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1. 发明专利

TWI546627B 正型感光性樹脂組成物、光硬化性乾性膜及其製造方法、疊層體、圖案形成方法及基板有权
简体标题：正型感光性树脂组成物、光硬化性干性膜及其制造方法、叠层体、图案形成方法及基板
公开(公告)号：TWI546627B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW104119486
申请日：2015-06-17
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 浦野宏之 , URANO, HIROYUKI , 宮崎隆 , MIYAZAKI, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/075 , C08L61/04 , C08J5/18 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/0236 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/40

2. 发明专利

TWI504642B 高分子化合物、化學增幅型負型光阻材料、光硬化性乾性膜及其製造方法、疊層體、圖案形成方法及基板有权
简体标题：高分子化合物、化学增幅型负型光阻材料、光硬化性干性膜及其制造方法、叠层体、图案形成方法及基板
公开(公告)号：TWI504642B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW103128998
申请日：2014-08-22
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：浦野宏之 , URANO, HIROYUKI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 宮崎隆 , MIYAZAKI, TAKASHI
IPC分类号： C08G77/14 , G03F7/038 , G03F7/075 , B32B27/00 , B32B37/00 , B32B38/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/0757 , C08G77/16 , C08G77/38 , C08G77/42 , C08G77/448 , C08L83/04 , C08L83/10 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , G03G5/05 , G03G7/00

3. 发明专利

TW201432384A 微構造體用樹脂構造體之製造方法及微構造體之製造方法审中-公开
简体标题：微构造体用树脂构造体之制造方法及微构造体之制造方法
公开(公告)号：TW201432384A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102132997
申请日：2013-09-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F12/04 , C08F20/18 , H01L21/311 , H01L21/3065
CPC分类号： G03F7/2024 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/40
摘要：本發明之解決手段係：一種微構造體用樹脂構造體之製造方法，其係包含：(A)使用含有(1)高分子化合物、(2)光酸產生劑、與(3)有機溶劑之光圖型形成性膜形成用組成物，於基板上塗佈為具有1~30μm之膜厚的光圖型形成性犧牲膜之步驟、(B)將經塗佈上述組成物之基板加熱的步驟、(C)對上述犧牲膜，使用第1高能量線，進行沿著圖型佈局影像之照射的步驟、(D)以鹼性顯影液之顯影，形成犧牲膜圖型之步驟、(E)對所得之犧牲膜圖型進行作為第2高能量線之紫外線的照射之步驟、(F)將基板於100~250℃加熱之步驟，且(C)步驟中之第1高能量線之照射量為250mJ/cm2以下，(F)步驟後之基板與犧牲膜之側壁角度係保持80°以上、90°以下。本發明之效果係：藉由本發明之製造方法，係高感度地形成微細構造之圖型，且可製作耐熱性高之犧牲層圖型。
简体摘要：本发明之解决手段系：一种微构造体用树脂构造体之制造方法，其系包含：(A)使用含有(1)高分子化合物、(2)光酸产生剂、与(3)有机溶剂之光图型形成性膜形成用组成物，于基板上涂布为具有1~30μm之膜厚的光图型形成性牺牲膜之步骤、(B)将经涂布上述组成物之基板加热的步骤、(C)对上述牺牲膜，使用第1高能量线，进行沿着图型布局影像之照射的步骤、(D)以碱性显影液之显影，形成牺牲膜图型之步骤、(E)对所得之牺牲膜图型进行作为第2高能量线之紫外线的照射之步骤、(F)将基板于100~250℃加热之步骤，且(C)步骤中之第1高能量线之照射量为250mJ/cm2以下，(F)步骤后之基板与牺牲膜之侧壁角度系保持80°以上、90°以下。本发明之效果系：借由本发明之制造方法，系高感度地形成微细构造之图型，且可制作耐热性高之牺牲层图型。

4. 发明专利

TWI447524B 正型光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI447524B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW098129869
申请日：2009-09-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恒寬 , NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 , KINSHO, TAKESHI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/28 , H01L21/027
CPC分类号： C07C69/54 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041

5. 发明专利

TWI624731B 正型感光性樹脂組成物、光硬化性乾性膜及其製造方法、圖案形成方法及疊層體有权
简体标题：正型感光性树脂组成物、光硬化性干性膜及其制造方法、图案形成方法及叠层体
公开(公告)号：TWI624731B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW106106754
申请日：2017-03-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 浦野宏之 , URANO, HIROYUKI , 宮崎隆 , MIYAZAKI, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/075

6. 发明专利

TWI618983B 微構造體用樹脂構造體之製造方法及微構造體之製造方法有权
简体标题：微构造体用树脂构造体之制造方法及微构造体之制造方法
公开(公告)号：TWI618983B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW102132997
申请日：2013-09-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F12/04 , C08F20/18 , H01L21/311 , H01L21/3065
CPC分类号： G03F7/2024 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/40

7. 发明专利

TW201734648A 正型感光性樹脂組成物、光硬化性乾性膜及其製造方法、圖案形成方法及疊層體审中-公开
简体标题：正型感光性树脂组成物、光硬化性干性膜及其制造方法、图案形成方法及叠层体
公开(公告)号：TW201734648A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106106754
申请日：2017-03-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 浦野宏之 , URANO, HIROYUKI , 宮崎隆 , MIYAZAKI, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/075
CPC分类号： G03F7/039 , C08G77/04 , C08G77/06 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要：本發明提供一種正型感光性樹脂組成物，能夠改善在如Cu、Al之金屬配線、電極、基板上，尤其如SiN之基板上發生之剝離之問題，將泛用的2.38%TMAH水溶液使用於顯影液能於圖案底部、基板上不發生渣滓、拖尾而以順推拔的形狀形成微細的圖案。一種正型感光性樹脂組成物，含有：(A)具有矽氧烷鏈之高分子化合物，其具有下列通式(1)表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000；(B)因光產生酸且對於鹼水溶液之溶解速度增大之感光材；(C)交聯劑；及(D)溶劑。 [化1]
简体摘要：本发明提供一种正型感光性树脂组成物，能够改善在如Cu、Al之金属配线、电极、基板上，尤其如SiN之基板上发生之剥离之问题，将泛用的2.38%TMAH水溶液使用于显影液能于图案底部、基板上不发生渣滓、拖尾而以顺推拔的形状形成微细的图案。一种正型感光性树脂组成物，含有：(A)具有硅氧烷链之高分子化合物，其具有下列通式(1)表示之重复单元且重量平均分子量为3,000~500,000；(B)因光产生酸且对于碱水溶液之溶解速度增大之感光材；(C)交联剂；及(D)溶剂。 [化1]

8. 发明专利

TWI557509B 化學增幅正型阻劑材料及圖型形成方法有权
简体标题：化学增幅正型阻剂材料及图型形成方法
公开(公告)号：TWI557509B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW102134527
申请日：2013-09-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 宮崎 , MIYAZAKI, TAKASHI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/20

9. 发明专利

TWI541605B 正型光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI541605B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW098129867
申请日：2009-09-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恒寬 , NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 , KINSHO, TAKESHI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , C08F220/28 , C07C381/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111

10. 发明专利

TW201619248A 含有聚矽氧骨架的高分子化合物、負型光阻材料、光硬化性乾膜、圖型形成方法及電氣．電子零件保護用皮膜审中-公开
简体标题：含有聚硅氧骨架的高分子化合物、负型光阻材料、光硬化性干膜、图型形成方法及电气．电子零件保护用皮膜
公开(公告)号：TW201619248A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104124256
申请日：2015-07-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 浦野宏之 , URANO, HIROYUKI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 藤原敬之 , FUJIWARA, TAKAYUKI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI
IPC分类号： C08G77/52 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/085 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/312 , H01L21/32 , C07C39/21
CPC分类号： G03F7/0757 , C07C39/21 , C08G77/12 , C08G77/52 , C08L83/14 , C09D183/14 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/2037 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/312 , H01L21/321
摘要：本發明係關於具有一般式(1)所示重複單位之重量平均分子量為3,000~500,000之含有聚矽氧骨架的高分子化合物。 (X為一般式(2)所示有機基，Y為一般式(3)所示有機基，W為一般式(4)所示有機基) 依據本發明提供一種在如Cu或Al之金屬配線、電極、基板上，特別在如SiN的基板上之面對的剝落問題可快速地經改善的化學增幅型負型抗蝕材料。
简体摘要：本发明系关于具有一般式(1)所示重复单位之重量平均分子量为3,000~500,000之含有聚硅氧骨架的高分子化合物。 (X为一般式(2)所示有机基，Y为一般式(3)所示有机基，W为一般式(4)所示有机基) 依据本发明提供一种在如Cu或Al之金属配线、电极、基板上，特别在如SiN的基板上之面对的剥落问题可快速地经改善的化学增幅型负型抗蚀材料。

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