专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202030362A PECVD設備與製程审中-公开
简体标题： PECVD设备与制程
公开(公告)号：TW202030362A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109105303
申请日：2013-10-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉札高帕藍納卡拉詹 , RAJAGOPALAN, NAGARAJAN , 韓新海 , HAN, XINHAI , 蔣文揚 , TSIANG, MICHAEL , 尾方正樹 , OGATA, MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK, THOMAS , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 班莎阿米 , BANSAL, AMIT , 李正敏 , LEE, JEONGMIN , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO, EDWARD , 潘納斯尤克狄米崔 , PANASYUK, DMITRIY , 李泰倫斯Y , LEE, TERRANCE Y. , 陳建 , CHEN, JIAN , 亞尤伯摩哈德 , AYOUB, MOHAMAD , 朴興來 , PARK, HEUNG LAK , 瑞李派翠克 , REILLY, PATRICK , 夏可夏西 , SHAIKH, SHAHID , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 史塔利科瑟吉 , STARIK, SERGEY
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
摘要：茲描述根據PECVD製程來處理基材的設備和方法。調整基材的溫度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。調整電漿密度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。加熱接觸電漿的腔室表面，以改善電漿密度均勻性及減少在腔室表面形成低品質沉積物。原位量測技術可用於監測沉積製程的進行，及觸發涉及基材溫度分布、電漿密度分布、壓力、溫度與反應物流量的控制動作。
简体摘要：兹描述根据PECVD制程来处理基材的设备和方法。调整基材的温度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。调整等离子密度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。加热接触等离子的腔室表面，以改善等离子密度均匀性及减少在腔室表面形成低品质沉积物。原位量测技术可用于监测沉积制程的进行，及触发涉及基材温度分布、等离子密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

2. 发明专利

TW201830511A 腔室清潔終點的虛擬感測器审中-公开
简体标题：腔室清洁终点的虚拟传感器
公开(公告)号：TW201830511A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106142893
申请日：2017-12-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：慕傑卡希曼P , MUNGEKAR, HEMANT P. , 派爾威廉 , PRYOR, WILLIAM , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
摘要：本揭示內容的實施方式大體係關於用於清潔處理腔室的方法。更特定地，本文中描述的實施方式係關於用於確定處理腔室清潔終點的方法。在一些實施方式中，提供一種用於偵測清潔終點的「虛擬感測器」。「虛擬感測器」基於監測腔室前級管道壓力在腔室的清潔期間的趨勢，腔室的清潔涉及例如藉由與如氟電漿的蝕刻劑反應而將腔室部件上的固體沉積膜轉化為氣態副產物。已經藉由將「虛擬感測器」回應與基於紅外的光學量測進行比較而確認了「虛擬感測器」的有效性。在另一實施方式中，提供考慮到因設施設計和隨時間的前級管道堵塞而造成的前級管道壓力差的方法。
简体摘要：本揭示内容的实施方式大体系关于用于清洁处理腔室的方法。更特定地，本文中描述的实施方式系关于用于确定处理腔室清洁终点的方法。在一些实施方式中，提供一种用于侦测清洁终点的“虚拟传感器”。“虚拟传感器”基于监测腔室前级管道压力在腔室的清洁期间的趋势，腔室的清洁涉及例如借由与如氟等离子的蚀刻剂反应而将腔室部件上的固体沉积膜转化为气态副产物。已经借由将“虚拟传感器”回应与基于红外的光学量测进行比较而确认了“虚拟传感器”的有效性。在另一实施方式中，提供考虑到因设施设计和随时间的前级管道堵塞而造成的前级管道压力差的方法。

3. 发明专利

TW201730371A PECVD設備與製程审中-公开
简体标题： PECVD设备与制程
公开(公告)号：TW201730371A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106118781
申请日：2013-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉札高帕藍納卡拉詹 , RAJAGOPALAN,NAGARAJAN , 韓新海 , HAN,XINHAI , 蔣文揚 , TSIANG,MICHAEL , 尾方正樹 , OGATA,MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG,ZHIJUN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ,JUAN CARLOS , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK,THOMAS , 周建華 , ZHOU,JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN,RAMPRAKASH , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN,GANESH , 班莎阿米 , BANSAL,AMIT , 李正敏 , LEE,JEONGMIN , 伊根陶德 , EGAN,TODD , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO,EDWARD , 潘納斯尤克狄米崔 , PANASYUK,DMITRIY , 李泰倫斯Y , LEE,TERRANCE Y. , 陳建 , CHEN,JIAN , 亞尤伯摩哈德 , AYOUB,MOHAMAD , 朴興來 , PARK,HEUNG LAK , 瑞李派翠克 , REILLY,PATRICK , 夏可夏西 , SHAIKH,SHAHID , 金秉憲 , KIM,BOK HOEN , 史塔利科瑟吉 , STARIK,SERGEY
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/52 , G01N21/17
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
摘要：茲描述根據PECVD製程來處理基材的設備和方法。調整基材的溫度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。調整電漿密度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。加熱接觸電漿的腔室表面，以改善電漿密度均勻性及減少在腔室表面形成低品質沉積物。原位量測技術可用於監測沉積製程的進行，及觸發涉及基材溫度分布、電漿密度分布、壓力、溫度與反應物流量的控制動作。
简体摘要：兹描述根据PECVD制程来处理基材的设备和方法。调整基材的温度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。调整等离子密度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。加热接触等离子的腔室表面，以改善等离子密度均匀性及减少在腔室表面形成低品质沉积物。原位量测技术可用于监测沉积制程的进行，及触发涉及基材温度分布、等离子密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

4. 发明专利

TW201715628A 用於形成膜堆疊的雙通道噴淋頭审中-公开
简体标题：用于形成膜堆栈的双信道喷淋头
公开(公告)号：TW201715628A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105108844
申请日：2016-03-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：阿拉亞里庫許克 , ALAYAVALLI, KAUSHIK , 韓新海 , HAN, XINHAI , 加普拉凱特P , JHA, PRAKET P. , 尾方正樹 , OGATA, MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN , 葛艾倫 , KO, ALLEN , 募古提達卡O , MUKUTI, NDANKA O. , 班瑞奇拓 , BRITCHER, THUY , 班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01J37/32091
摘要：本公開提供了一種用於雙通道噴頭的方法和裝置。在一個實施例中，該噴頭包括主體，該主體包括導電材料，該導電材料具有通過該導電材料形成的多個第一開口和通過該導電材料形成的多個第二開口，該多個第一開口包括第一氣體通道，該多個第二開口包括第二氣體通道，該第二氣體通道與該第一氣體通道流體地分離，其中該第一開口中的每一個具有與該第二開口中的每一個不同的幾何形狀。
简体摘要：本公开提供了一种用于双信道喷头的方法和设备。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体信道，该多个第二开口包括第二气体信道，该第二气体信道与该第一气体信道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。

6. 发明专利

TW201742949A PECVD設備與製程审中-公开
简体标题： PECVD设备与制程
公开(公告)号：TW201742949A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106122239
申请日：2013-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉札高帕藍納卡拉詹 , RAJAGOPALAN,NAGARAJAN , 韓新海 , HAN,XINHAI , 蔣文揚 , TSIANG,MICHAEL , 尾方正樹 , OGATA,MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG,ZHIJUN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ,JUAN CARLOS , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK,THOMAS , 周建華 , ZHOU,JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN,RAMPRAKASH , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN,GANESH , 班莎阿米 , BANSAL,AMIT , 李正敏 , LEE,JEONGMIN , 伊根陶德 , EGAN,TODD , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO,EDWARD , 潘納斯尤克狄米崔 , PANASYUK,DMITRIY , 李泰倫斯Y , LEE,TERRANCE Y. , 陳建 , CHEN,JIAN , 亞尤伯摩哈德 , AYOUB,MOHAMAD , 朴興來 , PARK,HEUNG LAK , 瑞李派翠克 , REILLY,PATRICK , 夏可夏西 , SHAIKH,SHAHID , 金秉憲 , KIM,BOK HOEN , 史塔利科瑟吉 , STARIK,SERGEY
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
摘要：茲描述根據PECVD製程來處理基材的設備和方法。調整基材的溫度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。調整電漿密度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。加熱接觸電漿的腔室表面，以改善電漿密度均勻性及減少在腔室表面形成低品質沉積物。原位量測技術可用於監測沉積製程的進行，及觸發涉及基材溫度分布、電漿密度分布、壓力、溫度與反應物流量的控制動作。
简体摘要：兹描述根据PECVD制程来处理基材的设备和方法。调整基材的温度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。调整等离子密度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。加热接触等离子的腔室表面，以改善等离子密度均匀性及减少在腔室表面形成低品质沉积物。原位量测技术可用于监测沉积制程的进行，及触发涉及基材温度分布、等离子密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

7. 发明专利

TW201418510A ＰＥＣＶＤ設備與製程审中-公开
简体标题：ＰＥＣＶＤ设备与制程
公开(公告)号：TW201418510A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102138302
申请日：2013-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉札高帕藍納卡拉詹 , RAJAGOPALAN, NAGARAJAN , 韓新海 , HAN, XINHAI , 蔣文揚 , TSIANG, MICHAEL , 尾方正樹 , OGATA, MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK, THOMAS , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 班莎阿米 , BANSAL, AMIT , 李正敏 , LEE, JEONGMIN , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO, EDWARD , 潘納斯尤克狄米崔 , PANASYUK, DMITRIY , 李泰倫斯Y , LEE, TERRANCE Y. , 陳建 , CHEN, JIAN , 亞尤伯摩哈德 , AYOUB, MOHAMAD , 朴興來 , PARK, HEUNG LAK , 瑞李派翠克 , REILLY, PATRICK , 夏可夏西 , SHAIKH, SHAHID , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 史塔利科瑟吉 , STARIK, SERGEY
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
摘要：茲描述根據PECVD製程來處理基材的設備和方法。調整基材的溫度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。調整電漿密度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。加熱接觸電漿的腔室表面，以改善電漿密度均勻性及減少在腔室表面形成低品質沉積物。原位量測技術可用於監測沉積製程的進行，及觸發涉及基材溫度分布、電漿密度分布、壓力、溫度與反應物流量的控制動作。
简体摘要：兹描述根据PECVD制程来处理基材的设备和方法。调整基材的温度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。调整等离子密度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。加热接触等离子的腔室表面，以改善等离子密度均匀性及减少在腔室表面形成低品质沉积物。原位量测技术可用于监测沉积制程的进行，及触发涉及基材温度分布、等离子密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

8. 发明专利

TW202027194A 氣體分配組件及其操作审中-公开
简体标题：气体分配组件及其操作
公开(公告)号：TW202027194A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108133776
申请日：2019-09-19
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：達許普力楊卡 , DASH, PRIYANKA , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 馬強 , MA, QIANG , 葛許卡亞吉特 , GHOSH, KALYANJIT , 阿拉亞里庫許克 , ALAYAVALLI, KAUSHIK , 張宇星 , ZHANG, YUXING , 黃丹尼爾 , HWUNG, DANIEL , 賈法利夏永 , JAFARI, SHAWYON
IPC分类号： H01L21/67
摘要：於此討論了用於處理腔室的系統和方法，該系統和方法降低了由於鬆動的積垢而導致的基板缺陷的嚴重性和發生率。氣體分配組件佈置在處理腔室中，並包括面板和第二構件，面板具有穿過其中形成的複數個孔。面板耦接至第二構件，第二構件經配置以耦接至面板，以減小面板的曝露面積並使在向處理腔室中釋放氣體期間用於材料積聚的可用面積最小化。第二構件經進一步配置以改善前驅物到處理腔室中的輝光。氣體分配組件可在處理腔室操作之前和期間被加熱，並且可在處理腔室操作之間保持加熱。
简体摘要：于此讨论了用于处理腔室的系统和方法，该系统和方法降低了由于松动的积垢而导致的基板缺陷的严重性和发生率。气体分配组件布置在处理腔室中，并包括皮肤和第二构件，皮肤具有穿过其中形成的复数个孔。皮肤耦接至第二构件，第二构件经配置以耦接至皮肤，以减小皮肤的曝露面积并使在向处理腔室中释放气体期间用于材料积聚的可用面积最小化。第二构件经进一步配置以改善前驱物到处理腔室中的辉光。气体分配组件可在处理腔室操作之前和期间被加热，并且可在处理腔室操作之间保持加热。

9. 发明专利

TW201447025A 高產量多層堆疊沉積审中-公开
简体标题：高产量多层堆栈沉积
公开(公告)号：TW201447025A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110526
申请日：2014-03-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：韓新海 , HAN, XINHAI , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN , 拉札高帕藍納卡拉詹 , RAJAGOPALAN, NAGARAJAN , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 史瑞凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45523 , C23C16/45561 , C23C16/509 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022
摘要：本發明提供用於在半導體基板上高速率形成多層堆疊之方法及設備。用於高速率形成此類堆疊的腔室包括第一前驅物管線及第二前驅物管線。將第一前驅物管線耦接至第一分流器，將該第一分流器耦接至腔室之蓋組件中的氣體進口。將第二前驅物管線耦接至第二分流器，將該第二分流器亦耦接至氣體進口。亦將第一分流器耦接至第一分流管線，及將第二分流器耦接至第二分流管線。將第一分流管線及第二分流管線之各者耦接至分流排氣系統。將腔室排氣系統耦接至腔室。通常，接近於蓋組件定位分流器。
简体摘要：本发明提供用于在半导体基板上高速率形成多层堆栈之方法及设备。用于高速率形成此类堆栈的腔室包括第一前驱物管线及第二前驱物管线。将第一前驱物管线耦接至第一分流器，将该第一分流器耦接至腔室之盖组件中的气体进口。将第二前驱物管线耦接至第二分流器，将该第二分流器亦耦接至气体进口。亦将第一分流器耦接至第一分流管线，及将第二分流器耦接至第二分流管线。将第一分流管线及第二分流管线之各者耦接至分流排气系统。将腔室排气系统耦接至腔室。通常，接近于盖组件定位分流器。

10. 发明专利

TW201418513A ＰＥＣＶＤ設備與製程审中-公开
简体标题：ＰＥＣＶＤ设备与制程
公开(公告)号：TW201418513A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102138291
申请日：2013-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉札高帕藍納卡拉詹 , RAJAGOPALAN, NAGARAJAN , 韓新海 , HAN, XINHAI , 蔣文揚 , TSIANG, MICHAEL , 尾方正樹 , OGATA, MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK, THOMAS , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 班莎阿米 , BANSAL, AMIT , 李正敏 , LEE, JEONGMIN , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO, EDWARD , 潘納斯尤克狄米崔 , PANASYUK, DMITRIY , 李泰倫斯Y , LEE, TERRANCE Y. , 陳建 , CHEN, JIAN , 亞尤伯摩哈德 , AYOUB, MOHAMAD , 朴興來 , PARK, HEUNG LAK , 瑞李派翠克 , REILLY, PATRICK , 夏可夏西 , SHAIKH, SHAHID , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 史塔利科瑟吉 , STARIK, SERGEY
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/52 , G01N21/17
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
摘要：茲描述根據PECVD製程來處理基材的設備和方法。調整基材的溫度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。調整電漿密度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。加熱接觸電漿的腔室表面，以改善電漿密度均勻性及減少在腔室表面形成低品質沉積物。原位量測技術可用於監測沉積製程的進行，及觸發涉及基材溫度分布、電漿密度分布、壓力、溫度與反應物流量的控制動作。
简体摘要：兹描述根据PECVD制程来处理基材的设备和方法。调整基材的温度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。调整等离子密度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。加热接触等离子的腔室表面，以改善等离子密度均匀性及减少在腔室表面形成低品质沉积物。原位量测技术可用于监测沉积制程的进行，及触发涉及基材温度分布、等离子密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式