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1. 发明专利

TWI638449B 檢測器、正子發射斷層攝影裝置及Ｘ射線電腦斷層攝影裝置有权
简体标题：检测器、正子发射断层摄影设备及Ｘ射线电脑断层摄影设备
公开(公告)号：TWI638449B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW103105717
申请日：2014-02-20
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：藤井義磨郎 , FUJII, YOSHIMARO , 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 里健一 , SATO, KENICHI , 土屋龍太郎 , TSUCHIYA, RYUTARO
IPC分类号： H01L27/144 , G01T1/20 , G01T1/161 , H01L31/107

2. 发明专利

TWI675219B 檢測器有权
简体标题：检测器
公开(公告)号：TWI675219B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW103136957
申请日：2014-10-24
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：山本晃永 , YAMAMOTO, KOEI , 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 里健一 , SATO, KENICHI , 中村重幸 , NAKAMURA, SHIGEYUKI , 大桑勇樹 , OKUWA, YUKI
IPC分类号： G01T1/20

3. 发明专利

TW201613078A 光二極體陣列审中-公开
简体标题：光二极管数组
公开(公告)号：TW201613078A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104143447
申请日：2007-07-03
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 里健一 , SATO, KENICHI
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/14 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14636 , H01L31/107
摘要：本發明之光二極體陣列1，係在具有n型半導體層12之n型基板2上形成使被檢測光入射之複數之光檢測通道10而成者。光二極體陣列1包含：p-型半導體層13，其形成於基板2之n型半導體層12上；電阻4，其設置於每一光檢測通道10，且一端部連接於信號導線3；及n型分離部20，其形成於複數之光檢測通道10之間。p-型半導體層13係在與基板2之界面構成pn接合，且對應於光檢測通道具有複數之使藉由被檢測光之入射所產生之載子崩潰(avalanche)倍增之倍增區域AM。分離部20係形成為使p-型半導體層13之各倍增區域AM對應於各光檢測通道10而形成。
简体摘要：本发明之光二极管数组1，系在具有n型半导体层12之n型基板2上形成使被检测光入射之复数之光检测信道10而成者。光二极管数组1包含：p-型半导体层13，其形成于基板2之n型半导体层12上；电阻4，其设置于每一光检测信道10，且一端部连接于信号导线3；及n型分离部20，其形成于复数之光检测信道10之间。p-型半导体层13系在与基板2之界面构成pn接合，且对应于光检测信道具有复数之使借由被检测光之入射所产生之载子崩溃(avalanche)倍增之倍增区域AM。分离部20系形成为使p-型半导体层13之各倍增区域AM对应于各光检测信道10而形成。

4. 发明专利

TWI443817B 光二極體陣列有权
简体标题：光二极管数组
公开(公告)号：TWI443817B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW096124158
申请日：2007-07-03
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 里健一 , SATO, KENICHI
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/14 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14636 , H01L31/107

5. 发明专利

TW201743459A 光二極體陣列审中-公开
简体标题：光二极管数组
公开(公告)号：TW201743459A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106131491
申请日：2013-10-17
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山本晃永 , YAMAMOTO,KOEI , 永野輝昌 , NAGANO,TERUMASA , 山村和久 , YAMAMURA,KAZUHISA , 里健一 , SATO,KENICHI , 土屋龍太郎 , TSUCHIYA,RYUTARO
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/08 , H01L31/109
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L28/24 , H01L31/02027 , H01L31/022416 , H01L31/022466 , H01L31/107
摘要：本發明之目的在於提供一種高時間解析度之光二極體陣列。本發明之受光區域包含複數個光檢測部10，且各光檢測部10包含：第1導電型之第1半導體區域12；第2導電型之第2半導體區域13、14，其與第1半導體區域12構成pn接合；第1接觸電極3A，其與第2半導體區域接觸；第2接觸電極4A，其包含與第1接觸電極3A不同之材料，配置於重疊於第1接觸電極3A之位置，且與第1接觸電極接觸；及電阻層4B，其連續於第2接觸電極4A。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种高时间分辨率之光二极管数组。本发明之受光区域包含复数个光检测部10，且各光检测部10包含：第1导电型之第1半导体区域12；第2导电型之第2半导体区域13、14，其与第1半导体区域12构成pn接合；第1接触电极3A，其与第2半导体区域接触；第2接触电极4A，其包含与第1接触电极3A不同之材料，配置于重叠于第1接触电极3A之位置，且与第1接触电极接触；及电阻层4B，其连续于第2接触电极4A。

6. 发明专利

TW201417304A 光二極體陣列审中-公开
简体标题：光二极管数组
公开(公告)号：TW201417304A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102137575
申请日：2013-10-17
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山本晃永 , YAMAMOTO, KOEI , 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 里健一 , SATO, KENICHI , 土屋龍太郎 , TSUCHIYA, RYUTARO
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/08 , H01L31/109
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L28/24 , H01L31/02027 , H01L31/022416 , H01L31/022466 , H01L31/107
摘要：本發明之目的在於提供一種高時間解析度之光二極體陣列。本發明之受光區域包含複數個光檢測部10，且各光檢測部10包含：第1導電型之第1半導體區域12；第2導電型之第2半導體區域13、14，其與第1半導體區域12構成pn接合；第1接觸電極3A，其與第2半導體區域接觸；第2接觸電極4A，其包含與第1接觸電極3A不同之材料，配置於重疊於第1接觸電極3A之位置，且與第1接觸電極接觸；及電阻層4B，其連續於第2接觸電極4A。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种高时间分辨率之光二极管数组。本发明之受光区域包含复数个光检测部10，且各光检测部10包含：第1导电型之第1半导体区域12；第2导电型之第2半导体区域13、14，其与第1半导体区域12构成pn接合；第1接触电极3A，其与第2半导体区域接触；第2接触电极4A，其包含与第1接触电极3A不同之材料，配置于重叠于第1接触电极3A之位置，且与第1接触电极接触；及电阻层4B，其连续于第2接触电极4A。

7. 发明专利

TW201304180A 光電二極體陣列、基準電壓決定方法及建議動作電壓決定方法审中-公开
简体标题：光电二极管数组、基准电压决定方法及建议动作电压决定方法
公开(公告)号：TW201304180A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101100506
申请日：2012-01-05
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：里健一 , SATO, KENICHI , 鎌倉正吾 , KAMAKURA, SHOGO , 中村重幸 , NAKAMURA, SHIGEYUKI , 太田剛 , OHTA, TSUYOSHI , 平柳通人 , HIRAYANAGI, MICHITO , 鈴木裕樹 , SUZUKI, HIROKI , 足立俊介 , ADACHI, SHUNSUKE
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/1446
摘要：本發明係對光電二極體陣列施加反向偏壓電壓，該光電二極體陣列包含：複數個崩潰光電二極體，該等以蓋格模式動作；及淬滅電阻，其相對於各崩潰光電二極體而串列連接。使施加之反向偏壓電壓變化並測定電流，而決定所測定之電流之變化中之反曲點之反向偏壓電壓作為基準電壓。決定對所決定之基準電壓加上特定值而得之電壓作為推薦動作電壓。
简体摘要：本发明系对光电二极管数组施加反向偏压电压，该光电二极管数组包含：复数个崩溃光电二极管，该等以盖格模式动作；及淬灭电阻，其相对于各崩溃光电二极管而串行连接。使施加之反向偏压电压变化并测定电流，而决定所测定之电流之变化中之反曲点之反向偏压电压作为基准电压。决定对所决定之基准电压加上特定值而得之电压作为推荐动作电压。

8. 发明专利

TWI523209B 光二極體陣列有权
简体标题：光二极管数组
公开(公告)号：TWI523209B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103118194
申请日：2007-07-03
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 里健一 , SATO, KENICHI
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/14 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14636 , H01L31/107

9. 发明专利

TWI518933B 光二極體陣列有权
简体标题：光二极管数组
公开(公告)号：TWI518933B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100139163
申请日：2011-10-27
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：里健一 , SATO, KENICHI , 山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 大須賀慎二 , OHSUKA, SHINJI
IPC分类号： H01L31/107 , H01L33/08 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/146 , H01L27/14643 , H01L31/02027

10. 发明专利

TW201434142A 光二極體陣列审中-公开
简体标题：光二极管数组
公开(公告)号：TW201434142A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103118194
申请日：2007-07-03
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 里健一 , SATO, KENICHI
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/14 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14636 , H01L31/107
摘要：本發明之光二極體陣列1，係在具有n型半導體層12之n型基板2上形成使被檢測光入射之複數之光檢測通道10而成者。光二極體陣列1包含：p-型半導體層13，其形成於基板2之n型半導體層12上；電阻4，其設置於每一光檢測通道10，且一端部連接於信號導線3；及n型分離部20，其形成於複數之光檢測通道10之間。p-型半導體層13係在與基板2之界面構成pn接合，且對應於光檢測通道具有複數之使藉由被檢測光之入射所產生之載子崩潰(avalanche)倍增之倍增區域AM。分離部20係形成為使p-型半導體層13之各倍增區域AM對應於各光檢測通道10而形成。
简体摘要：本发明之光二极管数组1，系在具有n型半导体层12之n型基板2上形成使被检测光入射之复数之光检测信道10而成者。光二极管数组1包含：p-型半导体层13，其形成于基板2之n型半导体层12上；电阻4，其设置于每一光检测信道10，且一端部连接于信号导线3；及n型分离部20，其形成于复数之光检测信道10之间。p-型半导体层13系在与基板2之界面构成pn接合，且对应于光检测信道具有复数之使借由被检测光之入射所产生之载子崩溃(avalanche)倍增之倍增区域AM。分离部20系形成为使p-型半导体层13之各倍增区域AM对应于各光检测信道10而形成。

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