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1. 发明专利

TWI605630B 圖型形成方法、構造體、梳型電極之製造方法、及二次電池有权
简体标题：图型形成方法、构造体、梳型电极之制造方法、及二次电池
公开(公告)号：TWI605630B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102131783
申请日：2013-09-04
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：石川薰 , ISHIKAWA, KAORU , 浅井宏 , ASAI, TAKAHIRO
IPC分类号： H01M4/04 , G03F7/20 , H01M10/04
CPC分类号： H01M4/0414 , G03F7/0035 , G03F7/0037 , G03F7/12 , G03F7/40 , H01L21/288 , H01L21/76885 , H01M4/0404 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/70 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0565 , H01M10/058 , H01M2004/025 , Y02E60/122 , Y02P70/54

2. 发明专利

TW201426031A 光柵的製備方法审中-公开
简体标题：光栅的制备方法
公开(公告)号：TW201426031A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101151279
申请日：2012-12-28
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：朱振東 , ZHU, ZHEN-DONG , 李群慶 , LI, QUN-QING , 張立輝 , ZHANG, LI-HUI , 陳墨 , CHEN, MO , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： G02B5/18
CPC分类号： G02B5/1857 , G03F7/0002 , G03F7/0037
摘要：本發明提供一種光柵的製備方法，包括以下步驟：提供一基底；在所述基底的表面形成一掩模層；奈米壓印所述掩模層，使所述掩模層表面形成並排延伸的複數條形凸起結構；蝕刻所述掩模層，使所述凸起結構的頂端兩兩靠在一起而閉合；蝕刻所述基底，使所述基底的表面圖案化，形成複數三維奈米結構預製體；及去除所述掩模層，形成複數三維奈米結構。
简体摘要：本发明提供一种光栅的制备方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面形成一掩模层；奈米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的复数条形凸起结构；蚀刻所述掩模层，使所述凸起结构的顶端两两靠在一起而闭合；蚀刻所述基底，使所述基底的表面图案化，形成复数三维奈米结构预制体；及去除所述掩模层，形成复数三维奈米结构。

3. 发明专利

TW201424094A 圖型形成方法、構造體、梳型電極之製造方法、及二次電池审中-公开
简体标题：图型形成方法、构造体、梳型电极之制造方法、及二次电池
公开(公告)号：TW201424094A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102131783
申请日：2013-09-04
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：石川薰 , ISHIKAWA, KAORU , 浅井宏 , ASAI, TAKAHIRO
IPC分类号： H01M4/04 , G03F7/20 , H01M10/04
CPC分类号： H01M4/0414 , G03F7/0035 , G03F7/0037 , G03F7/12 , G03F7/40 , H01L21/288 , H01L21/76885 , H01M4/0404 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/70 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0565 , H01M10/058 , H01M2004/025 , Y02E60/122 , Y02P70/54
摘要：本發明提供一種可在短時間於支撐體上形成由相同或不同圖型材料所成之複數個圖型之圖型形成方法、具備以該方法形成之圖型之構造體、使用上述方法之梳型電極之製造方法、以及具有以該方法製造之梳型電極之二次電池。本發明之圖型形成方法係在支撐體上形成n個(n為2以上之整數)圖型者，其包含在支撐體之表面上形成第1層阻劑層，且針對第k次(k為1~(n-1)之整數)圖型材料及阻劑層，以k=1~(n-1)之順序，重複進行下述步驟：藉曝光及顯像形成貫通全部阻劑層之導孔、藉由網版印刷法而於導孔中填充第k次圖型材料、及在第k層之阻劑層及圖型材料上形成第(k+1)層之阻劑層，且同樣進行導孔之形成及第n次之圖型材料填充，並去除全部阻劑層。
简体摘要：本发明提供一种可在短时间于支撑体上形成由相同或不同图型材料所成之复数个图型之图型形成方法、具备以该方法形成之图型之构造体、使用上述方法之梳型电极之制造方法、以及具有以该方法制造之梳型电极之二次电池。本发明之图型形成方法系在支撑体上形成n个(n为2以上之整数)图型者，其包含在支撑体之表面上形成第1层阻剂层，且针对第k次(k为1~(n-1)之整数)图型材料及阻剂层，以k=1~(n-1)之顺序，重复进行下述步骤：藉曝光及显像形成贯通全部阻剂层之导孔、借由网版印刷法而于导孔中填充第k次图型材料、及在第k层之阻剂层及图型材料上形成第(k+1)层之阻剂层，且同样进行导孔之形成及第n次之图型材料填充，并去除全部阻剂层。

4. 发明专利

TWI431416B 不含銻之光可固化樹脂組合物及三維物件有权
简体标题：不含锑之光可固化树脂组合物及三维对象
公开(公告)号：TWI431416B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW095139643
申请日：2006-10-26
申请人： 3D系統公司 , 3D SYSTEMS, INC.
发明人：約翰偉馮 , FONG, JOHN WAI , 理查N 萊登 , LEYDEN, RICHARD N. , 羅倫絲莫西 , MESSE, LAURENCE , 雷吉納C 派拓 , PATEL, RANJANA C. , 卡羅兒樊德娜碧麗 , VANDENABEELE, CAROLE
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/20 , B41J2/01
CPC分类号： G03F7/038 , B22C7/02 , B29C64/112 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , C09D11/101 , G03F7/0037 , G09B23/28 , Y10T428/24802

5. 发明专利

TW201027247A 光阻圖型塗佈劑及使用其之光阻圖型之形成方法 RESIST PATTERN COATING AGENT AND PROCESS FOR PRODUCING RESIST PATTERN USING 审中-公开
简体标题：光阻图型涂布剂及使用其之光阻图型之形成方法 RESIST PATTERN COATING AGENT AND PROCESS FOR PRODUCING RESIST PATTERN USING
公开(公告)号：TW201027247A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098135437
申请日：2009-10-20
申请人： JSR股份有限公司
发明人：矢田勇二 , 庵野祐亮 , 柿澤友洋 , 堀雅史 , 三田倫廣 , 若松剛史
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/0035 , G03F7/0037 , G03F7/40
摘要：本發明係一種光阻圖型塗佈劑，其係在含有:下述光阻圖型之形成方法之步驟（2）所使用之具有羥基之樹脂及含有30質量％以上之碳數為3~10之支鏈狀烷醇的溶劑，其中上述光阻圖型之形成方法包含：使用第一敏輻射線性樹脂組成物在基板上形成第一光阻圖型的步驟（1）、藉由光阻圖型塗佈劑處理前述第一光阻圖型的步驟（2）、使用第二敏輻射線性樹脂組成物在藉由前述光阻圖型塗佈劑處理的基板上，形成第二光阻圖型的步驟（3）。
简体摘要：本发明系一种光阻图型涂布剂，其系在含有:下述光阻图型之形成方法之步骤（2）所使用之具有羟基之树脂及含有30质量％以上之碳数为3~10之支链状烷醇的溶剂，其中上述光阻图型之形成方法包含：使用第一敏辐射线性树脂组成物在基板上形成第一光阻图型的步骤（1）、借由光阻图型涂布剂处理前述第一光阻图型的步骤（2）、使用第二敏辐射线性树脂组成物在借由前述光阻图型涂布剂处理的基板上，形成第二光阻图型的步骤（3）。

6. 发明专利

TWI292513B 疊層光阻及其製造方法,以及蝕刻基板之方法失效
简体标题：叠层光阻及其制造方法,以及蚀刻基板之方法
公开(公告)号：TWI292513B
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：TW094127620
申请日：2005-08-12
申请人：奇菱科技股份有限公司 CHI LIN TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：林俊宏 LIN, JUN HONG
IPC分类号： G03F , G02B
CPC分类号： G03F7/095 , G03F7/0037
摘要：本發明係關於一種疊層光阻及其製造方法，該疊層光阻包括複數層光阻層，其中該等光阻層具有不同之受光區域。因此該疊層光阻本身具有不同之透光效果，藉此，可以利用該疊層光阻在基板上直接蝕刻出一三維結構，不需要習用第二次上光阻之製程，自然不會產生習知第二光阻層不易控制之缺點，因此蝕刻品質好，且效率高。
简体摘要：本发明系关于一种叠层光阻及其制造方法，该叠层光阻包括复数层光阻层，其中该等光阻层具有不同之受光区域。因此该叠层光阻本身具有不同之透光效果，借此，可以利用该叠层光阻在基板上直接蚀刻出一三维结构，不需要习用第二次上光阻之制程，自然不会产生习知第二光阻层不易控制之缺点，因此蚀刻品质好，且效率高。

7. 发明专利

TW200720843A 不含銻之光可固化樹脂組合物及三維物件 ANTIMONY-FREE PHOTOCURABLE RESIN COMPOSITION AND THREE DIMENSIONAL ARTICLE 审中-公开
简体标题：不含锑之光可固化树脂组合物及三维对象 ANTIMONY-FREE PHOTOCURABLE RESIN COMPOSITION AND THREE DIMENSIONAL ARTICLE
公开(公告)号：TW200720843A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095139643
申请日：2006-10-26
申请人：亨斯邁先進材料(瑞士)有限公司 HUNTSMAN ADVANCED MATERIALS (SWITZERLAND) GMBH
发明人：約翰偉馮 FONG, JOHN WAI , 理查N 萊登 LEYDEN, RICHARD N. , 羅倫絲莫西 MESSE, LAURENCE , 雷吉納C 派拓 PATEL, RANJANA C. , 卡羅兒樊德娜碧麗 VANDENABEELE, CAROLE
IPC分类号： G03F , B41J
CPC分类号： G03F7/038 , B22C7/02 , B29C64/112 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , C09D11/101 , G03F7/0037 , G09B23/28 , Y10T428/24802
摘要：本發明係提供一種低黏度光可固化組合物,其包含(i)可以陽離子方式固化之成份,(ii)自由基活性成份,(iii)不含銻之陽離子性光引發劑,(v)自由基光引發劑,及(vi)韌化劑。光可固化組合物可使用快速原型化技術固化,以形成三維物件,其可用於各種太空與包膜鑄造應用上。
简体摘要：本发明系提供一种低黏度光可固化组合物,其包含(i)可以阳离子方式固化之成份,(ii)自由基活性成份,(iii)不含锑之阳离子性光引发剂,(v)自由基光引发剂,及(vi)韧化剂。光可固化组合物可使用快速原型化技术固化,以形成三维对象,其可用于各种太空与包膜铸造应用上。

8. 发明专利

TW200502338A 新穎之表面活性聚矽氧烷光起始劑 NOVEL SURFACE-ACTIVE POLYSILOXANE PHOTOINITIATORS 失效
简体标题：新颖之表面活性聚硅氧烷光起始剂 NOVEL SURFACE-ACTIVE POLYSILOXANE PHOTOINITIATORS
公开(公告)号：TW200502338A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093116139
申请日：2004-06-04
申请人：席巴特製品化學股份有限公司 CIBA SPECIALTY CHEMICALS HOLDING INC.
发明人：羅傑强納生 ROGERS, JONATHAN , 布迪恩吉賽利 BAUDIN, GISELE , 朱恩圖傑 JUNG, TUNJA , 歐萊恩雷恩赫德 OHRLEIN, REINHOLD , 貝斯葛瑞里 BAISCH, GABRIELE
IPC分类号： C09D
CPC分类号： G03F7/029 , C08F2/50 , C08G77/38 , G03F7/0007 , G03F7/001 , G03F7/0037 , G03F7/0757
摘要：式I或II聚合物光起始劑093116139-p01.bmp其中n及m各自分別為3–5；o為10–16；p為4–8；R為苯基–CO–CO–O–；Y及Y’為自各分別C1–C10伸烷基或–【(CH2)a–O–(CH2)b】c–其中a為2–10、b為0–10、c為1–3；但若該亞甲基係介於兩個氧原子間，則a、b、c至少為1。093116139-p01.bmp
简体摘要：式I或II聚合物光起始剂093116139-p01.bmp其中n及m各自分别为3–5；o为10–16；p为4–8；R为苯基–CO–CO–O–；Y及Y’为自各分别C1–C10伸烷基或–【(CH2)a–O–(CH2)b】c–其中a为2–10、b为0–10、c为1–3；但若该亚甲基系介于两个氧原子间，则a、b、c至少为1。093116139-p01.bmp

9. 发明专利

TW593128B 三維微結構之製造方法失效
简体标题：三维微结构之制造方法
公开(公告)号：TW593128B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091110538
申请日：2002-05-17
申请人：曾繁根 FAN-GANG TSENG , 莊昀儒
发明人：曾繁根 FAN-GANG TSENG , 莊昀儒
IPC分类号： B81C
CPC分类号： B81C1/00 , G03F7/0035 , G03F7/0037 , G03F7/20 , G03F7/203 , G03F7/7035 , G03F7/70416 , H01L21/0276 , Y10S430/151
摘要：本發明揭示一種三維微結構之製造方法。其採用厚膜光阻以半導體製程在基材上形成多層重疊的微結構。藉由控制曝光之劑量(dosage)及利用抗反射層吸收曝光之光線，可在厚膜光阻中形成埋置的微通道。重複相同的製程可將多層的微結構疊置在一起，上下層之微通道(micro channel)也可形成相互連通的三維通路。
简体摘要：本发明揭示一种三维微结构之制造方法。其采用厚膜光阻以半导体制程在基材上形成多层重叠的微结构。借由控制曝光之剂量(dosage)及利用抗反射层吸收曝光之光线，可在厚膜光阻中形成埋置的微信道。重复相同的制程可将多层的微结构叠置在一起，上下层之微信道(micro channel)也可形成相互连通的三维通路。

10. 发明专利

TW200302952A 磺酸酯衍生物及其作為潛酸之用途 SULFONATE DERIVATIVES AND THE USE THEREOF AS LATENT ACIDS 审中-公开
简体标题：磺酸酯衍生物及其作为潜酸之用途 SULFONATE DERIVATIVES AND THE USE THEREOF AS LATENT ACIDS
公开(公告)号：TW200302952A
公开(公告)日：2003-08-16
申请号：TW092102265
申请日：2003-01-30
申请人：席巴特製品化學股份有限公司 CIBA SPECIALTY CHEMICALS HOLDING INC.
发明人：松本晃 AKIRA MATSUMOTO , 大和仁 HITOSHI YAMATO , 朝倉俊景 TOSHIKAGE ASAKURA , 彼得穆勒 PETER MURER
IPC分类号： G03F , C07C
CPC分类号： G03F7/0037 , B33Y70/00 , C07C323/66 , C07C381/00 , G03F7/001 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , Y10S430/114
摘要：一種化學放大光阻組物成，包含。(a)一於酸作用時固化之化合物或其可溶性於酸作用時增加之化合物；及(b)化學式Ia，Ib，IIa，IIb，IIIa，IIIb，IVa，IVb，Va，Vb或VIa之化合物092102265p01.bmp092102265p02.bmp，其中n係1或2；m係0或1；X^0係－【CH2】h－X或－CH=CH2；h係2，3，4，5或6；R1當n係1時，係例如選擇性被取代之苯基，基，基，菲基，或雜芳基；R1，當n係2時，係例如選擇性被取代之伸苯基或伸基；R2例如具有R1意義之一；X係例如－OR20，－NR21R22，－SR23；X'係－X1－A3－X2－；X1及X2係例如－O－，－S－或直接鍵；A3係例如伸苯基；R3具有例如對R1@eB!所示意義之一；R4具有例如對R2所示意義之一；R5及R6例如係氫；G例如係－S－或－O－；R7，當n係1時，係例如苯基，選擇性被取代，當n係2時，係例如伸苯基；R8及R9係例如C1－C18烷基；R10具有對R7所示意義之一；R11#係例如C1－C18烷基；R12，R13，R14，R15R16，R17及R18係例如氫或C1－C18烷基；R20，R21，R22及R23係例如苯基或C1－C18烷基；產生具良好光阻物輪廓之高解析度。
简体摘要：一种化学放大光阻组物成，包含。(a)一于酸作用时固化之化合物或其可溶性于酸作用时增加之化合物；及(b)化学式Ia，Ib，IIa，IIb，IIIa，IIIb，IVa，IVb，Va，Vb或VIa之化合物092102265p01.bmp092102265p02.bmp，其中n系1或2；m系0或1；X^0系－【CH2】h－X或－CH=CH2；h系2，3，4，5或6；R1当n系1时，系例如选择性被取代之苯基，基，基，菲基，或杂芳基；R1，当n系2时，系例如选择性被取代之伸苯基或伸基；R2例如具有R1意义之一；X系例如－OR20，－NR21R22，－SR23；X'系－X1－A3－X2－；X1及X2系例如－O－，－S－或直接键；A3系例如伸苯基；R3具有例如对R1@eB!所示意义之一；R4具有例如对R2所示意义之一；R5及R6例如系氢；G例如系－S－或－O－；R7，当n系1时，系例如苯基，选择性被取代，当n系2时，系例如伸苯基；R8及R9系例如C1－C18烷基；R10具有对R7所示意义之一；R11#系例如C1－C18烷基；R12，R13，R14，R15R16，R17及R18系例如氢或C1－C18烷基；R20，R21，R22及R23系例如苯基或C1－C18烷基；产生具良好光阻物轮廓之高分辨率。

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