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1. 发明专利

TWI485507B 光罩製造方法有权
简体标题：光罩制造方法
公开(公告)号：TWI485507B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW099130318
申请日：2010-09-08
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：谷典明 , TANI, NORIAKI , 中村久三 , NAKAMURA, KYUZO , 清田淳也 , KIYOTA, JUNYA , 鈴木壽弘 , SUZUKI, TOSHIHIRO , 三村壽文 , MIMURA, TOSHIFUMI
IPC分类号： G03F1/26 , H01L21/027

2. 发明专利

TWI423325B 基板處理方法及藉由該方法處理過的基板有权
简体标题：基板处理方法及借由该方法处理过的基板
公开(公告)号：TWI423325B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW097144017
申请日：2008-11-14
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：崎尾進 , SAKIO, SUSUMU , 竹井日出夫 , TAKEI, HIDEO , 齊藤一也 , SAITO, KAZUYA , 渡邊一弘 , WATANABE, KAZUHIRO , 井口真介 , IGUCHI, SHINSUKE , 山川洋幸 , YAMAKAWA, HIROYUKI , 中村久三 , NAKAMURA, KYUZOU , 林郁欣 , LIN, YU HSIN , 張晃崇 , CHANG, HUANG CHOUNG , 吳東嶸 , WU, TUNG JUNG
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L31/04 , H01L33/00
CPC分类号： H05K3/381 , H01L31/02363 , H01L33/24 , H05K2201/0212 , H05K2203/095 , Y02E10/50 , Y10T428/24479

3. 发明专利

TWI377263B 濺鍍方法及濺鍍裝置有权
简体标题：溅镀方法及溅镀设备
公开(公告)号：TWI377263B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW094108481
申请日：2005-03-18
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：新井真 , 石橋曉 , 小松孝 , 谷典明 , 清田淳也 , 太田淳 , 中村久三 , 中村肇 , 田口信一郎 , 大石祐一
IPC分类号： C23C
摘要：在習知磁控管(magnetron)濺鍍裝置中，在進行成膜的期間，因使磁鐵組裝體連續移動，因此，使得靶材前方的電漿發生變動，而容易產生異常放電。本發明係提供一種濺鍍方法及濺鍍裝置，當對最初的處理基板S的成膜完成，而將下一個處理基板搬送至與靶材相對向的位置時，使形成於靶材前方的磁通相對於靶材作平行移動並予以保持，且在該狀態下成膜。
简体摘要：在习知磁控管(magnetron)溅镀设备中，在进行成膜的期间，因使磁铁组装体连续移动，因此，使得靶材前方的等离子发生变动，而容易产生异常放电。本发明系提供一种溅镀方法及溅镀设备，当对最初的处理基板S的成膜完成，而将下一个处理基板搬送至与靶材相对向的位置时，使形成于靶材前方的磁通相对于靶材作平行移动并予以保持，且在该状态下成膜。

4. 发明专利

TW201110388A 光電轉換裝置之製造方法、光電轉換裝置、光電轉換裝置之製造系統、及光電轉換裝置製造系統之使用方法 METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND USING METHOD OF SYSTEM FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE 审中-公开
简体标题：光电转换设备之制造方法、光电转换设备、光电转换设备之制造系统、及光电转换设备制造系统之使用方法 METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND USING METHOD OF SYSTEM FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
公开(公告)号：TW201110388A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099102522
申请日：2010-01-28
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：內田寬人 , 藤長徹志 , 若井雅文 , 小林忠正 , 植喜信 , 中村久三 , 淺利伸 , 齋藤一也 , 松本浩一 , 清水康男 , 森勝彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/24 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：一種光電轉換裝置之製造方法,該光電轉換裝置係使用複數之第一電漿CVD反應室與單數之第二電漿CVD反應室,藉以在形成於基板上之透明導電膜上,依序積層有構成第一光電轉換單元之第一p型半導體層、第一i型半導體層、及第一n型半導體層以及包含結晶質之矽系薄膜且構成第二光電轉換單元之第二p型半導體層、第二i型半導體層、及第二n型半導體層者,該製造方法為:於上述複數之第一電漿CVD反應室內,形成上述第一p型半導體層、上述第一i型半導體層、上述第一n型半導體層、及上述第二p型半導體層之各個,使上述第二p型半導體層曝露於大氣環境中,於形成上述第二i型半導體層之前,向上述第二電漿CVD反應室內供給含有p型雜質之氣體,於上述第二電漿CVD反應室內,在曝露於大氣中之上述第二p型半導體層上形成上述第二i型半導體層,並在上述第二i型半導體層上形成上述第二n型半導體層。
简体摘要：一种光电转换设备之制造方法,该光电转换设备系使用复数之第一等离子CVD反应室与单数之第二等离子CVD反应室,借以在形成于基板上之透明导电膜上,依序积层有构成第一光电转换单元之第一p型半导体层、第一i型半导体层、及第一n型半导体层以及包含结晶质之硅系薄膜且构成第二光电转换单元之第二p型半导体层、第二i型半导体层、及第二n型半导体层者,该制造方法为:于上述复数之第一等离子CVD反应室内,形成上述第一p型半导体层、上述第一i型半导体层、上述第一n型半导体层、及上述第二p型半导体层之各个,使上述第二p型半导体层曝露于大气环境中,于形成上述第二i型半导体层之前,向上述第二等离子CVD反应室内供给含有p型杂质之气体,于上述第二等离子CVD反应室内,在曝露于大气中之上述第二p型半导体层上形成上述第二i型半导体层,并在上述第二i型半导体层上形成上述第二n型半导体层。

5. 发明专利

TW201017775A 薄膜電晶體之製造方法及薄膜電晶體 METHOD FOR MAKING THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管之制造方法及薄膜晶体管 METHOD FOR MAKING THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201017775A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098128963
申请日：2009-08-28
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：森村太郎 , 橋本征典 , 淺利伸 , 齊藤一也 , 中村久三
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78696
摘要：本發明之目的係提供可以謀求改善電晶體特性的薄膜電晶體之製造方法及薄膜電晶體。本發明的薄膜電晶體其活性層(30)係具有第1半導體膜3c和第2半導體膜3a之積層構造，第1半導體3c係藉由將雷射照射於非晶體或結晶體之矽膜而形成之微結晶矽膜所構成。微結晶矽膜相較於非晶矽膜可以獲得較高的載子移動度。第2半導體3a係具有從源極/汲極電極5a、5d之圖案化步驟中保護第1半導體膜3c的功能。藉此，可維持第1半導體膜3c之所期望的形狀、膜厚，而可確保穩定的電晶體特性。
简体摘要：本发明之目的系提供可以谋求改善晶体管特性的薄膜晶体管之制造方法及薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管其活性层(30)系具有第1半导体膜3c和第2半导体膜3a之积层构造，第1半导体3c系借由将激光照射于非晶体或结晶体之硅膜而形成之微结晶硅膜所构成。微结晶硅膜相较于非晶硅膜可以获得较高的载子移动度。第2半导体3a系具有从源极/汲极电极5a、5d之图案化步骤中保护第1半导体膜3c的功能。借此，可维持第1半导体膜3c之所期望的形状、膜厚，而可确保稳定的晶体管特性。

6. 发明专利

TW201016333A 吐出方法、彩色濾光片製造方法 METHOD FOR DISCHARGING, METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTER 审中-公开
简体标题：吐出方法、彩色滤光片制造方法 METHOD FOR DISCHARGING, METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTER
公开(公告)号：TW201016333A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098130736
申请日：2009-09-11
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：滑川巧 , 矢野目勇士 , 井口真介 , 藤井嚴 , 中村久三
IPC分类号： B05D , G02B
CPC分类号： G02B5/223
摘要：提供一種不會出現條班的吐出方法。會在塗布對象物中出現條班的原因，由於係在於吐出液量與周圍相異之凹部（12）在直線上作並排而導致者，因此，若是藉由根據亂數來決定在1個的凹部（12）中所命中之液滴的個數、或者是根據亂數來決定輸入至吐出元件處之訊號強度，而將1個的液滴體積設為依據亂數所決定之大小，則在各凹部（12）中，係被配置有依據亂數所決定之體積的液滴，而被配置有相同體積之吐出液的凹部（12）係成為不會被並排為平面狀，因此，係成為不會出現條班。
简体摘要：提供一种不会出现条班的吐出方法。会在涂布对象物中出现条班的原因，由于系在于吐出液量与周围相异之凹部（12）在直在线作并排而导致者，因此，若是借由根据乱数来决定在1个的凹部（12）中所命中之液滴的个数、或者是根据乱数来决定输入至吐出组件处之信号强度，而将1个的液滴体积设为依据乱数所决定之大小，则在各凹部（12）中，系被配置有依据乱数所决定之体积的液滴，而被配置有相同体积之吐出液的凹部（12）系成为不会被并排为平面状，因此，系成为不会出现条班。

7. 发明专利

TWI479670B 成膜裝置、成膜裝置之維護方法有权
简体标题：成膜设备、成膜设备之维护方法
公开(公告)号：TWI479670B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW100122312
申请日：2011-06-24
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：林卓郎 , HAYASHI, TAKURO , 曾我部浩二 , SOGABE, KOUJI , 松本浩一 , MATSUMOTO, KOICHI , 橋本征典 , HASHIMOTO, MASANORI , 中村久三 , NAKAMURA, KYUZO , 萩原宗源 , HAGIWARA, MUNEMOTO , 內田寬人 , UCHIDA, HIROTO , 森勝彥 , MORI, KATSUHIKO , 清水康男 , SHIMIZU, YASUO , 坂元盛昭 , SAKAMOTO, MORIAKI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/205
CPC分类号： B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521

8. 发明专利

TWI470725B 靜電吸盤及真空處理裝置有权
简体标题：静电吸盘及真空处理设备
公开(公告)号：TWI470725B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW098128502
申请日：2009-08-25
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：佐藤正幸 , SATOU, TADAYUKI , 岡正 , OKA, TADASHI , 中村久三 , NAKAMURA, KYUZO
IPC分类号： H01L21/68 , C23C14/50
CPC分类号： H02N13/00 , H01L21/6833

9. 发明专利

TWI469161B 永久磁鐵及永久磁鐵的製造方法有权
简体标题：永久磁铁及永久磁铁的制造方法
公开(公告)号：TWI469161B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW096149001
申请日：2007-12-20
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：永田浩 , NAGATA, HIROSHI , 中村久三 , NAKAMURA, KYUZO , 加藤丈夫 , KATOU, TAKEO , 中塚篤 , NAKATSUKA, ATSUSHI , 向江一郎 , MUKAE, ICHIROU , 伊藤正美 , ITOU, MASAMI , 吉泉良 , YOSHIIZUMI, RYOU , 新垣良憲 , SHINGAKI, YOSHINORI
IPC分类号： H01F41/02 , H01F1/053
CPC分类号： H01F1/0577 , H01F41/0293

10. 发明专利

TWI433174B 真空蒸氣處理裝置有权
简体标题：真空蒸气处理设备
公开(公告)号：TWI433174B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW096133896
申请日：2007-09-11
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：永田浩 , NAGATA, HIROSHI , 中村久三 , NAKAMURA, KYUZO , 加藤丈夫 , KATOU, TAKEO , 中塚篤 , NAKATSUKA, ATSUSHI , 向江一郎 , MUKAE, ICHIROU , 伊藤正美 , ITOU, MASAMI , 吉泉良 , YOSHIIZUMI, RYOU , 新垣良憲 , SHINGAKI, YOSHINORI
IPC分类号： H01F1/06 , C23C14/24 , H05B33/00
CPC分类号： C23C14/24 , H01F41/0293

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