申请日：2019-12-03
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 松澤稔 , MATSUZAWA, MINORU , 木內逸人 , KIUCHI, HAYATO , 淀良彰 , YODO, YOSHIAKI , 荒川太朗 , ARAKAWA, TARO , 上里昌充 , AGARI, MASAMITSU , 河村慧美子 , KAWAMURA, EMIKO , 藤井祐介 , FUJII, YUSUKE , 宮井俊輝 , MIYAI, TOSHIKI , 大前卷子 , OHMAE, MAKIKO
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/20
摘要： [課題]在不使品質降低的情形下形成器件晶片。 [解決手段]一種晶圓的加工方法，讓已將複數個器件形成在藉由分割預定線所區劃出的正面的各區域中之晶圓分割成一個個的器件晶片，前述晶圓的加工方法具備以下步驟：聚酯系片材配設步驟，將晶圓定位在具有容置晶圓之開口的框架的該開口內，並將聚酯系片材配設在晶圓的背面與框架的外周；一體化步驟，將該聚酯系片材加熱並藉由熱壓接來將晶圓及該框架透過該聚酯系片材一體化；分割步驟，沿著該分割預定線照射對該晶圓具有吸收性之波長的雷射光束，而形成分割溝來將該晶圓分割成一個個的器件晶片；及拾取步驟，將該聚酯系片材加熱，並將器件晶片頂堆，而從該聚酯系片材拾取該器件晶片。
简体摘要： [课题]在不使品质降低的情形下形成器件芯片。 [解决手段]一种晶圆的加工方法，让已将复数个器件形成在借由分割预定线所区划出的正面的各区域中之晶圆分割成一个个的器件芯片，前述晶圆的加工方法具备以下步骤：聚酯系片材配设步骤，将晶圆定位在具有容置晶圆之开口的框架的该开口内，并将聚酯系片材配设在晶圆的背面与框架的外周；一体化步骤，将该聚酯系片材加热并借由热压接来将晶圆及该框架透过该聚酯系片材一体化；分割步骤，沿着该分割预定线照射对该晶圆具有吸收性之波长的激光光束，而形成分割沟来将该晶圆分割成一个个的器件芯片；及十取步骤，将该聚酯系片材加热，并将器件芯片顶堆，而从该聚酯系片材十取该器件芯片。

3. 发明专利

TW201947656A 晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201947656A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108116380
申请日：2019-05-13
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 松澤稔 , MATSUZAWA, MINORU , 木內人 , KIUCHI, HAYATO , 淀良彰 , YODO, YOSHIAKI , 荒川太朗 , ARAKAWA, TARO , 上里昌充 , AGARI, MASAMITSU , 河村慧美子 , KAWAMURA, EMIKO , 藤井祐介 , FUJII, YUSUKE , 宮井俊輝 , MIYAI, TOSHIKI , 大前卷子 , OHMAE, MAKIKO
IPC分类号： H01L21/304
摘要： [課題] 不會使品質下降地形成裝置晶片。 [解決手段] 一種晶圓之加工方法，其係將在藉由分割預定線被區劃的表面之各區域形成有複數裝置的晶圓，分割成各個裝置晶片，該晶圓之加工方法具備:聚酯系薄片配設工程，其係將晶圓定位在具有收容晶圓之開口的框體之該開口內，在晶圓之背面和框體之外周配設聚酯系薄片；一體化工程，其係加熱該聚酯系薄片且藉由熱壓接隔著該聚酯系薄片使該晶圓和該框體予以一體化；分割工程，其係使用具備能夠使切削刀旋轉之切削裝置而沿著分割預定線切削該晶圓而將該晶圓分割成各個裝置晶片；及拾取工程，其係從該聚酯系薄片拾取各個裝置晶片。
简体摘要： [课题] 不会使品质下降地形成设备芯片。 [解决手段] 一种晶圆之加工方法，其系将在借由分割预定线被区划的表面之各区域形成有复数设备的晶圆，分割成各个设备芯片，该晶圆之加工方法具备:聚酯系薄片配设工程，其系将晶圆定位在具有收容晶圆之开口的框体之该开口内，在晶圆之背面和框体之外周配设聚酯系薄片；一体化工程，其系加热该聚酯系薄片且借由热压接隔着该聚酯系薄片使该晶圆和该框体予以一体化；分割工程，其系使用具备能够使切削刀旋转之切削设备而沿着分割预定线切削该晶圆而将该晶圆分割成各个设备芯片；及十取工程，其系从该聚酯系薄片十取各个设备芯片。

4. 发明专利

TW202011466A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW202011466A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108132091
申请日：2019-09-05
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 松澤稔 , MATSUZAWA, MINORU , 木內逸人 , KIUCHI, HAYATO , 淀良彰 , YODO, YOSHIAKI , 荒川太朗 , ARAKAWA, TARO , 上里昌充 , AGARI, MASAMITSU , 河村慧美子 , KAWAMURA, EMIKO , 藤井祐介 , FUJII, YUSUKE , 宮井俊輝 , MIYAI, TOSHIKI , 大前卷子 , OHMAE, MAKIKO
IPC分类号： H01L21/301
摘要： [課題]在不使品質降低的情況下形成元件晶片。 [解決手段]一種晶圓的加工方法，讓已將複數個元件形成在藉由分割預定線所區劃出的正面的各區域中之晶圓分割成一個個的元件晶片，前述晶圓的加工方法具備以下步驟：聚酯系片材配設步驟，將晶圓定位在具有容置晶圓之開口的框架的該開口內，並將聚酯系片材配設在晶圓的背面及框架的外周；一體化步驟，將該聚酯系片材加熱而藉由熱壓接來將晶圓及該框架透過該聚酯系片材而一體化；分割步驟，使用可旋轉地設置有切割刀片的切割裝置來沿著分割預定線切割該晶圓，以將該晶圓分割成一個個的元件晶片；以及拾取步驟，對該聚酯系片材賦與超音波，並將元件晶片頂推，而拾取該元件晶片。
简体摘要： [课题]在不使品质降低的情况下形成组件芯片。 [解决手段]一种晶圆的加工方法，让已将复数个组件形成在借由分割预定线所区划出的正面的各区域中之晶圆分割成一个个的组件芯片，前述晶圆的加工方法具备以下步骤：聚酯系片材配设步骤，将晶圆定位在具有容置晶圆之开口的框架的该开口内，并将聚酯系片材配设在晶圆的背面及框架的外周；一体化步骤，将该聚酯系片材加热而借由热压接来将晶圆及该框架透过该聚酯系片材而一体化；分割步骤，使用可旋转地设置有切割刀片的切割设备来沿着分割预定线切割该晶圆，以将该晶圆分割成一个个的组件芯片；以及十取步骤，对该聚酯系片材赋与超音波，并将组件芯片顶推，而十取该组件芯片。

5. 发明专利

TW202008442A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW202008442A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126979
申请日：2019-07-30
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 松澤稔 , MATSUZAWA, MINORU , 木內逸人 , KIUCHI, HAYATO , 淀良彰 , YODO, YOSHIAKI , 荒川太朗 , ARAKAWA, TARO , 上里昌充 , AGARI, MASAMITSU , 河村慧美子 , KAWAMURA, EMIKO , 藤井祐介 , FUJII, YUSUKE , 宮井俊輝 , MIYAI, TOSHIKI , 大前卷子 , OHMAE, MAKIKO
IPC分类号： H01L21/301
摘要： [課題]在不使品質降低的情況下形成器件晶片。 [解決手段]一種晶圓的加工方法，讓已將複數個器件形成在藉由分割預定線所區劃出的正面的各區域中之晶圓分割成一個個的器件晶片，前述晶圓的加工方法具備以下步驟：聚烯烴系片材配設步驟，將晶圓定位在具有容置晶圓之開口的框架的該開口內，並將聚烯烴系片材配設在晶圓的背面及框架的外周；一體化步驟，將該聚烯烴系片材加熱而藉由熱壓接來將晶圓及該框架透過該聚烯烴系片材而一體化；分割步驟，使用可旋轉地設置有切割刀片的切割裝置來沿著分割預定線切割該晶圓，以將該晶圓分割成一個個的器件晶片；以及拾取步驟，將該聚烯烴系片材冷卻，並頂推器件晶片，而拾取該器件晶片。
简体摘要： [课题]在不使品质降低的情况下形成器件芯片。 [解决手段]一种晶圆的加工方法，让已将复数个器件形成在借由分割预定线所区划出的正面的各区域中之晶圆分割成一个个的器件芯片，前述晶圆的加工方法具备以下步骤：聚烯烃系片材配设步骤，将晶圆定位在具有容置晶圆之开口的框架的该开口内，并将聚烯烃系片材配设在晶圆的背面及框架的外周；一体化步骤，将该聚烯烃系片材加热而借由热压接来将晶圆及该框架透过该聚烯烃系片材而一体化；分割步骤，使用可旋转地设置有切割刀片的切割设备来沿着分割预定线切割该晶圆，以将该晶圆分割成一个个的器件芯片；以及十取步骤，将该聚烯烃系片材冷却，并顶推器件芯片，而十取该器件芯片。

6. 发明专利

TW201812882A 晶片間隔維持方法审中-公开
简体标题：芯片间隔维持方法
公开(公告)号：TW201812882A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106126221
申请日：2017-08-03
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 趙金艷 , ZHAO, JINYAN
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/52
摘要： [課題]在將藉由加熱並不會收縮的擴展片貼附於被加工物的情況下，仍做到維持晶片的間隔為已擴張的狀態，並且不產生因片材鬆弛所造成的晶片彼此之接觸。 [解決手段]具備晶片間隔形成步驟及片材收縮步驟，該晶片間隔形成步驟是將片材擴張以於晶片間形成間隔，該片材收縮步驟是在實施晶片間隔形成步驟後，在維持晶片間的間隔的狀態下對框架與被加工物之間的片材加熱，而使已在被加工物外周側被延展的片材收縮，並具備在片材收縮步驟的實施之前，在框架與被加工物之間的片材貼附複數個熱收縮膠帶的步驟，且在片材收縮步驟中是將框架與被加工物之間的片材與膠帶一起加熱，來使片材之貼附有膠帶的區域收縮。
简体摘要： [课题]在将借由加热并不会收缩的扩展片贴附于被加工物的情况下，仍做到维持芯片的间隔为已扩张的状态，并且不产生因片材松弛所造成的芯片彼此之接触。 [解决手段]具备芯片间隔形成步骤及片材收缩步骤，该芯片间隔形成步骤是将片材扩张以于芯片间形成间隔，该片材收缩步骤是在实施芯片间隔形成步骤后，在维持芯片间的间隔的状态下对框架与被加工物之间的片材加热，而使已在被加工物外周侧被延展的片材收缩，并具备在片材收缩步骤的实施之前，在框架与被加工物之间的片材贴附复数个热收缩胶带的步骤，且在片材收缩步骤中是将框架与被加工物之间的片材与胶带一起加热，来使片材之贴附有胶带的区域收缩。

7. 发明专利

TW202008443A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW202008443A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108127351
申请日：2019-08-01
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 松澤稔 , MATSUZAWA, MINORU , 木內逸人 , KIUCHI, HAYATO , 淀良彰 , YODO, YOSHIAKI , 荒川太朗 , ARAKAWA, TARO , 上里昌充 , AGARI, MASAMITSU , 河村慧美子 , KAWAMURA, EMIKO , 藤井祐介 , FUJII, YUSUKE , 宮井俊輝 , MIYAI, TOSHIKI , 大前卷子 , OHMAE, MAKIKO
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/304
摘要： [課題]在不使品質降低的情況下形成器件晶片。 [解決手段]一種晶圓的加工方法，讓已將複數個器件形成在藉由分割預定線所區劃出的正面的各區域中之晶圓分割成一個個的器件晶片，前述晶圓的加工方法具備以下步驟：聚酯系片材配設步驟，將晶圓定位在具有容置晶圓之開口的框架的該開口內，並將聚酯系片材配設在晶圓的背面及框架的外周；一體化步驟，將該聚酯系片材加熱而藉由熱壓接來將晶圓及該框架透過該聚酯系片材而一體化；分割步驟，使用可旋轉地設置有切割刀片的切割裝置來沿著分割預定線切割該晶圓，以將該晶圓分割成一個個的器件晶片；以及拾取步驟，將該聚酯系片材冷卻，並頂推器件晶片，而拾取該器件晶片。
简体摘要： [课题]在不使品质降低的情况下形成器件芯片。 [解决手段]一种晶圆的加工方法，让已将复数个器件形成在借由分割预定线所区划出的正面的各区域中之晶圆分割成一个个的器件芯片，前述晶圆的加工方法具备以下步骤：聚酯系片材配设步骤，将晶圆定位在具有容置晶圆之开口的框架的该开口内，并将聚酯系片材配设在晶圆的背面及框架的外周；一体化步骤，将该聚酯系片材加热而借由热压接来将晶圆及该框架透过该聚酯系片材而一体化；分割步骤，使用可旋转地设置有切割刀片的切割设备来沿着分割预定线切割该晶圆，以将该晶圆分割成一个个的器件芯片；以及十取步骤，将该聚酯系片材冷却，并顶推器件芯片，而十取该器件芯片。

8. 发明专利

TW202007742A 晶圓加工方法审中-公开
简体标题：晶圆加工方法
公开(公告)号：TW202007742A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108125994
申请日：2019-07-23
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI , 趙金艶 , ZHAO, JINYAN
IPC分类号： C09J7/20 , C09J7/35 , C09J7/40 , H01L21/301
摘要： [課題]本發明提供一種晶圓加工方法，在將晶圓分割成一個個元件晶片之際，不會使元件之品質降低。[解決手段]一種晶圓加工方法，將有多個元件由互相交叉的多條分割預定線所劃分而形成於正面之晶圓分割成一個個元件晶片；該晶圓加工方法包含：晶圓配設步驟，在支撐晶圓之基板的上表面鋪設聚烯烴系片或是聚酯系片的任一種薄片，再將晶圓的背面定位並配設於薄片的上表面；薄片熱壓接合步驟，使透過薄片而配設於基板之晶圓在密閉環境內減壓，對薄片加熱並且推壓晶圓，以將晶圓透過薄片熱壓接合於基板；以及分割步驟，將切割刀片定位於晶圓的正面並對分割預定線進行切割，以將晶圓分割成一個個元件晶片。
简体摘要： [课题]本发明提供一种晶圆加工方法，在将晶圆分割成一个个组件芯片之际，不会使组件之品质降低。[解决手段]一种晶圆加工方法，将有多个组件由互相交叉的多条分割预定线所划分而形成于正面之晶圆分割成一个个组件芯片；该晶圆加工方法包含：晶圆配设步骤，在支撑晶圆之基板的上表面铺设聚烯烃系片或是聚酯系片的任一种薄片，再将晶圆的背面定位并配设于薄片的上表面；薄片热压接合步骤，使透过薄片而配设于基板之晶圆在密闭环境内减压，对薄片加热并且推压晶圆，以将晶圆透过薄片热压接合于基板；以及分割步骤，将切割刀片定位于晶圆的正面并对分割预定线进行切割，以将晶圆分割成一个个组件芯片。

9. 发明专利

TW201834048A 吸盤座之阻塞檢測方法及加工裝置审中-公开
简体标题：吸盘座之阻塞检测方法及加工设备
公开(公告)号：TW201834048A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106142324
申请日：2017-12-04
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：松井秀樹 , MATSUI, HIDEKI , 原田成規 , HARADA, SHIGENORI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/68
摘要： [課題] 檢測吸盤座的阻塞時，不會耗費時間，而且，不會耗費作業者的勞力。　　[解決手段] 本發明之吸盤座之阻塞檢測方法係檢測吸盤座(30A)之阻塞的檢測方法，其包含：在使空氣與水噴出至吸盤座(30A)的保持面(300a)的狀態下，對吸盤座(30A)的保持面(300a)進行攝像的攝像步驟；將所攝像的畫像進行二值化處理的畫像處理步驟；及藉由在畫像處理步驟中經二值化處理的畫像，判斷吸盤座(30A)之阻塞量的判斷步驟。
简体摘要： [课题] 检测吸盘座的阻塞时，不会耗费时间，而且，不会耗费作业者的劳力。　　[解决手段] 本发明之吸盘座之阻塞检测方法系检测吸盘座(30A)之阻塞的检测方法，其包含：在使空气与水喷出至吸盘座(30A)的保持面(300a)的状态下，对吸盘座(30A)的保持面(300a)进行摄像的摄像步骤；将所摄像的画像进行二值化处理的画像处理步骤；及借由在画像处理步骤中经二值化处理的画像，判断吸盘座(30A)之阻塞量的判断步骤。

10. 发明专利

TW202007479A 研削裝置的原點位置設定機構以及原點位置設定方法审中-公开
简体标题：研削设备的原点位置设置机构以及原点位置设置方法
公开(公告)号：TW202007479A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126586
申请日：2019-07-26
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：木村泰一朗 , KIMURA, TAICHIRO , 原田成規 , HARADA, SHIGENORI , 山下真司 , YAMASHITA, SHINJI
IPC分类号： B24B47/22 , B24B49/10 , B24B7/00
摘要： [課題]不使用接觸感應器而高精確度地進行研削裝置的設置。[解決手段] 一種在研削裝置1設定磨石641之相對於卡盤台30的的原點位置之機構，；該研削裝置1具備：研削單元6，具備主軸60及使主軸60旋轉之馬達62，主軸60裝設有研削磨石641；及單元進給機構7，使研削單元6在垂直方向上移動，該機構9係具備：電流值檢測手段90，檢測馬達62的負載電流值；研削單元位置檢測手段91，檢測藉由單元進給機構7移動之研削單元6的位置；及控制手段92，根據從電流值檢測手段90及位置檢測手段91所得到的訊號設定原點位置，控制手段92係藉由單元進給機構7而使旋轉之磨石641垂直移動，並使磨石研削面與保持於卡盤台30之修整板B表面接觸，藉此，將在馬達負載電流值變成為閾值以上時的由位置檢測手段91所檢測出之位置減去修整板B厚度所得之位置，設定為原點位置。
简体摘要： [课题]不使用接触感应器而高精确度地进行研削设备的设置。[解决手段] 一种在研削设备1设置磨石641之相对于卡盘台30的的原点位置之机构，；该研削设备1具备：研削单元6，具备主轴60及使主轴60旋转之马达62，主轴60装设有研削磨石641；及单元进给机构7，使研削单元6在垂直方向上移动，该机构9系具备：电流值检测手段90，检测马达62的负载电流值；研削单元位置检测手段91，检测借由单元进给机构7移动之研削单元6的位置；及控制手段92，根据从电流值检测手段90及位置检测手段91所得到的信号设置原点位置，控制手段92系借由单元进给机构7而使旋转之磨石641垂直移动，并使磨石研削面与保持于卡盘台30之修整板B表面接触，借此，将在马达负载电流值变成为阈值以上时的由位置检测手段91所检测出之位置减去修整板B厚度所得之位置，设置为原点位置。

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