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1. 发明专利

TWI421411B 真空排氣裝置、真空處理裝置及真空處理方法有权
简体标题：真空排气设备、真空处理设备及真空处理方法
公开(公告)号：TWI421411B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW098138638
申请日：2009-11-13
申请人：愛發科低溫泵股份有限公司 , ULVAC CRYOGENICS NC. , 愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：小室拓 , KOMURO, TAKU , 增田行男 , MASUDA, YUKIO , 降矢新治 , FURUYA, SHINJI , 齋藤一也 , SAITO, KAZUYA , 大園修司 , OSONO, SHUJI , 淺利伸 , ASARI, SHIN
IPC分类号： F04B23/04
CPC分类号： F04B37/08 , F04B37/18

2. 发明专利

TW201030234A 真空排氣裝置、真空處理裝置及真空處理方法审中-公开
简体标题：真空排气设备、真空处理设备及真空处理方法
公开(公告)号：TW201030234A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098138638
申请日：2009-11-13
申请人：愛發科低溫泵股份有限公司 , 愛發科股份有限公司
发明人：小室拓 , 增田行男 , 降矢新治 , 齋藤一也 , 大園修司 , 淺利伸
IPC分类号： F04B
CPC分类号： F04B37/08 , F04B37/18
摘要：一種可抑制冷凍泵中臭氧之累積的真空排氣裝置、真空處理裝置及真空排氣方法。該真空處理裝置具備：一真空處理用的處理室；一泵單元，用以對處理室進行排氣；及加熱單元。上述泵單元係具有：一冷阱，可捕集廢氣；一排氣通路，用以將廢氣從處理室朝冷阱導引。加熱單元係利用排氣通路把由處理室朝向冷阱之廢氣中所含之臭氧熱分解。
简体摘要：一种可抑制冷冻泵中臭氧之累积的真空排气设备、真空处理设备及真空排气方法。该真空处理设备具备：一真空处理用的处理室；一泵单元，用以对处理室进行排气；及加热单元。上述泵单元系具有：一冷阱，可捕集废气；一排气通路，用以将废气从处理室朝冷阱导引。加热单元系利用排气通路把由处理室朝向冷阱之废气中所含之臭氧热分解。

3. 发明专利

TWI374944B 自我清潔觸媒化學蒸著裝置及其清潔方法有权
简体标题：自我清洁触媒化学蒸着设备及其清洁方法
公开(公告)号：TWI374944B
公开(公告)日：2012-10-21
申请号：TW094107035
申请日：2005-03-08
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：北添牧子 , 大園修司 , 伊藤博巳 , 齋藤一也 , 淺利伸
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4405
摘要：【課題】
提供不需要將觸媒體加熱至2000℃以上，抑制清潔氣體所致之控制觸媒體的腐蝕劣化，即能以低成本進行實用的清潔速度與良好清潔之自我清潔觸媒化學蒸著裝置。
【解決手段】
將由加熱用電源6及該加熱用電源6的各端子6a、6b間，把定流通電至反應容器2內的觸媒體4之導線5a、5b，令為與反應容器2之間呈導電絕緣的狀態，將含有鹵素元素的清潔氣體導入已經過排氣的反應容器2內，藉由加熱用電源6而來的通電來加熱觸媒體4，在使藉由此加熱而產生的活性種與附著於反應容器2內的附著膜起反應，而除去附著膜之時，由定壓電源8，對加熱用電源6的導線5b，施加適當的極性且適當值之直流偏電壓。
简体摘要：【课题】提供不需要将触媒体加热至2000℃以上，抑制清洁气体所致之控制触媒体的腐蚀劣化，即能以低成本进行实用的清洁速度与良好清洁之自我清洁触媒化学蒸着设备。【解决手段】将由加热用电源6及该加热用电源6的各端子6a、6b间，把定流通电至反应容器2内的触媒体4之导线5a、5b，令为与反应容器2之间呈导电绝缘的状态，将含有卤素元素的清洁气体导入已经过排气的反应容器2内，借由加热用电源6而来的通电来加热触媒体4，在使借由此加热而产生的活性种与附着于反应容器2内的附着膜起反应，而除去附着膜之时，由定压电源8，对加热用电源6的导线5b，施加适当的极性且适当值之直流偏电压。

4. 发明专利

TW201108448A 光電轉換裝置之製造系統及光電轉換裝置之製造方法 METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE 审中-公开
简体标题：光电转换设备之制造系统及光电转换设备之制造方法 METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
公开(公告)号：TW201108448A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099110593
申请日：2010-04-06
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：野口恭史 , 小形英之 , 森勝彥 , 清水康男 , 內田寬人 , 淺利伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1876 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L21/6776 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：本發明之光電轉換裝置之製造系統係在形成於基板上之透明導電膜上依序積層有p型半導體層、i型半導體層、及n型半導體層之光電轉換裝置之製造系統,該製造系統包含:I層成膜反應室,其至少包含沿搬送上述基板之搬送方向依序配置之第一成膜部、第二成膜部、及第三成膜部,且使上述i型半導體層成膜;及複數個門閥,其以上述搬送方向上之上述第二成膜部之長度較上述第一成膜部及上述第三成膜部之長度更長之方式,分割上述第一成膜部、上述第二成膜部、及上述第三成膜部。
简体摘要：本发明之光电转换设备之制造系统系在形成于基板上之透明导电膜上依序积层有p型半导体层、i型半导体层、及n型半导体层之光电转换设备之制造系统,该制造系统包含:I层成膜反应室,其至少包含沿搬送上述基板之搬送方向依序配置之第一成膜部、第二成膜部、及第三成膜部,且使上述i型半导体层成膜;及复数个门阀,其以上述搬送方向上之上述第二成膜部之长度较上述第一成膜部及上述第三成膜部之长度更长之方式,分割上述第一成膜部、上述第二成膜部、及上述第三成膜部。

5. 发明专利

TW201213954A 液晶顯示裝置及液晶顯示裝置之製造方法以及液晶顯示裝置用電極基板审中-公开
简体标题：液晶显示设备及液晶显示设备之制造方法以及液晶显示设备用电极基板
公开(公告)号：TW201213954A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100119824
申请日：2011-06-07
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：村田康明 , 菊池正志 , 龜崎厚治 , 岡山智彥 , 野村泰治 , 加藤裕子 , 吳東柱 , 菊池亨 , 森村太郎 , 淺利伸 , 齋藤一也
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133345 , G02F1/1343
摘要：〔課題〕提供一種能夠對於被形成在有機保護膜之表面上的無機絕緣膜之剝離作抑制的液晶顯示裝置及其製造方法，以及液晶顯示裝置用電極基板。〔解決手段〕在具備有：在被設置於電極基板上之薄膜電晶體作覆蓋地來設置之有機保護膜(27)上覆蓋共通電極(41)地來作設置之無機絕緣膜(42)的構成中，於有機保護膜(27)之表面上，隔著對於從有機保護膜(27)而來之氣體成分的放出作防止的阻障層(60)，而設置無機絕緣膜(42)。
简体摘要：〔课题〕提供一种能够对于被形成在有机保护膜之表面上的无机绝缘膜之剥离作抑制的液晶显示设备及其制造方法，以及液晶显示设备用电极基板。〔解决手段〕在具备有：在被设置于电极基板上之薄膜晶体管作覆盖地来设置之有机保护膜(27)上覆盖共通电极(41)地来作设置之无机绝缘膜(42)的构成中，于有机保护膜(27)之表面上，隔着对于从有机保护膜(27)而来之气体成分的放出作防止的阻障层(60)，而设置无机绝缘膜(42)。

6. 发明专利

TW201110828A 電漿處理裝置 PLASMA TREATMENT APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA TREATMENT APPARATUS
公开(公告)号：TW201110828A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099100190
申请日：2010-01-06
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：若松貞次 , 龜崎厚治 , 菊池正志 , 神保洋介 , 江藤謙次 , 淺利伸 , 內田寬人
IPC分类号： H05H , C23C
CPC分类号： H01J37/32467 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：本發明之電漿處理裝置包含:腔室,其被導入製程氣體,且生成由前述製程氣體所成之電漿;基底構件,其具有載置基板之第1基面、設於前述第1基面之周緣部之第2基面、及設於前述第1基面與前述第2基面間之基底階差部,且其係配置於前述腔室內;絕緣板,其具有從前述第2基面至載置於前述第1基面之前述基板的上面之高度以下的高度,且其係配置於前述第2基面上,並由絕緣物質所形成;噴灑板,其具有形成有噴出孔之第1噴灑面、設於前述第1噴灑面之周緣部之第2噴灑面、及設於前述第1噴灑面與前述第2噴灑面間之噴灑階差部,且向前述基板供給前述製程氣體,並配置於前述腔室內;及電極遮罩,其具有從前述第2噴灑面至前述第1噴灑面之高度以下之高度,且係以與前述絕緣板相對之方式配置於前述第2噴灑面上,並由絕緣物質所形成。
简体摘要：本发明之等离子处理设备包含:腔室,其被导入制程气体,且生成由前述制程气体所成之等离子;基底构件,其具有载置基板之第1基面、设于前述第1基面之周缘部之第2基面、及设于前述第1基面与前述第2基面间之基底阶差部,且其系配置于前述腔室内;绝缘板,其具有从前述第2基面至载置于前述第1基面之前述基板的上面之高度以下的高度,且其系配置于前述第2基面上,并由绝缘物质所形成;喷洒板,其具有形成有喷出孔之第1喷洒面、设于前述第1喷洒面之周缘部之第2喷洒面、及设于前述第1喷洒面与前述第2喷洒面间之喷洒阶差部,且向前述基板供给前述制程气体,并配置于前述腔室内;及电极遮罩,其具有从前述第2喷洒面至前述第1喷洒面之高度以下之高度,且系以与前述绝缘板相对之方式配置于前述第2喷洒面上,并由绝缘物质所形成。

7. 发明专利

TW201110380A 光電轉換裝置及光電轉換裝置之製造方法 PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：光电转换设备及光电转换设备之制造方法 PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201110380A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099119743
申请日：2010-06-17
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：今北健一 , 內田寬人 , 淺利伸 , 橋本征典 , 藤長徹志 , 小林忠正 , 若井雅文 , 朝比奈伸一 , 植喜信 , 中村久三 , 齋藤一也 , 清水康男
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/03765 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1872 , H01L31/202 , H01L31/204 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：本發明之光電轉換裝置包含:基板;形成於上述基板上之透明導電膜;形成於上述透明導電膜上之第一光電轉換單元,其包含第一p型半導體層、第一i型半導體層、及第一n型半導體層;以及形成於上述第一光電轉換單元上之第二光電轉換單元,其包含作為結晶矽系薄膜之第二p型半導體層、第二i型半導體層、第二n型半導體層、及設置於上述第二i型半導體層與上述第二n型半導體層之間的作為非晶矽系薄膜之i型半導體層之障壁層。
简体摘要：本发明之光电转换设备包含:基板;形成于上述基板上之透明导电膜;形成于上述透明导电膜上之第一光电转换单元,其包含第一p型半导体层、第一i型半导体层、及第一n型半导体层;以及形成于上述第一光电转换单元上之第二光电转换单元,其包含作为结晶硅系薄膜之第二p型半导体层、第二i型半导体层、第二n型半导体层、及设置于上述第二i型半导体层与上述第二n型半导体层之间的作为非晶硅系薄膜之i型半导体层之障壁层。

8. 发明专利

TW201034526A 電漿處理裝置 PLASMA TREATMENT APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA TREATMENT APPARATUS
公开(公告)号：TW201034526A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099100189
申请日：2010-01-06
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：若松貞次 , 龜崎厚治 , 菊池正志 , 神保洋介 , 江藤謙次 , 淺利伸 , 內田寬人
IPC分类号： H05H , C23C
CPC分类号： H01J37/32467 , H01J37/32091
摘要：本發明之電漿處理裝置包含:電極凸緣;具有內壁面之腔室;配置於前述電極凸緣與前述腔室間之絕緣凸緣;具有側面,配置於前述腔室內,且供載置基板之基底構件;與前述電極凸緣連接,且施加高頻電壓之RF電源;及配置於與前述內壁面相對之前述基底構件之前述側面、及與前述基底構件之側面相對之前述內壁面中至少任一方的絕緣構件。
简体摘要：本发明之等离子处理设备包含:电极凸缘;具有内壁面之腔室;配置于前述电极凸缘与前述腔室间之绝缘凸缘;具有侧面,配置于前述腔室内,且供载置基板之基底构件;与前述电极凸缘连接,且施加高频电压之RF电源;及配置于与前述内壁面相对之前述基底构件之前述侧面、及与前述基底构件之侧面相对之前述内壁面中至少任一方的绝缘构件。

9. 发明专利

TW201026874A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201026874A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098134116
申请日：2009-10-08
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：倉田敬臣 , 清田淳也 , 新井真 , 赤松泰彥 , 石橋曉 , 淺利伸 , 齋藤一也 , 佐藤重光 , 菊池正志
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/67161 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要：一種真空處理裝置，其可提供一種適於處理各步驟中的處理內容之方法來支撐基板並搬運，可控制對設置於處理室內各種機構之不良影響。對於CVD室，可使用氣體般之特殊洗淨氣體，來清洗CVD室內部。例如，當CVD室係以縱型之裝置所構成時，會顧慮到類似設置於後述之濺鍍室的縱型處理裝置所特有的支撐機構或搬運機構，因特殊氣體而致腐蝕等之問題。但是在本實施形態中，由於CVD室係以橫型之裝置所構成，故可解決此種問題。又，藉由使濺鍍裝置作為縱型之處理裝置即可解決異常放電之問題。
简体摘要：一种真空处理设备，其可提供一种适于处理各步骤中的处理内容之方法来支撑基板并搬运，可控制对设置于处理室内各种机构之不良影响。对于CVD室，可使用气体般之特殊洗净气体，来清洗CVD室内部。例如，当CVD室系以纵型之设备所构成时，会顾虑到类似设置于后述之溅镀室的纵型处理设备所特有的支撑机构或搬运机构，因特殊气体而致腐蚀等之问题。但是在本实施形态中，由于CVD室系以横型之设备所构成，故可解决此种问题。又，借由使溅镀设备作为纵型之处理设备即可解决异常放电之问题。

10. 发明专利

TW201017774A 場效型電晶體之製造方法及製造裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MAKING A FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：场效型晶体管之制造方法及制造设备 METHOD AND APPARATUS FOR MAKING A FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201017774A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098128962
申请日：2009-08-28
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：倉田敬臣 , 清田淳也 , 新井真 , 赤松泰彥 , 淺利伸 , 橋本征典 , 佐藤重光 , 菊池正志
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：提供一種不會暴露於大氣環境中且能保護活性層不受蝕刻劑影響之場效型電晶體的製造方法及製造裝置。本發明一形態的場效型電晶體的製造方法係包含有：藉由濺鍍法於基材10上形成具有In－Ga－Zn－O系組成之活性層15（IGZO膜15F）之步驟；藉由濺鍍法在活性層上形成用以保護活性層不受作用於前述活性層的蝕刻劑之影響的停止層16（停止層形成膜16F）之步驟；以及將前述停止層作為遮罩來蝕刻活性層之步驟。以濺鍍法成膜停止層，藉此可在活性層成膜後以不會將活性層暴露於大氣之方式形成停止層。藉此，能防止因為大氣中的水分和雜質附著至活性層的表面導致膜質的劣化。
简体摘要：提供一种不会暴露于大气环境中且能保护活性层不受蚀刻剂影响之场效型晶体管的制造方法及制造设备。本发明一形态的场效型晶体管的制造方法系包含有：借由溅镀法于基材10上形成具有In－Ga－Zn－O系组成之活性层15（IGZO膜15F）之步骤；借由溅镀法在活性层上形成用以保护活性层不受作用于前述活性层的蚀刻剂之影响的停止层16（停止层形成膜16F）之步骤；以及将前述停止层作为遮罩来蚀刻活性层之步骤。以溅镀法成膜停止层，借此可在活性层成膜后以不会将活性层暴露于大气之方式形成停止层。借此，能防止因为大气中的水分和杂质附着至活性层的表面导致膜质的劣化。

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