基本信息:
- 专利标题： PECVD設備與製程
- 专利标题（英）：PECVD apparatus and process
- 专利标题（中）：PECVD设备与制程
- 申请号：TW106118781 申请日：2013-10-23
- 公开(公告)号：TW201730371A 公开(公告)日：2017-09-01
- 发明人： 拉札高帕藍納卡拉詹 , RAJAGOPALAN,NAGARAJAN , 韓新海 , HAN,XINHAI , 蔣文揚 , TSIANG,MICHAEL , 尾方正樹 , OGATA,MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG,ZHIJUN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ,JUAN CARLOS , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK,THOMAS , 周建華 , ZHOU,JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN,RAMPRAKASH , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN,GANESH , 班莎阿米 , BANSAL,AMIT , 李正敏 , LEE,JEONGMIN , 伊根陶德 , EGAN,TODD , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO,EDWARD , 潘納斯尤克狄米崔 , PANASYUK,DMITRIY , 李泰倫斯Y , LEE,TERRANCE Y. , 陳建 , CHEN,JIAN , 亞尤伯摩哈德 , AYOUB,MOHAMAD , 朴興來 , PARK,HEUNG LAK , 瑞李派翠克 , REILLY,PATRICK , 夏可夏西 , SHAIKH,SHAHID , 金秉憲 , KIM,BOK HOEN , 史塔利科瑟吉 , STARIK,SERGEY
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 61/719,319 20121026;61/738,247 20121217;61/761,515 20130206
- 主分类号： C23C16/513
- IPC分类号： C23C16/513 ; C23C16/52 ; G01N21/17
摘要：
茲描述根據PECVD製程來處理基材的設備和方法。調整基材的溫度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。調整電漿密度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。加熱接觸電漿的腔室表面，以改善電漿密度均勻性及減少在腔室表面形成低品質沉積物。原位量測技術可用於監測沉積製程的進行，及觸發涉及基材溫度分布、電漿密度分布、壓力、溫度與反應物流量的控制動作。
摘要（中）：
兹描述根据PECVD制程来处理基材的设备和方法。调整基材的温度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。调整等离子密度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。加热接触等离子的腔室表面，以改善等离子密度均匀性及减少在腔室表面形成低品质沉积物。原位量测技术可用于监测沉积制程的进行，及触发涉及基材温度分布、等离子密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
摘要（英）：
Apparatus and method of processing a substrate according to a PECVD process is described. Temperature profile of the substrate is adjusted to change deposition rate profile across the substrate. Plasma density profile is adjusted to change deposition rate profile across the substrate. Chamber surfaces exposed to the plasma are heated to improve plasma density uniformity and reduce formation of low quality deposits on chamber surfaces. In situ metrology may be used to monitor progress of a deposition process and trigger control actions involving substrate temperature profile, plasma density profile, pressure, temperature, and flow of reactants.
公开/授权文献:
- TWI632250B PECVD設備與製程 公开/授权日：2018-08-11