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    • 2. 发明专利
    • 基板處理控制系統、基板處理控制方法、以及程式
    • 基板处理控制系统、基板处理控制方法、以及进程
    • TW201832872A
    • 2018-09-16
    • TW106132250
    • 2017-09-20
    • 日商荏原製作所股份有限公司EBARA CORPORATION
    • 武田晃一TAKEDA, KOICHI鳥越恒男TORIKOSHI, TSUNEO大石邦夫OISHI, KUNIO渡辺和英WATANABE, KATSUHIDE安田穂積YASUDA, HOZUMI石井遊ISHII, YU
    • B24B49/04B24B37/12H01L21/304
    • 本發明之局部研磨系統具備:微粒推斷部(30),其係推斷晶圓之膜厚分布;局部研磨部位設定部(11),其係依據膜厚分布設定晶圓之局部研磨部位;研磨頭選擇部(12),其係依據局部研磨部位之大小選擇研磨頭;模型記憶部(20),其係已記憶配方參數生成模型,該配方參數生成模型係將局部研磨部位之屬性作為輸入節點,將研磨處理之配方參數作為輸出節點,規定輸入節點與輸出節點之關係;研磨配方參數生成部(13),其係將局部研磨部位設定部(11)所設定之局部研磨部位的屬性適用於配方參數生成模型的輸入節點,求出研磨局部研磨部位之研磨配方參數;及研磨配方參數傳送部(15),其係傳送研磨配方參數之資料至局部進行研磨之局部研磨模組(200)。
    • 本发明之局部研磨系统具备:微粒推断部(30),其系推断晶圆之膜厚分布;局部研磨部位设置部(11),其系依据膜厚分布设置晶圆之局部研磨部位;研磨头选择部(12),其系依据局部研磨部位之大小选择研磨头;模型记忆部(20),其系已记忆配方参数生成模型,该配方参数生成模型系将局部研磨部位之属性作为输入节点,将研磨处理之配方参数作为输出节点,规定输入节点与输出节点之关系;研磨配方参数生成部(13),其系将局部研磨部位设置部(11)所设置之局部研磨部位的属性适用于配方参数生成模型的输入节点,求出研磨局部研磨部位之研磨配方参数;及研磨配方参数发送部(15),其系发送研磨配方参数之数据至局部进行研磨之局部研磨模块(200)。
    • 4. 发明专利
    • 基板研磨裝置之校正方法、校正裝置及校正程式
    • 基板研磨设备之校正方法、校正设备及校正进程
    • TW201728406A
    • 2017-08-16
    • TW105137234
    • 2016-11-15
    • 荏原製作所股份有限公司EBARA CORPORATION
    • 武田晃一TAKEDA, KOICHI
    • B24B37/005B24B37/20
    • B24B37/005B24B37/20
    • 本發明提供一種可簡易校正基板研磨裝置之校正方法、校正裝置及校正程式。該基板研磨裝置具備:研磨台;氣囊,其係將基板按壓於前述研磨台而構成,且按壓之壓力為可變;及壓力控制部,依輸入之壓力指令值控制前述氣囊的壓力,並且讀取前述氣囊之壓力,前述基板研磨裝置之校正方法校正前述壓力指令值、前述氣囊之壓力、與前述氣囊之壓力讀取值的關係;且前述校正方法具備:指令值輸入步驟(S2),其係依序將複數個壓力指令值輸入前述壓力控制部;計測值取得步驟(S3),其係分別對前述複數個壓力指令值取得以校正用壓力計所計測的前述氣囊之壓力計測值;讀取值取得步驟(S4),其係分別對前述複數個壓力指令值,從前述壓力控制部取得前述氣囊之壓力讀取值;及參數控制步驟(S6,S7),其係指定顯示前述壓力指令值與前述壓力計測值之關係的第一參數、與顯示前述壓力計測值與前述壓力讀取值之關係的第二參數。
    • 本发明提供一种可简易校正基板研磨设备之校正方法、校正设备及校正进程。该基板研磨设备具备:研磨台;气囊,其系将基板按压于前述研磨台而构成,且按压之压力为可变;及压力控制部,依输入之压力指令值控制前述气囊的压力,并且读取前述气囊之压力,前述基板研磨设备之校正方法校正前述压力指令值、前述气囊之压力、与前述气囊之压力读取值的关系;且前述校正方法具备:指令值输入步骤(S2),其系依序将复数个压力指令值输入前述压力控制部;计测值取得步骤(S3),其系分别对前述复数个压力指令值取得以校正用压力计所计测的前述气囊之压力计测值;读取值取得步骤(S4),其系分别对前述复数个压力指令值,从前述压力控制部取得前述气囊之压力读取值;及参数控制步骤(S6,S7),其系指定显示前述压力指令值与前述压力计测值之关系的第一参数、与显示前述压力计测值与前述压力读取值之关系的第二参数。