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1. 发明专利

TWI588891B 嵌段共聚物之蝕刻方法有权
简体标题：嵌段共聚物之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI588891B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102134455
申请日：2013-09-25
申请人：愛美科公司 , IMEC , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0271 , B81C1/00031 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31138

2. 发明专利

TW201428818A 應用崁段共聚物之蝕刻方法审中-公开
简体标题：应用崁段共聚物之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201428818A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102140042
申请日：2013-11-05
申请人：愛美科公司 , IMEC , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3086 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L27/04 , H01L51/0014 , H01L51/0017
摘要：本發明揭示一種用於微影之方法，該方法包括：-獲得(12)在上覆一基板(23)之一中性層上之一自組織崁段共聚物層(21)，該自組織崁段共聚物層(21)包括具有相互不同之蝕刻抗性的至少兩個聚合物組分(24、25)，此外，該自組織崁段共聚物層(21)包括藉由該至少兩個聚合物組分(24、25)之微相分離而形成之一共聚物圖案結構，-選擇性蝕刻(14)該自組織崁段共聚物層(21)之一第一聚合物組分(25)，藉此餘留一第二聚合物組分(24)，-使用該第二聚合物組分(24)作為一遮罩，施加一電漿蝕刻(16)至該中性層(22”)，其中該電漿蝕刻(16)包括一惰性氣體及H2。
简体摘要：本发明揭示一种用于微影之方法，该方法包括：-获得(12)在上覆一基板(23)之一中性层上之一自组织崁段共聚物层(21)，该自组织崁段共聚物层(21)包括具有相互不同之蚀刻抗性的至少两个聚合物组分(24、25)，此外，该自组织崁段共聚物层(21)包括借由该至少两个聚合物组分(24、25)之微相分离而形成之一共聚物图案结构，-选择性蚀刻(14)该自组织崁段共聚物层(21)之一第一聚合物组分(25)，借此余留一第二聚合物组分(24)，-使用该第二聚合物组分(24)作为一遮罩，施加一等离子蚀刻(16)至该中性层(22”)，其中该等离子蚀刻(16)包括一惰性气体及H2。

3. 发明专利

TWI584350B 應用崁段共聚物之蝕刻方法有权
简体标题：应用崁段共聚物之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI584350B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102140042
申请日：2013-11-05
申请人：愛美科公司 , IMEC , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3086 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L27/04 , H01L51/0014 , H01L51/0017

4. 发明专利

TW201417176A 嵌段共聚物之蝕刻方法审中-公开
简体标题：嵌段共聚物之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201417176A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102134455
申请日：2013-09-25
申请人：愛美科公司 , IMEC , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0271 , B81C1/00031 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31138
摘要：本發明係關於用於嵌段共聚物微影之一方法(10)。該方法包括獲得(12)包括具有互不相同之抗蝕刻性之至少兩種聚合物組份的一自組織嵌段共聚物層之步驟，及施加至少一次以下兩者之各者之步驟：使用自一實質上灰化氣體形成之一電漿的該自組織嵌段共聚物層之第一電漿蝕刻(14)，及使用自純惰性氣體或惰性氣體之混合物形成之電漿的該自組織嵌段共聚物層之第二電漿蝕刻(16)以選擇性移除一第一聚合物相。亦描述相應之一中間產物。
简体摘要：本发明系关于用于嵌段共聚物微影之一方法(10)。该方法包括获得(12)包括具有互不相同之抗蚀刻性之至少两种聚合物组份的一自组织嵌段共聚物层之步骤，及施加至少一次以下两者之各者之步骤：使用自一实质上灰化气体形成之一等离子的该自组织嵌段共聚物层之第一等离子蚀刻(14)，及使用自纯惰性气体或惰性气体之混合物形成之等离子的该自组织嵌段共聚物层之第二等离子蚀刻(16)以选择性移除一第一聚合物相。亦描述相应之一中间产物。

5. 发明专利

TW202018784A 一種在半導體鰭陣列上產生閘極切口結構的方法及其製成的半導體結構审中-公开
简体标题：一种在半导体鳍数组上产生闸极切口结构的方法及其制成的半导体结构
公开(公告)号：TW202018784A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108135597
申请日：2019-10-01
申请人：比利時商愛美科公司 , IMEC VZW
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 丹特尼立塔尤基尼歐 , DENTONI LITTA, EUGENIO , 瑞格那森拉爾司艾克 , RAGNARSSON, LARS-AKE , 鬼木悠丞 , ONIKI, YUSUKE
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/41
摘要：本發明之方法係在一基板(2)上執行，該基板(2)在其表面上包括一平行半導體鰭陣列(1)，及至少一個虛設閘極(4)，該至少一個虛設閘極(4)橫向於該等鰭定向，且在各側上側接一間隔件(5)及一層間介電(ILD)區(6)。替換金屬閘極處理被應用於該基板，其中一閘極介電質(10)及一金屬閘極堆疊(11、12)替換該等虛設閘極。根據本發明，該金屬閘極堆疊之薄化在未完全移除金屬的情況下停止，且其後緊接著回蝕該金屬閘極以在該等間隔件(5)之間形成一溝渠形凹槽(13)，其中該閘極介電質(10)保留在該凹槽之側壁上。產生一遮罩(14、15)，該遮罩(14、15)界定跨凹槽(13)之一開口(17)，且執行對該閘極介電層(10)具選擇性之自對準蝕刻以產生一盲腔(18)，該盲腔(18)從該凹槽向下延伸，且位於兩個相鄰鰭(1)之間以及該等間隔件(5)之間。該盲腔填充有一介電質(19)以同時在兩個相鄰閘極(21a、21b)之間形成一閘極切口結構(20)且在該等相鄰閘極上以及跨該基板(2)之其他閘極上形成閘極罩蓋(22)。
简体摘要：本发明之方法系在一基板(2)上运行，该基板(2)在其表面上包括一平行半导体鳍数组(1)，及至少一个虚设闸极(4)，该至少一个虚设闸极(4)横向于该等鳍定向，且在各侧上侧接一间隔件(5)及一层间介电(ILD)区(6)。替换金属闸极处理被应用于该基板，其中一闸极介电质(10)及一金属闸极堆栈(11、12)替换该等虚设闸极。根据本发明，该金属闸极堆栈之薄化在未完全移除金属的情况下停止，且其后紧接着回蚀该金属闸极以在该等间隔件(5)之间形成一沟渠形凹槽(13)，其中该闸极介电质(10)保留在该凹槽之侧壁上。产生一遮罩(14、15)，该遮罩(14、15)界定跨凹槽(13)之一开口(17)，且运行对该闸极介电层(10)具选择性之自对准蚀刻以产生一盲腔(18)，该盲腔(18)从该凹槽向下延伸，且位于两个相邻鳍(1)之间以及该等间隔件(5)之间。该盲腔填充有一介电质(19)以同时在两个相邻闸极(21a、21b)之间形成一闸极切口结构(20)且在该等相邻闸极上以及跨该基板(2)之其他闸极上形成闸极罩盖(22)。

6. 发明专利

TWI676292B 一種在基底上製造半導體裝置之鰭結構的方法有权
简体标题：一种在基底上制造半导体设备之鳍结构的方法
公开(公告)号：TWI676292B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW104105777
申请日：2015-02-24
申请人：比利時商愛美科公司 , IMEC VZW
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 莎亞莎費克 , SAYAN, SAFAK , 金敏洙 , KIM, MIN-SOO , 帕尼爾多尼 , PARNELL, DONI , 葛漢德羅爾 , GRONHEID, ROEL
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/027

7. 发明专利

TW201732884A 將涉及定向自組裝製程的基板圖案化的方法审中-公开
简体标题：将涉及定向自组装制程的基板图案化的方法
公开(公告)号：TW201732884A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105137114
申请日：2016-11-14
申请人：愛美科公司 , IMEC VZW , 比利時天主教魯汶大學KU魯汶研發處 , KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN, KU LEUVEN RESEARCH & DEVELOPMENT
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 陶錚 , TAO, ZHENG , 賽恩亞將 , SINGH, ARJUN , 多義司傑 , DOISE, JAN
IPC分类号： H01L21/033
CPC分类号： H01L21/0338 , G03F7/0002 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31144
摘要：一種用於將一基板圖案化之方法，其包括 - 於該基板之頂部上施加界定一第一經圖案化層之一第一DSA圖案化製程，該第一經圖案化層之圖案意欲被轉印至該基板中； - 於該第一經圖案化層之頂部上施加一平坦化層； - 於該平坦化層之頂部上施加界定一第二經圖案化層之一第二DSA圖案化製程，藉此並不對該平坦化層進行圖案化，該第二經圖案化層之圖案意欲被轉印至該基板中，且該第二經圖案化層之該圖案及該第一經圖案化層之該圖案在該基板上的投影不具有重疊；及 - 此後，將由該第一經圖案化層及該第二經圖案化層界定之該等圖案轉印至該基板中。
简体摘要：一种用于将一基板图案化之方法，其包括 - 于该基板之顶部上施加界定一第一经图案化层之一第一DSA图案化制程，该第一经图案化层之图案意欲被转印至该基板中； - 于该第一经图案化层之顶部上施加一平坦化层； - 于该平坦化层之顶部上施加界定一第二经图案化层之一第二DSA图案化制程，借此并不对该平坦化层进行图案化，该第二经图案化层之图案意欲被转印至该基板中，且该第二经图案化层之该图案及该第一经图案化层之该图案在该基板上的投影不具有重叠；及 - 此后，将由该第一经图案化层及该第二经图案化层界定之该等图案转印至该基板中。

8. 发明专利

TW201539744A 一種在基底上製造半導體裝置之鰭結構的方法审中-公开
简体标题：一种在基底上制造半导体设备之鳍结构的方法
公开(公告)号：TW201539744A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104105777
申请日：2015-02-24
申请人：愛美科公司 , IMEC VZW
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 莎亞莎費克 , SAYAN, SAFAK , 金敏洙 , KIM, MIN-SOO , 帕尼爾多尼 , PARNELL, DONI , 葛漢德羅爾 , GRONHEID, ROEL
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/027
CPC分类号： H01L29/1037 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/66795 , H01L29/7851
摘要：本發明揭示一種在一半導體基底之一區域中使用定向自組裝(DSA)微影圖案化來製造鰭結構之方法，其包括：提供一半導體基底，該半導體基底之一側上覆蓋有一淺溝渠隔離(STI)層堆疊；在該基底之該側上界定一鰭區域，其中將藉由執行不包括DSA之一微影圖案化步驟來製造該等鰭結構；及其後，根據一預定鰭圖案，使用DSA微影圖案化來製造該半導體基底上之該鰭區域內之該等鰭結構；且製造相關聯之半導體結構。
简体摘要：本发明揭示一种在一半导体基底之一区域中使用定向自组装(DSA)微影图案化来制造鳍结构之方法，其包括：提供一半导体基底，该半导体基底之一侧上覆盖有一浅沟渠隔离(STI)层堆栈；在该基底之该侧上界定一鳍区域，其中将借由运行不包括DSA之一微影图案化步骤来制造该等鳍结构；及其后，根据一预定鳍图案，使用DSA微影图案化来制造该半导体基底上之该鳍区域内之该等鳍结构；且制造相关联之半导体结构。

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