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1. 发明专利

TW202017643A 水中微粒子的除去方法审中-公开
公开(公告)号：TW202017643A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108127264
申请日：2019-07-31
申请人：日商栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD. , 日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：藤村侑 , FUJIMURA, YU , 小川祐一 , OGAWA, YUICHI , 田中洋一 , TANAKA, YOICHI , 川勝孝博 , KAWAKATSU, TAKAHIRO , 金田真幸 , KANEDA, MASAYUKI , 松本光明 , MATSUMOTO, MITSUAKI
IPC分类号： B01D65/02 , B01D61/14 , C02F1/44 , C02F103/04
摘要：本發明製造一種高性狀的微粒子除去處理水，所述高性狀的微粒子除去處理水於超純水製造製程等中，於利用具有一級胺基、二級胺基、三級胺基、及四級銨基中任一個以上的官能基的MF膜或UF膜除去水中的微粒子時，抑制由導入至MF膜或UF膜中的官能基造成的影響，且適合作為電子零件的製造步驟或清洗步驟中使用的超純水。於用於除去微粒子之前，利用pH值為9以上的鹼劑來清洗具有一級胺基、二級胺基、三級胺基、及四級銨基中任一個以上的官能基的MF膜或UF膜，之後用於除去微粒子。
简体摘要：本发明制造一种高性状的微粒子除去处理水，所述高性状的微粒子除去处理水于超纯水制造制程等中，于利用具有一级胺基、二级胺基、三级胺基、及四级铵基中任一个以上的官能基的MF膜或UF膜除去水中的微粒子时，抑制由导入至MF膜或UF膜中的官能基造成的影响，且适合作为电子零件的制造步骤或清洗步骤中使用的超纯水。于用于除去微粒子之前，利用pH值为9以上的碱剂来清洗具有一级胺基、二级胺基、三级胺基、及四级铵基中任一个以上的官能基的MF膜或UF膜，之后用于除去微粒子。

2. 发明专利

TW201835568A 氧化劑濃度測定裝置及氧化劑濃度測定方法审中-公开
简体标题：氧化剂浓度测定设备及氧化剂浓度测定方法
公开(公告)号：TW201835568A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106131325
申请日：2017-09-13
申请人：日商栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：井田純一 , IDA, JUNICHI , 小川祐一 , OGAWA, YUICHI
IPC分类号： G01N31/00 , G01N25/00 , G01F1/68 , G01F5/00
摘要：氧化劑濃度測定裝置10包括：氣體供給機構1，對流量被控制為規定值的試樣液供給流量被控制為規定值的氣體；熱分解機構2，對利用氣體供給機構1供給有氣體後的試樣液中的氧化劑進行熱分解；氣體流量測定機構5，測定利用熱分解機構2而產生的包含氧氣的氣體成分的流量；以及演算機構6，基於氣體的流量的規定值與利用氣體流量測定機構5所獲得的包含氧氣的氣體成分的流量的測定值，來算出試樣液中的氧化劑的濃度。根據所述氧化劑濃度測定裝置10及使用其的氧化劑濃度測定方法，可不受金屬成分等雜質的影響，而簡單且準確地測定電子材料的清洗步驟等中所使用的清洗液中的氧化劑濃度，並且能夠進行穩定的連續監控。
简体摘要：氧化剂浓度测定设备10包括：气体供给机构1，对流量被控制为规定值的试样液供给流量被控制为规定值的气体；热分解机构2，对利用气体供给机构1供给有气体后的试样液中的氧化剂进行热分解；气体流量测定机构5，测定利用热分解机构2而产生的包含氧气的气体成分的流量；以及演算机构6，基于气体的流量的规定值与利用气体流量测定机构5所获得的包含氧气的气体成分的流量的测定值，来算出试样液中的氧化剂的浓度。根据所述氧化剂浓度测定设备10及使用其的氧化剂浓度测定方法，可不受金属成分等杂质的影响，而简单且准确地测定电子材料的清洗步骤等中所使用的清洗液中的氧化剂浓度，并且能够进行稳定的连续监控。

3. 发明专利

TW201426846A 半導體基板的洗淨方法與洗淨系統审中-公开
简体标题：半导体基板的洗净方法与洗净系统
公开(公告)号：TW201426846A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102135379
申请日：2013-09-30
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：小川祐一 , OGAWA, YUICHI , 山川晴義 , YAMAKAWA, HARUYOSHI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/02068 , H01L21/28518 , H01L21/32134
摘要：可不損壞Al或矽化物層而有效地洗淨在矽基板上露出至少一部分的Al、且藉由金屬性物質而矽化物化處理的半導體基板。半導體基板的洗淨系統包括：洗淨在矽基板上露出至少一部分的Al、且藉由金屬性物質而矽化物化處理的半導體基板的洗淨部(逐片式洗淨機2)；配置於洗淨部，且將洗淨用溶液送出而接觸洗淨部的半導體基板的送出部(送出噴嘴30)；連接至送出部，並將含有氧化劑的硫酸溶液移送至送出部的硫酸溶液移送路徑5；以及連接至送出部，並將含有具有N系、S系、及P系的極性基的任一種以上的吸附型抑制劑的溶液移送至送出部的吸附型抑制劑溶液移送路徑11，使硫酸溶液與吸附型抑制劑溶液混合並與半導體基板接觸，或各別移送而錯開時機至半導體基板上，或者一邊混合一邊與半導體基板接觸。
简体摘要：可不损坏Al或硅化物层而有效地洗净在硅基板上露出至少一部分的Al、且借由金属性物质而硅化物化处理的半导体基板。半导体基板的洗净系统包括：洗净在硅基板上露出至少一部分的Al、且借由金属性物质而硅化物化处理的半导体基板的洗净部(逐片式洗净机2)；配置于洗净部，且将洗净用溶液送出而接触洗净部的半导体基板的送出部(送出喷嘴30)；连接至送出部，并将含有氧化剂的硫酸溶液移送至送出部的硫酸溶液移送路径5；以及连接至送出部，并将含有具有N系、S系、及P系的极性基的任一种以上的吸附型抑制剂的溶液移送至送出部的吸附型抑制剂溶液移送路径11，使硫酸溶液与吸附型抑制剂溶液混合并与半导体基板接触，或各别移送而错开时机至半导体基板上，或者一边混合一边与半导体基板接触。

4. 发明专利

TW201411716A 半導體基板的清洗方法與清洗系統审中-公开
简体标题：半导体基板的清洗方法与清洗系统
公开(公告)号：TW201411716A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102129928
申请日：2013-08-22
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：小川祐一 , OGAWA, YUICHI , 山川晴義 , YAMAKAWA, HARUYOSHI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02068 , B08B3/10 , B08B3/102 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C11D11/0064 , C25B1/285 , C25B15/08 , C25F1/00 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L21/67017
摘要：可不損傷TiN或矽化物層且高效地對至少露出一部分TiN且經矽化物化處理的半導體基板進行清洗。本發明的半導體基板清洗方法在對至少露出一部分TiN且經矽化物化處理的半導體基板進行清洗時，包括：過硫酸生成步驟，使清洗硫酸溶液一面通入至電解部一面循環而藉由在電解部的電解來生成規定濃度的過硫酸；溶液混合步驟，將在過硫酸生成步驟中獲得的含有過硫酸的硫酸溶液、與包含一種以上的鹵化物離子的鹵化物溶液加以混合而不通入至電解部，在混合後生成包含過硫酸的氧化劑濃度為0.001 mol/L~2 mol/L的混合溶液；加熱步驟，對混合溶液進行加熱；以及清洗步驟，移送經加熱的混合溶液而使之接觸於半導體基板來進行清洗。
简体摘要：可不损伤TiN或硅化物层且高效地对至少露出一部分TiN且经硅化物化处理的半导体基板进行清洗。本发明的半导体基板清洗方法在对至少露出一部分TiN且经硅化物化处理的半导体基板进行清洗时，包括：过硫酸生成步骤，使清洗硫酸溶液一面通入至电解部一面循环而借由在电解部的电解来生成规定浓度的过硫酸；溶液混合步骤，将在过硫酸生成步骤中获得的含有过硫酸的硫酸溶液、与包含一种以上的卤化物离子的卤化物溶液加以混合而不通入至电解部，在混合后生成包含过硫酸的氧化剂浓度为0.001 mol/L~2 mol/L的混合溶液；加热步骤，对混合溶液进行加热；以及清洗步骤，移送经加热的混合溶液而使之接触于半导体基板来进行清洗。

5. 发明专利

TWI381073B 聚合物纖維體、其製造方法及流體過濾用過濾器失效
简体标题：聚合物纤维体、其制造方法及流体过滤用过滤器
公开(公告)号：TWI381073B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW098110150
申请日：2009-03-27
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：川勝孝博 , KAWAKATSU, TAKAHIRO , 小林秀樹 , KOBAYASHI, HIDEKI , 小川祐一 , OGAWA, YUICHI
IPC分类号： D01D1/02 , B01D24/00
CPC分类号： D01D5/0038 , B01D39/1623 , B01D2239/0631 , B01D2239/10 , B01J20/26 , B01J20/28023 , B01J47/127 , C02F1/42 , C02F2103/04 , D01F6/48 , D04H1/728 , D04H3/02 , Y10T442/637

6. 发明专利

TW201829320A 氨水溶液的製造裝置及氨水溶液的製造方法审中-公开
简体标题：氨水溶液的制造设备及氨水溶液的制造方法
公开(公告)号：TW201829320A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106108436
申请日：2017-03-15
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：小川祐一 , OGAWA, YUUICHI
IPC分类号： C02F1/68 , B01F1/00 , B01F3/04 , C11D7/04 , C11D7/32 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種可以穩定的濃度製造氨水溶液，且相對於濃度的變更的追隨性優異的氨水溶液製造裝置。氨水溶液製造裝置藉由自氨供給裝置將氨供給至由超純水製造裝置所供給的超純水中並使其溶解，從而製造稀氨水溶液，並將該氨水溶液供給至使用點。此處，超純水製造裝置具有供給電阻值為18 MΩ·cm以上且金屬離子濃度為1 ng/L以下、尤其0.1 ng/L以下的超純水W的能力。然後，自氨供給裝置將氨添加於超純水W中而製造稀氨水。該氨水溶液製造裝置較佳為製造氨（銨離子）的濃度為100 mg/L以下、尤其50 mg/L以下的稀氨水。
简体摘要：本发明提供一种可以稳定的浓度制造氨水溶液，且相对于浓度的变更的追随性优异的氨水溶液制造设备。氨水溶液制造设备借由自氨供给设备将氨供给至由超纯水制造设备所供给的超纯水中并使其溶解，从而制造稀氨水溶液，并将该氨水溶液供给至使用点。此处，超纯水制造设备具有供给电阻值为18 MΩ·cm以上且金属离子浓度为1 ng/L以下、尤其0.1 ng/L以下的超纯水W的能力。然后，自氨供给设备将氨添加于超纯水W中而制造稀氨水。该氨水溶液制造设备较佳为制造氨（铵离子）的浓度为100 mg/L以下、尤其50 mg/L以下的稀氨水。

7. 发明专利

TW201805483A 過硫酸溶液製造供給裝置及方法审中-公开
简体标题：过硫酸溶液制造供给设备及方法
公开(公告)号：TW201805483A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106109012
申请日：2017-03-17
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：小川祐一 , OGAWA, YUICHI
IPC分类号： C25B15/08 , C25B9/18 , C25B1/30 , H01L21/304
CPC分类号： C25B1/30 , C25B9/18 , C25B15/08 , H01L21/304
摘要：提供一種過硫酸溶液製造供給裝置及方法，其能縮短半導體晶圓洗淨裝置中的過硫酸溶液之交換時間。藉由第1電解系統(20)，就能在往洗淨槽(11)循環供給過硫酸溶液的期間，對第2電解系統的貯存槽(41)導入水和硫酸，且-透過泵浦(44)、配管(45)、電解槽(50)、氣液分離器(52)、配管(53)而循環，藉此生成過硫酸。在進行化學變化時，係在從第1電解系統(20)排液之後，將貯存槽(41)內的過硫酸溶液移送至貯存槽(22)。
简体摘要：提供一种过硫酸溶液制造供给设备及方法，其能缩短半导体晶圆洗净设备中的过硫酸溶液之交换时间。借由第1电解系统(20)，就能在往洗净槽(11)循环供给过硫酸溶液的期间，对第2电解系统的贮存槽(41)导入水和硫酸，且-透过泵浦(44)、配管(45)、电解槽(50)、气液分离器(52)、配管(53)而循环，借此生成过硫酸。在进行化学变化时，系在从第1电解系统(20)排液之后，将贮存槽(41)内的过硫酸溶液移送至贮存槽(22)。

8. 发明专利

TW201800751A 氧化劑濃度之測定方法及測定裝置、以及電子材料洗淨裝置审中-公开
简体标题：氧化剂浓度之测定方法及测定设备、以及电子材料洗净设备
公开(公告)号：TW201800751A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105130860
申请日：2016-09-23
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：小川祐一 , OGAWA, YUICHI
IPC分类号： G01N31/00 , G01N21/78 , G01N21/77
CPC分类号： G01N21/77 , G01N21/78 , G01N31/00
摘要：提供將含有金屬及氧化劑的硫酸溶液中的氧化劑濃度，不會受到金屬等雜質的影響，可精度佳且有效率地測定，亦容易線上化之氧化劑濃度的測定方法。將含有金屬與氧化劑的硫酸溶液與碘化鉀溶液加以混合，測定波長200~600nm的任何UV吸光度，根據該測定結果，將硫酸溶液的氧化劑濃度定量。藉由在含有金屬與氧化劑的硫酸溶液添加碘化鉀(KI)溶液而使硫酸溶液中的氧化性物質與KI選擇性起反應而游離的碘而發出黃色，藉此相較於金屬等雜質，UV感度變得較高，可減低金屬等雜質的影響而高精度地測定UV吸光度。
简体摘要：提供将含有金属及氧化剂的硫酸溶液中的氧化剂浓度，不会受到金属等杂质的影响，可精度佳且有效率地测定，亦容易在线化之氧化剂浓度的测定方法。将含有金属与氧化剂的硫酸溶液与碘化钾溶液加以混合，测定波长200~600nm的任何UV吸光度，根据该测定结果，将硫酸溶液的氧化剂浓度定量。借由在含有金属与氧化剂的硫酸溶液添加碘化钾(KI)溶液而使硫酸溶液中的氧化性物质与KI选择性起反应而游离的碘而发出黄色，借此相较于金属等杂质，UV感度变得较高，可减低金属等杂质的影响而高精度地测定UV吸光度。

9. 发明专利

TW201436010A 半導體基板洗淨系統及半導體基板的洗淨方法审中-公开
简体标题：半导体基板洗净系统及半导体基板的洗净方法
公开(公告)号：TW201436010A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103107060
申请日：2014-03-03
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：小川祐一 , OGAWA, YUICHI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02068 , B08B3/08 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D11/0047 , H01L21/32134 , H01L21/67017 , H01L21/67051
摘要：本發明的半導體基板的洗淨方法是自具有以Si作為構成成分的層的半導體基板上除去鉑及/或鉑合金，該半導體基板的洗淨方法能有效地對Al或矽化物膜、Si系絕緣膜、Si系基板等進行洗淨而不會造成損傷。該半導體基板的洗淨方法為自具有以Si作為構成成分的層的半導體基板上除去鉑及/或鉑合金；該半導體基板的洗淨方法包括：第1洗淨步驟，使包含以硝酸及/或過氧化氫作為主要溶質的第1溶液與上述半導體基板接觸而洗淨；及第2洗淨步驟，使含有包含氧化劑的硫酸溶液及鹵化物且溫度為25℃~100℃的第2溶液與經過第1洗淨步驟的上述半導體基板接觸而洗淨。
简体摘要：本发明的半导体基板的洗净方法是自具有以Si作为构成成分的层的半导体基板上除去铂及/或铂合金，该半导体基板的洗净方法能有效地对Al或硅化物膜、Si系绝缘膜、Si系基板等进行洗净而不会造成损伤。该半导体基板的洗净方法为自具有以Si作为构成成分的层的半导体基板上除去铂及/或铂合金；该半导体基板的洗净方法包括：第1洗净步骤，使包含以硝酸及/或过氧化氢作为主要溶质的第1溶液与上述半导体基板接触而洗净；及第2洗净步骤，使含有包含氧化剂的硫酸溶液及卤化物且温度为25℃~100℃的第2溶液与经过第1洗净步骤的上述半导体基板接触而洗净。

10. 发明专利

TW201829318A 導電性水溶液的製造裝置及導電性水溶液的製造方法审中-公开
简体标题：导电性水溶液的制造设备及导电性水溶液的制造方法
公开(公告)号：TW201829318A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106108235
申请日：2017-03-14
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：小川祐一 , OGAWA, YUUICHI
IPC分类号： C02F1/42 , C02F1/68 , C11D7/04 , C11D7/32 , H01B1/06 , H01B5/00 , H01B13/00 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種可以穩定的濃度製造導電性水溶液，且相對於濃度的變更的追隨性優異的導電性水溶液製造裝置。導電性水溶液製造裝置1具有：離子交換裝置2，設置於供給作為原料水的超純水W的主配管11的中途；供給管12，於該主配管11的較離子交換裝置2更靠下游側合流；及導電性賦予物質供給裝置3。關於填充於離子交換裝置2中的離子交換體，例如，於導電性賦予物質為氨的情況下，所述離子為陽離子即銨離子（NH4+），因此較佳為填充有陽離子交換樹脂。另外，於導電性賦予物質為二氧化碳的情況下，所述離子為陰離子即碳酸氫根離子（HCO3-）或碳酸根離子（CO32-），因此較佳為填充有陰離子交換樹脂。
简体摘要：本发明提供一种可以稳定的浓度制造导电性水溶液，且相对于浓度的变更的追随性优异的导电性水溶液制造设备。导电性水溶液制造设备1具有：离子交换设备2，设置于供给作为原料水的超纯水W的主配管11的中途；供给管12，于该主配管11的较离子交换设备2更靠下游侧合流；及导电性赋予物质供给设备3。关于填充于离子交换设备2中的离子交换体，例如，于导电性赋予物质为氨的情况下，所述离子为阳离子即铵离子（NH4+），因此较佳为填充有阳离子交换树脂。另外，于导电性赋予物质为二氧化碳的情况下，所述离子为阴离子即碳酸氢根离子（HCO3-）或碳酸根离子（CO32-），因此较佳为填充有阴离子交换树脂。

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