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1. 发明专利

TW202004893A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202004893A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118479
申请日：2019-05-29
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD. , 德商馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：吉田幸史 , YOSHIDA, YUKIFUMI , 奧谷学 , OKUTANI, MANABU , 安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 金松泰範 , KANEMATSU, YASUNORI , 上田大 , UEDA, DAI , 張松 , ZHANG, SONG , 長原達郎 , NAGAHARA, TATSURO , 絹田貴史 , KINUTA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/306 , B08B3/04
摘要：本發明之基板處理方法包含：處理液供給步驟，其係對具有存在凹凸之圖案面之基板之上述圖案面供給處理液；處理膜形成步驟，其係使供給至上述圖案面之上述處理液固化或硬化，以追隨該圖案面之凹凸之方式形成保持上述圖案面上存在之去除對象物之處理膜；及去除步驟，其係對上述圖案面供給剝離液，將上述去除對象物與上述處理膜一併自上述圖案面剝離，邊維持上述去除對象物被上述處理膜保持之狀態邊將上述處理膜自上述基板去除。
简体摘要：本发明之基板处理方法包含：处理液供给步骤，其系对具有存在凹凸之图案面之基板之上述图案面供给处理液；处理膜形成步骤，其系使供给至上述图案面之上述处理液固化或硬化，以追随该图案面之凹凸之方式形成保持上述图案面上存在之去除对象物之处理膜；及去除步骤，其系对上述图案面供给剥离液，将上述去除对象物与上述处理膜一并自上述图案面剥离，边维持上述去除对象物被上述处理膜保持之状态边将上述处理膜自上述基板去除。

2. 发明专利

TWI693637B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI693637B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107142953
申请日：2018-11-30
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉田幸史 , YOSHIDA, YUKIFUMI , 高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 前田主悅 , MAEDA, CHIKARA , 阿部博史 , ABE, HIROSHI , 安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 金松泰範 , KANEMATSU, YASUNORI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027

3. 发明专利

TW201816479A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201816479A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106130821
申请日：2017-09-08
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：菊本憲幸 , KIKUMOTO, NORIYUKI , 安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 藤田和宏 , FUJITA, KAZUHIRO , 岩尾通矩 , IWAO, MICHINORI
IPC分类号： G02F1/1333 , B05C5/00 , B08B3/02 , B05C11/08
摘要：本發明之課題在於提供關於遮斷部之清洗，可提升處理量(throughput)之技術。本發明包含有：第1供給步驟，其包含1個以上朝向被旋轉之基板之上表面供給處理液之第1處理；及第2供給步驟，其包含1個以上朝向被旋轉之遮斷部之下表面供給清洗液之第2處理。而且，存在有執行第1供給步驟之第1期間與執行第2供給步驟之第2期間重疊之重疊期間。
简体摘要：本发明之课题在于提供关于遮断部之清洗，可提升处理量(throughput)之技术。本发明包含有：第1供给步骤，其包含1个以上朝向被旋转之基板之上表面供给处理液之第1处理；及第2供给步骤，其包含1个以上朝向被旋转之遮断部之下表面供给清洗液之第2处理。而且，存在有运行第1供给步骤之第1期间与运行第2供给步骤之第2期间重叠之重叠期间。

4. 发明专利

TWI700116B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI700116B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW106138072
申请日：2017-11-03
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 岩尾通矩 , IWAO, MICHINORI , 菊本憲幸 , KIKUMOTO, NORIYUKI , 佐佐木光敏 , SASAKI, MITSUTOSHI
IPC分类号： B01D19/00 , C02F1/20

5. 发明专利

TW201822860A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201822860A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106138072
申请日：2017-11-03
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 岩尾通矩 , IWAO, MICHINORI , 菊本憲幸 , KIKUMOTO, NORIYUKI , 佐佐木光敏 , SASAKI, MITSUTOSHI
IPC分类号： B01D19/00 , C02F1/20
摘要：本發明提供一種抑制基板處理裝置之大型化並且使處理液中之去除對象氣體之溶存濃度降低的技術。本發明之基板處理裝置100具備複數個基板處理部20及液體處理系統30。基板處理部20具備保持基板W之基板保持部21及向保持於基板保持部21之基板W噴出處理液之噴出噴嘴23。液體處理系統30具備：貯存槽31，其於內部貯存處理液；供給配管部320，其連接於貯存槽31，形成供向噴出噴嘴23供給之處理液通過之供給通路；返送配管部322，其連接於貯存槽31，且形成將已通過供給配管部320之處理液向貯存槽31返送之返送通路322P；及氣體供給部60，其向返送配管部322之返送通路322P內供給與溶存於處理液中之氧不同之氮氣。
简体摘要：本发明提供一种抑制基板处理设备之大型化并且使处理液中之去除对象气体之溶存浓度降低的技术。本发明之基板处理设备100具备复数个基板处理部20及液体处理系统30。基板处理部20具备保持基板W之基板保持部21及向保持于基板保持部21之基板W喷出处理液之喷出喷嘴23。液体处理系统30具备：贮存槽31，其于内部贮存处理液；供给配管部320，其连接于贮存槽31，形成供向喷出喷嘴23供给之处理液通过之供给通路；返送配管部322，其连接于贮存槽31，且形成将已通过供给配管部320之处理液向贮存槽31返送之返送通路322P；及气体供给部60，其向返送配管部322之返送通路322P内供给与溶存于处理液中之氧不同之氮气。

6. 发明专利

TWI696218B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI696218B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107142954
申请日：2018-11-30
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉田幸史 , YOSHIDA, YUKIFUMI , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 阿部博史 , ABE, HIROSHI , 安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 金松泰範 , KANEMATSU, YASUNORI , 中井仁司 , NAKAI, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027

7. 发明专利

TWI681440B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI681440B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW106142759
申请日：2017-12-06
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687

8. 发明专利

TWI646594B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI646594B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106130821
申请日：2017-09-08
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：菊本憲幸 , KIKUMOTO, NORIYUKI , 安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 藤田和宏 , FUJITA, KAZUHIRO , 岩尾通矩 , IWAO, MICHINORI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/67 , B08B3/08

9. 发明专利

TW201833995A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201833995A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106142759
申请日：2017-12-06
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要：一種基板處理裝置及基板處理方法，係在可供第一供給液及第二供給液分別流動的第一供給液管路(412)及第二供給液管路(422)設置有第一濃度測定部(415)及第二濃度測定部(425)。第二供給液中的氣體之溶存濃度係比第一供給液更低。使第一分支管路(51)及第二分支管路(52)之一端分別連接於第一供給液管路及第二供給液管路中比濃度測定部更靠上游側之位置。第一分支管路及第二分支管路之另一端係連接於混合部(57)，且混合第一供給液及第二供給液來生成處理液。基於第一濃度測定部及第二濃度測定部之測定值來控制第一分支管路及第二分支管路之流量調整部(58)，以使處理液中的氣體之溶存濃度成為設定值。藉此，能一邊防止包含因濃度測定部所引起之微粒子等的供給液，包含在供給至基板的處理液中，一邊能使處理液中的氣體之溶存濃度精度佳地調整至設定值。
简体摘要：一种基板处理设备及基板处理方法，系在可供第一供给液及第二供给液分别流动的第一供给液管路(412)及第二供给液管路(422)设置有第一浓度测定部(415)及第二浓度测定部(425)。第二供给液中的气体之溶存浓度系比第一供给液更低。使第一分支管路(51)及第二分支管路(52)之一端分别连接于第一供给液管路及第二供给液管路中比浓度测定部更靠上游侧之位置。第一分支管路及第二分支管路之另一端系连接于混合部(57)，且混合第一供给液及第二供给液来生成处理液。基于第一浓度测定部及第二浓度测定部之测定值来控制第一分支管路及第二分支管路之流量调整部(58)，以使处理液中的气体之溶存浓度成为设置值。借此，能一边防止包含因浓度测定部所引起之微粒子等的供给液，包含在供给至基板的处理液中，一边能使处理液中的气体之溶存浓度精度佳地调整至设置值。

10. 发明专利

TWI668753B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI668753B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106105289
申请日：2017-02-17
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：菊本憲幸 , KIKUMOTO, NORIYUKI , 基村雅洋 , KIMURA, MASAHIRO , 安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 藤田和宏 , FUJITA, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306

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