专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201714493A 具有槽式接地板的電漿模組审中-公开
简体标题：具有槽式接地板的等离子模块
公开(公告)号：TW201714493A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105129470
申请日：2016-09-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：尤多夫斯基約瑟夫 , YUDOVSKY, JOSEPH , 福斯特約翰C , FORSTER, JOHN C. , 貝拉卡羅 , BERA, KALLOL , 坎德爾瓦爾桑梅許 , KHANDELWAL, SOMESH , 史利倫曼德亞 , SRIRAM, MANDYAM , 田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 竹下健二 , TAKESHITA, KENJI , 坂本信弘 , SAKAMOTO, NOBUHIRO , 柳川匠 , YANAGAWA, TAKUMI
IPC分类号： H05H1/30
CPC分类号： H01J37/32623 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32752
摘要：一種用於處理腔室中的電漿源組件，包括阻隔板，該阻隔板具有透過阻隔板的至少一個細長槽。細長槽可相對於阻隔板的側邊具有不同長度與角度。
简体摘要：一种用于处理腔室中的等离子源组件，包括阻隔板，该阻隔板具有透过阻隔板的至少一个细长槽。细长槽可相对于阻隔板的侧边具有不同长度与角度。

2. 发明专利

TW201725627A 藉由表面毒化處理由下而上的間隙填充审中-公开
简体标题：借由表面毒化处理由下而上的间隙填充
公开(公告)号：TW201725627A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105133818
申请日：2016-10-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薩利馬克 , SALY, MARK , 田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 凡卡塔蘇巴拉馬尼恩艾斯華倫納德 , VENKATASUBRAMANIAN, ESWARANAND , 史利倫曼德亞 , SRIRAM, MANDYAM , 布洋巴斯卡爾喬帝 , BHUYAN, BHASKAR JYOTI , 曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID , 修特安德魯 , SHORT, ANDREW
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45534 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224
摘要：用於沉積薄膜的方法包含使基板表面暴露於有機系毒化劑，以相對於特徵底部優先抑制在特徵頂部的薄膜生長並沉積薄膜。可以使基板暴露於毒化劑任意次數以促進在特徵中由下而上的薄膜生長。
简体摘要：用于沉积薄膜的方法包含使基板表面暴露于有机系毒化剂，以相对于特征底部优先抑制在特征顶部的薄膜生长并沉积薄膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的薄膜生长。

3. 发明专利

TW434694B 減低由化學氣相沉積法所形成之毯覆式鎢膜之應力的方法失效
简体标题：减低由化学气相沉积法所形成之毯覆式钨膜之应力的方法
公开(公告)号：TW434694B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW088105559
申请日：1999-04-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：北崎正樹 , 田中啓一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/0281 , C23C16/08 , H01L21/28556 , H01L21/28568
摘要：一種利用CVD法來形成一毯覆式鎢膜的方法。其係在形成用以形成毯覆式鎢膜的核之前，將含有WF6氣體、 SiH4氣體及H2氣體的混合氣體供給到一真空室12中。此時，調節各種氣體的流量，而使SiH4氣體大於WF6氣體的流量，進而進行數秒的前處理。此時，WF6氣體/SiH4氣體的流量比係可在0.15~0.35之間，而處理時間係可在2~10秒之間。於完成前處理之後，則進行核形成處理，進而形成一毯覆式W膜，據此，即使W膜之成膜處理係在低溫環境下進行時，其膜應力亦不會增大。
简体摘要：一种利用CVD法来形成一毯覆式钨膜的方法。其系在形成用以形成毯覆式钨膜的核之前，将含有WF6气体、 SiH4气体及H2气体的混合气体供给到一真空室12中。此时，调节各种气体的流量，而使SiH4气体大于WF6气体的流量，进而进行数秒的前处理。此时，WF6气体/SiH4气体的流量比系可在0.15~0.35之间，而处理时间系可在2~10秒之间。于完成前处理之后，则进行核形成处理，进而形成一毯覆式W膜，据此，即使W膜之成膜处理系在低温环境下进行时，其膜应力亦不会增大。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式