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1. 发明专利

TWI645485B 具有封閉迴路控制的底部和側邊電漿調節有权
简体标题：具有封闭回路控制的底部和侧边等离子调节
公开(公告)号：TWI645485B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW102134590
申请日：2013-09-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅拉艾法瑞茲璜卡羅斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH , 亞尤伯摩哈德A , AYOUB, MOHAMAD A. , 陳建 , CHEN, JIAN
IPC分类号： H01L21/67

2. 发明专利

TW201447967A 使用處理腔室中之調諧電極以調諧電漿分佈之設備及方法审中-公开
简体标题：使用处理腔室中之调谐电极以调谐等离子分布之设备及方法
公开(公告)号：TW201447967A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108454
申请日：2014-03-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：亞尤伯摩哈德A , AYOUB, MOHAMAD A. , 陳建 , CHEN, JIAN J. , 班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32174 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/3321
摘要：本發明之實施例係關於用於在基板之電漿處理期間提高沈積速率及改良電漿分佈之設備。根據實施例，該設備包括一調諧電極，該調諧電極安置在一基板支撐底座中且電氣耦接至一可變電容器。電容經控制以控制耦接至該調諧電極之RF及所得電漿。越過基板之電漿分佈以及所得沈積速率及沈積膜厚度藉由調整在該調諧電極處之電容及阻抗來相應地控制。
简体摘要：本发明之实施例系关于用于在基板之等离子处理期间提高沉积速率及改良等离子分布之设备。根据实施例，该设备包括一调谐电极，该调谐电极安置在一基板支撑底座中且电气耦接至一可变电容器。电容经控制以控制耦接至该调谐电极之RF及所得等离子。越过基板之等离子分布以及所得沉积速率及沉积膜厚度借由调整在该调谐电极处之电容及阻抗来相应地控制。

3. 发明专利

TW201330706A 用於改善射頻接地的可靠性之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于改善射频接地的可靠性之设备及方法
公开(公告)号：TW201330706A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101142047
申请日：2012-11-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：周建華 , ZHOU, JIANHUA , 督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 亞尤伯摩哈德A , AYOUB, MOHAMAD A. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32577
摘要：本發明的實施例提供射頻傳導桿，射頻傳導桿包含中空部分。特別地，射頻傳導桿包括一細長中空體、第一實體連接器及第二實體連接器，中空體具有包圍內體積的側壁，第一實體連接器從細長中空體的第一端延伸，第二實體連接器從細長中空體的第二端延伸。細長中空體、第一實體連接器和第二實體連接器中的每一者皆是由一電性導電材料形成。
简体摘要：本发明的实施例提供射频传导杆，射频传导杆包含中空部分。特别地，射频传导杆包括一细长中空体、第一实体连接器及第二实体连接器，中空体具有包围内体积的侧壁，第一实体连接器从细长中空体的第一端延伸，第二实体连接器从细长中空体的第二端延伸。细长中空体、第一实体连接器和第二实体连接器中的每一者皆是由一电性导电材料形成。

4. 发明专利

TWI627653B 使用處理腔室中之調諧電極以調諧電漿分佈之設備及方法有权
简体标题：使用处理腔室中之调谐电极以调谐等离子分布之设备及方法
公开(公告)号：TWI627653B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103108454
申请日：2014-03-11
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：亞尤伯摩哈德A , AYOUB, MOHAMAD A. , 陳建 , CHEN, JIAN J. , 班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR
IPC分类号： H01J37/32

5. 发明专利

TW201435966A 在製程室中使用調節環來調節電漿分佈的裝置和方法审中-公开
简体标题：在制程室中使用调节环来调节等离子分布的设备和方法
公开(公告)号：TW201435966A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103104950
申请日：2014-02-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：亞尤伯摩哈德A , AYOUB, MOHAMAD A. , 陳堅J , CHEN JIAN J.
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/505 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32697 , H01J37/32935
摘要：本發明之實施例係關於在基板之電漿處理期間用於改良電漿分佈之裝置。根據實施例，該裝置包括電耦接至可變電容器之調節環。該電容經控制以控制射頻及所產生之與調節環之電漿耦合。整個基板之電漿分佈及所產生之沉積薄膜厚度藉由調整調節環處之電容及阻抗而得以相應地控制。
简体摘要：本发明之实施例系关于在基板之等离子处理期间用于改良等离子分布之设备。根据实施例，该设备包括电耦接至可变电容器之调节环。该电容经控制以控制射频及所产生之与调节环之等离子耦合。整个基板之等离子分布及所产生之沉积薄膜厚度借由调整调节环处之电容及阻抗而得以相应地控制。

6. 发明专利

TW201421600A 具有封閉迴路控制的底部和側邊電漿調節审中-公开
简体标题：具有封闭回路控制的底部和侧边等离子调节
公开(公告)号：TW201421600A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102134590
申请日：2013-09-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅拉艾法瑞茲璜卡羅斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH , 亞尤伯摩哈德A , AYOUB, MOHAMAD A. , 陳建 , CHEN, JIAN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/30 , H01J37/32091 , H01J37/32532
摘要：提供一種用於電漿處理基板的裝置。裝置包含了處理腔室、設置於處理腔室裡的基板支撐件，以及與處理腔室耦合的蓋組件。蓋組件包含了與電源耦合的導電性氣體分配器。調節電極可設置在導電性氣體分配器與用來調整電漿之接地電路的腔室體之間。第二調節電極可與基板支撐件耦合，且偏壓電極亦可與基板支撐件耦合。
简体摘要：提供一种用于等离子处理基板的设备。设备包含了处理腔室、设置于处理腔室里的基板支撑件，以及与处理腔室耦合的盖组件。盖组件包含了与电源耦合的导电性气体分配器。调节电极可设置在导电性气体分配器与用来调整等离子之接地电路的腔室体之间。第二调节电极可与基板支撑件耦合，且偏压电极亦可与基板支撑件耦合。

7. 发明专利

TW201215246A 用於以電流為基礎之電漿的偏移偵測 SYSTEM AND METHOD FOR CURRENT-BASED PLASMA EXCURSION DETECTION 审中-公开
简体标题：用于以电流为基础之等离子的偏移侦测 SYSTEM AND METHOD FOR CURRENT-BASED PLASMA EXCURSION DETECTION
公开(公告)号：TW201215246A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100130936
申请日：2011-08-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳建 , 亞尤伯摩哈德A
IPC分类号： H05H , H01J
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32183
摘要：茲提供一種系統與方法,經由在電漿處理中直接監測剛好到達電漿處理腔室的以射頻驅動的電極之前的射頻電流,用於偵測以電漿的偏移,例如電弧,微電弧,或其他電漿不穩定現象。所監測的射頻電流可被轉換成射頻電壓並傳遞通過一序列的類比濾波器及放大器,以提供電漿偏移信號。該電漿偏移信號被用來和預設値相比較,且在電漿偏移信號超過預設値時,產生一警示信號。該警示信號反饋回系統控制器,以使操作者可被警示及/或將處理系統關閉。在一個實施例中,射頻電流被放大並轉換成數位信號以用於數位濾波及處理。在某些實施例中,多個處理區域可經由單一個偵測控制單元監測。
简体摘要：兹提供一种系统与方法,经由在等离子处理中直接监测刚好到达等离子处理腔室的以射频驱动的电极之前的射频电流,用于侦测以等离子的偏移,例如电弧,微电弧,或其他等离子不稳定现象。所监测的射频电流可被转换成射频电压并传递通过一串行的模拟滤波器及放大器,以提供等离子偏移信号。该等离子偏移信号被用来和默认値相比较,且在等离子偏移信号超过默认値时,产生一警示信号。该警示信号反馈回系统控制器,以使操作者可被警示及/或将处理系统关闭。在一个实施例中,射频电流被放大并转换成数码信号以用于数码滤波及处理。在某些实施例中,多个处理区域可经由单一个侦测控制单元监测。

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