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热词
    • 1. 发明专利
    • 配線基板、零件構裝配線基板、半導體裝置及配線基板的製造方法
    • 配线基板、零件构装配线基板、半导体设备及配线基板的制造方法
    • TW201921626A
    • 2019-06-01
    • TW107130123
    • 2018-08-29
    • 日商大日本印刷股份有限公司DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
    • 高橋直大TAKAHASHI, NAOHIRO榊真史SAKAKI, MASASHI太田啓吾OHTA, KEIGO馬渡宏MAWATARI, HIROSHI俵屋誠治TAWARAYA, SEIJI
    • H01L23/538
    • 依據本發明之一實施形態,提供一種配線基板,其包含:基板、基板上之絕緣層、設置於絕緣層內之高度調整部、設置於絕緣層上之第1導電部、以及與第1導電部鄰接且設置於絕緣層及高度調整部上之第2導電部,從基板上表面至第1導電部之上表面為止之高度、與從基板之上表面至第2導電部之上表面為止之高度大致一致。上述配線基板中,高度調整部可為與配置於下部配線上之通路部鄰接且設置於絕緣層內之虛擬通路部。另外,上述配線基板中,第1導電部及第2導電部構成第1~第N(N為2以上之整數)配線層依序積層而成之多層配線層中之第N配線層,高度調整部可於第2導電部之積層方向下方,設置於分別構成第1~第N-1配線層之導電部之至少一部分上。
    • 依据本发明之一实施形态,提供一种配线基板,其包含:基板、基板上之绝缘层、设置于绝缘层内之高度调整部、设置于绝缘层上之第1导电部、以及与第1导电部邻接且设置于绝缘层及高度调整部上之第2导电部,从基板上表面至第1导电部之上表面为止之高度、与从基板之上表面至第2导电部之上表面为止之高度大致一致。上述配线基板中,高度调整部可为与配置于下部配在线之通路部邻接且设置于绝缘层内之虚拟通路部。另外,上述配线基板中,第1导电部及第2导电部构成第1~第N(N为2以上之整数)配线层依序积层而成之多层配线层中之第N配线层,高度调整部可于第2导电部之积层方向下方,设置于分别构成第1~第N-1配线层之导电部之至少一部分上。
    • 3. 发明专利
    • 貫通電極基板、貫通電極基板之製造方法及安裝基板
    • 贯通电极基板、贯通电极基板之制造方法及安装基板
    • TW201820414A
    • 2018-06-01
    • TW106128262
    • 2017-08-21
    • 日商大日本印刷股份有限公司DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
    • 前川慎志MAEKAWA, SHINJI工藤寛KUDO, HIROSHI高野貴正TAKANO, TAKAMASA馬渡宏MAWATARI, HIROSHI浅野雅朗ASANO, MASAAKI
    • H01L21/08H01L21/44H01L23/051
    • 貫通電極基板,係具備有基板、和貫通電極,該基板,係包含有位置於第1側之第1面、和位置在與第1側相反的第2側之第2面,並且被設置有貫通孔。貫通電極,係具備有沿著貫通孔之側壁而擴廣的側壁部分、和位置於基板之第1面上並且被與側壁部分作了連接的第1部分。又,貫通電極基板,係更進而具備有:有機膜,係位置於貫通孔之內部;和無機膜,係將貫通電極之第1部分,從第1側起來至少作部分性覆蓋,並且被設置有位置於第1部分上之開口;和第1配線層,係具備有絕緣層和導電層,該絕緣層,係位置於較無機膜而更靠第1側處,並且至少包含有被設置有與無機膜之開口相通連之開口的有機層,該導電層,係經由無機膜之開口以及絕緣層之開口,而被與貫通電極之第1部分作了連接。
    • 贯通电极基板,系具备有基板、和贯通电极,该基板,系包含有位置于第1侧之第1面、和位置在与第1侧相反的第2侧之第2面,并且被设置有贯通孔。贯通电极,系具备有沿着贯通孔之侧壁而扩广的侧壁部分、和位置于基板之第1面上并且被与侧壁部分作了连接的第1部分。又,贯通电极基板,系更进而具备有:有机膜,系位置于贯通孔之内部;和无机膜,系将贯通电极之第1部分,从第1侧起来至少作部分性覆盖,并且被设置有位置于第1部分上之开口;和第1配线层,系具备有绝缘层和导电层,该绝缘层,系位置于较无机膜而更靠第1侧处,并且至少包含有被设置有与无机膜之开口相通连之开口的有机层,该导电层,系经由无机膜之开口以及绝缘层之开口,而被与贯通电极之第1部分作了连接。