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1. 发明专利

TWI610145B 用於３Ｄ圖案成形的數位灰色調微影技術有权
简体标题：用于３Ｄ图案成形的数码灰色调微影技术
公开(公告)号：TWI610145B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW104124773
申请日：2015-07-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/203 , G03F7/0037

2. 发明专利

TW201513418A 用於金屬導電性強化的磁場導引式晶體方向系統审中-公开
简体标题：用于金属导电性强化的磁场导引式晶体方向系统
公开(公告)号：TW201513418A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103128113
申请日：2014-08-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 謝鵬 , XIE, PENG , 莫非特史帝夫 , MOFFATT, STEPHEN , 亞當布魯斯E , ADAMS, BRUCE E. , 福德馬吉德A , FOAD, MAJEED A.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/768
CPC分类号： C30B30/04 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/5806 , C30B19/08 , C30B29/02
摘要：一種磁場導引式晶體方向系統以及操作一磁場導引式晶體方向系統的一種方法包括：一工作平台；一加熱元件，該加熱元件在該工作平台之上，該加熱元件用於選擇性地加熱在一晶圓基板上的一基底層，該基底層具有晶粒，其中該晶圓基板係該工作平台上的一晶圓的一部分；以及一磁組件，該磁組件相對於該加熱元件而固定，該磁組件用於使用10特斯拉或更大的一磁場來對準該基底層的該等晶粒，以形成一互連，該互連具有該互連中的晶粒的一晶體方向係匹配於該基底層的該等晶粒的該晶體方向。
简体摘要：一种磁场导引式晶体方向系统以及操作一磁场导引式晶体方向系统的一种方法包括：一工作平台；一加热组件，该加热组件在该工作平台之上，该加热组件用于选择性地加热在一晶圆基板上的一基底层，该基底层具有晶粒，其中该晶圆基板系该工作平台上的一晶圆的一部分；以及一磁组件，该磁组件相对于该加热组件而固定，该磁组件用于使用10特斯拉或更大的一磁场来对准该基底层的该等晶粒，以形成一互连，该互连具有该互连中的晶粒的一晶体方向系匹配于该基底层的该等晶粒的该晶体方向。

3. 发明专利

TWI606294B 在膜堆疊上形成硬光罩的方法有权
简体标题：在膜堆栈上形成硬光罩的方法
公开(公告)号：TWI606294B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW103115847
申请日：2014-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 戴輝雄 , DAI, HUIXIONG , 曹勇 , CAO, YONG , 許廷軍 , XU, TINGJUN , 曾爲民 , ZENG, WEIMIN , 謝鵬 , XIE, PENG
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/76
CPC分类号： H01L21/0337 , C23C14/0042 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/351 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02266 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/31144

4. 发明专利

TW201604020A 用於疊對與邊緣放置誤差的局部應力調控审中-公开
简体标题：用于叠对与边缘放置误差的局部应力调控
公开(公告)号：TW201604020A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104119437
申请日：2015-06-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉怡利 , YIEH, ELLIE Y. , 戴輝雄 , DAI, HUIXIONG , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS
IPC分类号： B32B38/18 , B41M3/12 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L22/12 , H01L22/20
摘要：本發明實施例提供利用電子或離子佈植針對疊對誤差及邊緣放置誤差(EPE)進行局部應力調控的設備及方法。在一實施例中，用來修正基板上之疊對誤差的製程大體上包括在測量工具中於基板上進行測量製程以獲得基板的扭曲或疊對誤差圖，根據該疊對誤差圖來決定摻雜參數以修正疊對誤差或基板扭曲，及根據所決定的摻雜參數提供摻雜配方給摻雜設備以修正基板扭曲或疊對誤差。實施例亦可提供例如藉著使該疊對誤差圖或基板扭曲與儲存在運算系統中的資料庫進行比較，來使用所決定的摻雜修復配方在該基板上進行摻雜處理製程。
简体摘要：本发明实施例提供利用电子或离子布植针对叠对误差及边缘放置误差(EPE)进行局部应力调控的设备及方法。在一实施例中，用来修正基板上之叠对误差的制程大体上包括在测量工具中于基板上进行测量制程以获得基板的扭曲或叠对误差图，根据该叠对误差图来决定掺杂参数以修正叠对误差或基板扭曲，及根据所决定的掺杂参数提供掺杂配方给掺杂设备以修正基板扭曲或叠对误差。实施例亦可提供例如借着使该叠对误差图或基板扭曲与存储在运算系统中的数据库进行比较，来使用所决定的掺杂修复配方在该基板上进行掺杂处理制程。

5. 发明专利

TWI675192B 用於減少半導體基板應變變化的方法有权
简体标题：用于减少半导体基板应变变化的方法
公开(公告)号：TWI675192B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW104118360
申请日：2015-06-05
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 堤蘇瑞艾胡德 , TZURI, EHUD , 葉怡利 , YIEH, ELLIE Y.
IPC分类号： G01L1/24 , H01L21/30

6. 发明专利

TWI646401B 帶有簡化光學元件的極紫外線（ＥＵＶ）基板檢查系統及其製造方法有权
简体标题：带有简化光学组件的极紫外线（ＥＵＶ）基板检查系统及其制造方法
公开(公告)号：TWI646401B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103144123
申请日：2014-12-17
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：福德馬吉德A , FOAD, MAJEED A. , 班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 泰伯克里斯托弗G , TALBOT, CHRISTOPHER G. , 莫蘭約翰克利斯朵夫 , MORAN, JOHN CHRISTOPHER
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , G01N21/956

7. 发明专利

TW201614379A 用於３Ｄ圖案成形的數位灰色調微影技術审中-公开
简体标题：用于３Ｄ图案成形的数码灰色调微影技术
公开(公告)号：TW201614379A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104124773
申请日：2015-07-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/203 , G03F7/0037
摘要：本發明描述一種處理基板的方法。該方法包括將基板定位於階台上，階台與無遮罩直寫圖案產生器相關聯。基板具有未開發、未暴露的光阻層形成於其上。光阻層具有複數個寫入像素位置。該方法包括將預定用量的電磁能從圖案產生器傳送至各寫入像素位置。第一預定用量係全色調用量，且第一預定用量被傳送到至少一個寫入像素位置。第二預定用量係部分色調用量，且第二預定用量被傳送到至少一個寫入像素位置。第三預定用量係部分色調用量或零色調用量。第三預定用量被傳送到至少一個寫入像素位置，且第三預定用量不同於第二預定用量。
简体摘要：本发明描述一种处理基板的方法。该方法包括将基板定位于阶台上，阶台与无遮罩直写图案产生器相关联。基板具有未开发、未暴露的光阻层形成于其上。光阻层具有复数个写入像素位置。该方法包括将预定用量的电磁能从图案产生器发送至各写入像素位置。第一预定用量系全色调用量，且第一预定用量被发送到至少一个写入像素位置。第二预定用量系部分色调用量，且第二预定用量被发送到至少一个写入像素位置。第三预定用量系部分色调用量或零色调用量。第三预定用量被发送到至少一个写入像素位置，且第三预定用量不同于第二预定用量。

8. 发明专利

TW201447475A 用於多圖案化應用的光調諧硬遮罩审中-公开
简体标题：用于多图案化应用的光调谐硬遮罩
公开(公告)号：TW201447475A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103115847
申请日：2014-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 戴輝雄 , DAI, HUIXIONG , 曹勇 , CAO, YONG , 許廷軍 , XU, TINGJUN , 曾爲民 , ZENG, WEIMIN , 謝鵬 , XIE, PENG
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/76
CPC分类号： H01L21/0337 , C23C14/0042 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/351 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02266 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：本文的實施例提供的方法用於形成PVD氧化矽或富矽氧化物，或PVD SiN或富矽SiN，或SiC或富矽SiC，或前述之組合，包括化合物中含有控制的氫摻雜的變化，以上稱為SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在從0%到100%的濃度中變化，被生產作為硬光罩，該硬光罩在曝光波長下的光學特性與光阻充分匹配。因此使該硬光罩相對於該光阻為光學上平坦化的。如此允許在該硬光罩中進行多個微影和蝕刻的程序，同時該光阻保持基本上無光學形貌或反射率變化。
简体摘要：本文的实施例提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物，或PVD SiN或富硅SiN，或SiC或富硅SiC，或前述之组合，包括化合物中含有控制的氢掺杂的变化，以上称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0%到100%的浓度中变化，被生产作为硬光罩，该硬光罩在曝光波长下的光学特性与光阻充分匹配。因此使该硬光罩相对于该光阻为光学上平坦化的。如此允许在该硬光罩中进行多个微影和蚀刻的进程，同时该光阻保持基本上无光学形貌或反射率变化。

9. 发明专利

TWI414040B 氮化硼與硼－氮化物衍生材料的沉積方法有权
简体标题：氮化硼与硼－氮化物衍生材料的沉积方法
公开(公告)号：TWI414040B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW098111239
申请日：2009-04-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴西努米海拉 , BALSEANU, MIHAELA , 班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 陳永美 , CHEN, YONGMEI , 羅弗洛克依莎貝莉塔 , ROFLOX, ISABELITA , 夏立群 , XIA, LI-QUN , 惠蒂德瑞克R , WITTY, DEREK R. , 苗理彥 , MIAO, LI YAN , 余燕維克多 , NGUYEN, VICTOR
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/3086 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/318 , H01L21/76832 , H01L29/4966

10. 发明专利

TW201606274A 用於減少半導體基板應變變化的方法审中-公开
简体标题：用于减少半导体基板应变变化的方法
公开(公告)号：TW201606274A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104118360
申请日：2015-06-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 堤蘇瑞艾胡德 , TZURI, EHUD , 葉怡利 , YIEH, ELLIE Y.
IPC分类号： G01L1/24 , H01L21/30
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/268 , H01L21/2686 , H01L22/12
摘要：本發明揭露的實施例提供用於使用雷射能處理過程校正半導體基板上的微影薄膜應力/應變變化之方法與系統。在一個實施例中，用於校正基板上薄膜應力/應變變化的方法包括以下步驟：以度量衡工具在基板上執行量測過程以獲取基板變形或重疊誤差圖，基於重疊誤差圖決定計算系統中的雷射能用量以校正薄膜應力/應變變化或基板變形，以及基於決定用於校正基板變形或薄膜應力/應變變化的雷射能用量而提供雷射能處理方法給雷射能設備。
简体摘要：本发明揭露的实施例提供用于使用激光能处理过程校正半导体基板上的微影薄膜应力/应变变化之方法与系统。在一个实施例中，用于校正基板上薄膜应力/应变变化的方法包括以下步骤：以度量衡工具在基板上运行量测过程以获取基板变形或重叠误差图，基于重叠误差图决定计算系统中的激光能用量以校正薄膜应力/应变变化或基板变形，以及基于决定用于校正基板变形或薄膜应力/应变变化的激光能用量而提供激光能处理方法给激光能设备。

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