专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TW201824603A 顯示裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201824603A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW107107114
申请日：2014-11-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 大野正勝 , OHNO, MASAKATSU , 安達広樹 , ADACHI, HIROKI , 井戶尻悟 , IDOJIRI, SATORU , 武島幸市 , TAKESHIMA, KOICHI
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/32
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質良好且良率高的撓性顯示裝置。在第一基板上形成第一有機樹脂層，在第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上形成第一元件層，在第二基板上形成第二有機樹脂層，在第二有機樹脂層上形成第二絕緣膜，在第二絕緣膜上形成第二元件層，以第一元件層及第二元件層被密封的方式貼合第一基板與第二基板，進行使第一有機樹脂層與第一基板的緊密性降低而分離第一基板的第一分離製程，藉由第一黏合層黏合第一有機樹脂層與第一撓性基板，進行使第二有機樹脂層與第二基板的緊密性降低而分離第二基板的第二分離製程，並且，藉由第二黏合層黏合第二有機樹脂層與第二撓性基板。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种显示品质良好且良率高的挠性显示设备。在第一基板上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一组件层，在第二基板上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二组件层，以第一组件层及第二组件层被密封的方式贴合第一基板与第二基板，进行使第一有机树脂层与第一基板的紧密性降低而分离第一基板的第一分离制程，借由第一黏合层黏合第一有机树脂层与第一挠性基板，进行使第二有机树脂层与第二基板的紧密性降低而分离第二基板的第二分离制程，并且，借由第二黏合层黏合第二有机树脂层与第二挠性基板。

4. 发明专利

TWI665814B 可攜式資訊終端有权
简体标题：可携式信息终端
公开(公告)号：TWI665814B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107107114
申请日：2014-11-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 大野正勝 , OHNO, MASAKATSU , 安達広樹 , ADACHI, HIROKI , 井戶尻悟 , IDOJIRI, SATORU , 武島幸市 , TAKESHIMA, KOICHI
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/32

5. 发明专利

TW201919913A 顯示裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201919913A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107144202
申请日：2014-11-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 大野正勝 , OHNO, MASAKATSU , 安達広樹 , ADACHI, HIROKI , 井戶尻悟 , IDOJIRI, SATORU , 武島幸市 , TAKESHIMA, KOICHI
IPC分类号： B32B37/14 , B32B37/26 , B32B38/00 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/53 , H05B33/10 , H01L51/50 , H01L27/32
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質良好且良率高的撓性顯示裝置。在第一基板上形成第一有機樹脂層，在第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上形成第一元件層，在第二基板上形成第二有機樹脂層，在第二有機樹脂層上形成第二絕緣膜，在第二絕緣膜上形成第二元件層，以第一元件層及第二元件層被密封的方式貼合第一基板與第二基板，進行使第一有機樹脂層與第一基板的緊密性降低而分離第一基板的第一分離製程，藉由第一黏合層黏合第一有機樹脂層與第一撓性基板，進行使第二有機樹脂層與第二基板的緊密性降低而分離第二基板的第二分離製程，並且，藉由第二黏合層黏合第二有機樹脂層與第二撓性基板。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种显示品质良好且良率高的挠性显示设备。在第一基板上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一组件层，在第二基板上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二组件层，以第一组件层及第二组件层被密封的方式贴合第一基板与第二基板，进行使第一有机树脂层与第一基板的紧密性降低而分离第一基板的第一分离制程，借由第一黏合层黏合第一有机树脂层与第一挠性基板，进行使第二有机树脂层与第二基板的紧密性降低而分离第二基板的第二分离制程，并且，借由第二黏合层黏合第二有机树脂层与第二挠性基板。

6. 发明专利

TWI641057B 貼合裝置以及疊層體製造裝置有权
简体标题：贴合设备以及叠层体制造设备
公开(公告)号：TWI641057B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103130575
申请日：2014-09-04
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大野正勝 , OHNO, MASAKATSU , 平形吉晴 , HIRAKATA, YOSHIHARU , 江口晋吾 , EGUCHI, SHINGO , 神保安弘 , JINBO, YASUHIRO , 池田寿雄 , IKEDA, HISAO , 橫山浩平 , YOKOYAMA, KOHEI , 安達広樹 , ADACHI, HIROKI , 井戶尻悟 , IDOJIRI, SATORU
IPC分类号： H01L21/50 , H01L51/50

7. 发明专利

TW201825298A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201825298A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106129130
申请日：2017-08-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 佐藤将孝 , SATO, MASATAKA , 池澤直樹 , IKEZAWA, NAOKI , 谷中順平 , YANAKA, JUNPEI , 井戶尻悟 , IDOJIRI, SATORU
IPC分类号： B32B38/18 , B32B9/00 , H01L21/18
摘要：本發明提高半導體裝置的製程的良率及半導體裝置的生產性。本發明是一種半導體裝置的製造方法，包括：在基板上形成第一材料層的製程；在第一材料層上形成第二材料層的製程；以及將第一材料層與第二材料層分離的製程。此外，在分離前，較佳為對層疊的第一材料層與第二材料層進行加熱。第一材料層包含氫、氧和水中的一種或多種。第一材料層例如包含金屬氧化物。第二材料層包含樹脂（例如，聚醯亞胺、丙烯酸）。第一材料層與第二材料層藉由氫鍵被切斷來分離。此外，藉由對因加熱第一材料層與第二材料層的介面或介面附近析出的水照射光，使第一材料層與第二材料層分離。
简体摘要：本发明提高半导体设备的制程的良率及半导体设备的生产性。本发明是一种半导体设备的制造方法，包括：在基板上形成第一材料层的制程；在第一材料层上形成第二材料层的制程；以及将第一材料层与第二材料层分离的制程。此外，在分离前，较佳为对层叠的第一材料层与第二材料层进行加热。第一材料层包含氢、氧和水中的一种或多种。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂（例如，聚酰亚胺、丙烯酸）。第一材料层与第二材料层借由氢键被切断来分离。此外，借由对因加热第一材料层与第二材料层的界面或界面附近析出的水照射光，使第一材料层与第二材料层分离。

8. 发明专利

TWI668894B 顯示裝置及其製造方法有权
简体标题：显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI668894B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW103141392
申请日：2014-11-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 大野正勝 , OHNO, MASAKATSU , 安達広樹 , ADACHI, HIROKI , 井戶尻悟 , IDOJIRI, SATORU , 武島幸市 , TAKESHIMA, KOICHI
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/32

9. 发明专利

TW201921754A 顯示裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201921754A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107144201
申请日：2014-11-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 大野正勝 , OHNO, MASAKATSU , 安達広樹 , ADACHI, HIROKI , 井戶尻悟 , IDOJIRI, SATORU , 武島幸市 , TAKESHIMA, KOICHI
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/32 , H01L21/20
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質良好且良率高的撓性顯示裝置。在第一基板上形成第一有機樹脂層，在第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上形成第一元件層，在第二基板上形成第二有機樹脂層，在第二有機樹脂層上形成第二絕緣膜，在第二絕緣膜上形成第二元件層，以第一元件層及第二元件層被密封的方式貼合第一基板與第二基板，進行使第一有機樹脂層與第一基板的緊密性降低而分離第一基板的第一分離製程，藉由第一黏合層黏合第一有機樹脂層與第一撓性基板，進行使第二有機樹脂層與第二基板的緊密性降低而分離第二基板的第二分離製程，並且，藉由第二黏合層黏合第二有機樹脂層與第二撓性基板。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种显示品质良好且良率高的挠性显示设备。在第一基板上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一组件层，在第二基板上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二组件层，以第一组件层及第二组件层被密封的方式贴合第一基板与第二基板，进行使第一有机树脂层与第一基板的紧密性降低而分离第一基板的第一分离制程，借由第一黏合层黏合第一有机树脂层与第一挠性基板，进行使第二有机树脂层与第二基板的紧密性降低而分离第二基板的第二分离制程，并且，借由第二黏合层黏合第二有机树脂层与第二挠性基板。

10. 发明专利

TW201824602A 顯示裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201824602A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW107107110
申请日：2014-11-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 大野正勝 , OHNO, MASAKATSU , 安達広樹 , ADACHI, HIROKI , 井戶尻悟 , IDOJIRI, SATORU , 武島幸市 , TAKESHIMA, KOICHI
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/32 , H01L29/786
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質良好且良率高的撓性顯示裝置。在第一基板上形成第一有機樹脂層，在第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上形成第一元件層，在第二基板上形成第二有機樹脂層，在第二有機樹脂層上形成第二絕緣膜，在第二絕緣膜上形成第二元件層，以第一元件層及第二元件層被密封的方式貼合第一基板與第二基板，進行使第一有機樹脂層與第一基板的緊密性降低而分離第一基板的第一分離製程，藉由第一黏合層黏合第一有機樹脂層與第一撓性基板，進行使第二有機樹脂層與第二基板的緊密性降低而分離第二基板的第二分離製程，並且，藉由第二黏合層黏合第二有機樹脂層與第二撓性基板。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种显示品质良好且良率高的挠性显示设备。在第一基板上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一组件层，在第二基板上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二组件层，以第一组件层及第二组件层被密封的方式贴合第一基板与第二基板，进行使第一有机树脂层与第一基板的紧密性降低而分离第一基板的第一分离制程，借由第一黏合层黏合第一有机树脂层与第一挠性基板，进行使第二有机树脂层与第二基板的紧密性降低而分离第二基板的第二分离制程，并且，借由第二黏合层黏合第二有机树脂层与第二挠性基板。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式