专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI684656B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI684656B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107138482
申请日：2018-10-31
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：薬師神弘士 , YAKUSHIJI, HIROSHI , 渡辺勇人 , WATANABE, YUTO , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/32 , H05H1/46 , H05H1/48

2. 发明专利

TW201522686A 濺鍍裝置及濺鍍用標靶审中-公开
简体标题：溅镀设备及溅镀用标靶
公开(公告)号：TW201522686A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103126399
申请日：2014-08-01
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：狩野晋 , KARINO, SUSUMU , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： G11B5/851 , C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/3408 , H01J37/345
摘要：濺鍍裝置，係具備有：電極(310)，係具有保持標靶(50)之保持部(311)，並且經由保持部(311)而對於標靶(50)賦予電位；和第1磁鐵(331)以及第2磁鐵(332)，係以將應配置基板之基板配置面(SS)與保持部(311)之間之空間(SP)作包夾的方式，而在沿著基板配置面(SS)之方向上相互分離地作配置；和遮罩(340)，係被配置在第1磁鐵(331)與第2磁鐵(332)間之基板配置面(SS)與保持部(311)間之位置處。標靶(50)，係包含有應被配置在第1磁鐵(331)和空間(SP)之間之平板狀之第1部分(51)、和應被配置在第2磁鐵(332)和空間(SP)之間之平板狀之第2部分(52)，第1部分(51)和第2部分(52)，係以包夾空間(SP)的方式而相互平行地被設置。
简体摘要：溅镀设备，系具备有：电极(310)，系具有保持标靶(50)之保持部(311)，并且经由保持部(311)而对于标靶(50)赋予电位；和第1磁铁(331)以及第2磁铁(332)，系以将应配置基板之基板配置面(SS)与保持部(311)之间之空间(SP)作包夹的方式，而在沿着基板配置面(SS)之方向上相互分离地作配置；和遮罩(340)，系被配置在第1磁铁(331)与第2磁铁(332)间之基板配置面(SS)与保持部(311)间之位置处。标靶(50)，系包含有应被配置在第1磁铁(331)和空间(SP)之间之平板状之第1部分(51)、和应被配置在第2磁铁(332)和空间(SP)之间之平板状之第2部分(52)，第1部分(51)和第2部分(52)，系以包夹空间(SP)的方式而相互平行地被设置。

3. 发明专利

TWI580805B 真空處理裝置及真空處理方法有权
简体标题：真空处理设备及真空处理方法
公开(公告)号：TWI580805B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104101178
申请日：2015-01-14
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：薬師神弘士 , YAKUSHIJI, HIROSHI , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/56
CPC分类号： G11B5/8408 , C23C14/0605 , C23C14/24 , C23C14/325

4. 发明专利

TWI549124B 磁性記錄媒體及其製造方法有权
简体标题：磁性记录媒体及其制造方法
公开(公告)号：TWI549124B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW102147970
申请日：2013-12-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：楢舘英知 , NARADATE, HIDETOMO , 佐藤晃央 , SATO, AKIO , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO , 山中和人 , YAMANAKA, KAZUTO
IPC分类号： G11B5/65 , G11B5/84
CPC分类号： G11B5/7325 , G11B5/667 , G11B5/84

5. 发明专利

TWI526567B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI526567B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW103117770
申请日：2014-05-21
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：小野輝明 , ONO, TERUAKI , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/513
CPC分类号： C23C14/325 , G11B5/8408 , H01J37/32055 , H01J37/32064 , H01J37/32614 , H01J37/3266 , H01J37/32669

6. 发明专利

TWI615490B 真空電弧成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：真空电弧成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI615490B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105119576
申请日：2016-06-22
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：薬師神弘士 , YAKUSHIJI, HIROSHI , 渡辺勇人 , WATANABE, YUTO , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO , 三浦譲 , MIURA, YUZURU
IPC分类号： C23C14/24 , H01L21/203
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/0605 , C23C14/0611 , C23C14/568 , G11B5/8408 , H01J37/32055

7. 发明专利

TW201715062A 真空電弧成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：真空电弧成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201715062A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105119576
申请日：2016-06-22
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：薬師神弘士 , YAKUSHIJI, HIROSHI , 渡辺勇人 , WATANABE, YUTO , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO , 三浦譲 , MIURA, YUZURU
IPC分类号： C23C14/24 , H01L21/203
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/0605 , C23C14/0611 , C23C14/568 , G11B5/8408 , H01J37/32055
摘要：利用電弧放電在基板上形成ta-C膜的真空電弧成膜裝置，係具有：保持靶材部的保持部；流入從前述靶材部所放出之電子的陽極部；以及在前述靶材部與前述陽極部之間，供應藉電弧放電使電漿產生的電流的電源；其中，前述電源在前述電弧放電時供應的電流，係於直流電流重疊140Hz以下的脈衝頻率的脈衝電流者。
简体摘要：利用电弧放电在基板上形成ta-C膜的真空电弧成膜设备，系具有：保持靶材部的保持部；流入从前述靶材部所放出之电子的阳极部；以及在前述靶材部与前述阳极部之间，供应藉电弧放电使等离子产生的电流的电源；其中，前述电源在前述电弧放电时供应的电流，系于直流电流重叠140Hz以下的脉冲频率的脉冲电流者。

8. 发明专利

TW201538765A 真空處理裝置及真空處理方法审中-公开
简体标题：真空处理设备及真空处理方法
公开(公告)号：TW201538765A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104101178
申请日：2015-01-14
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：薬師神弘士 , YAKUSHIJI, HIROSHI , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/56
CPC分类号： G11B5/8408 , C23C14/0605 , C23C14/24 , C23C14/325
摘要：具有就形成於基板上之前述磁記錄層作保護的表面保護層之磁記錄媒體的真空處理方法，係具有於磁記錄層之上形成ta-C膜的ta-C膜形成程序、搬送形成了ta-C膜之基板的搬送程序、將處理氣體激發而予以產生自由基之自由基產生程序、及對於ta-C膜之表面照射前述自由基的自由基處理程序。
简体摘要：具有就形成于基板上之前述磁记录层作保护的表面保护层之磁记录媒体的真空处理方法，系具有于磁记录层之上形成ta-C膜的ta-C膜形成进程、搬送形成了ta-C膜之基板的搬送进程、将处理气体激发而予以产生自由基之自由基产生进程、及对于ta-C膜之表面照射前述自由基的自由基处理进程。

9. 发明专利

TW201503119A 磁性記錄媒體及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性记录媒体及其制造方法
公开(公告)号：TW201503119A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW102147970
申请日：2013-12-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：楢舘英知 , NARADATE, HIDETOMO , 佐藤晃央 , SATO, AKIO , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO , 山中和人 , YAMANAKA, KAZUTO
IPC分类号： G11B5/65 , G11B5/84
CPC分类号： G11B5/7325 , G11B5/667 , G11B5/84
摘要：提供一種：將磁向異性為大之L10型的有序合金使用在磁性記錄層中，而能夠以高產率來生產具有高保磁力之磁性記錄媒體的磁性記錄媒體及其製造方法。藉由在用以提高包含具有L10型構造的有序合金之磁性記錄層的結晶性之配向控制層的下層，設置具有面心立方結構之金屬基底層，就算是當將該配向控制層薄膜化的情況時，亦成為能夠形成具有充分之保磁力的磁性記錄層，而能夠將主要由氧化物所構成之配向控制層薄膜化，因此，係能夠使產率提昇。
简体摘要：提供一种：将磁向异性为大之L10型的有序合金使用在磁性记录层中，而能够以高产率来生产具有高保磁力之磁性记录媒体的磁性记录媒体及其制造方法。借由在用以提高包含具有L10型构造的有序合金之磁性记录层的结晶性之配向控制层的下层，设置具有面心立方结构之金属基底层，就算是当将该配向控制层薄膜化的情况时，亦成为能够形成具有充分之保磁力的磁性记录层，而能够将主要由氧化物所构成之配向控制层薄膜化，因此，系能够使产率提升。

10. 发明专利

TWI523968B 處理裝置有权
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TWI523968B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104101555
申请日：2015-01-16
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：楢舘英知 , NARADATE, HIDETOMO , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/40 , C23C14/56 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/35 , C23C14/542 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32935 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/345

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式