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1. 发明专利

TW202030790A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW202030790A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109105739
申请日：2016-02-17
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN , 西村優大 , NISHIMURA, YUTA , 波多野章人 , HATANO, AKITO , 島井基行 , SHIMAI, MOTOYUKI , 林豊秀 , HAYASHI, TOYOHIDE
IPC分类号： H01L21/306 , B08B3/02 , B08B3/10
摘要：供給流路係分歧為複數之上游流路。複數之上游流路包含分歧為複數之下游流路之分歧上游流路。複數之吐出口，係分別配置於離旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由複數之上游流路供給之處理液朝保持於基板保持單元之基板之上表面吐出。
简体摘要：供给流路系分歧为复数之上游流路。复数之上游流路包含分歧为复数之下游流路之分歧上游流路。复数之吐出口，系分别配置于离旋转轴线之距离不同之复数个位置，将经由复数之上游流路供给之处理液朝保持于基板保持单元之基板之上表面吐出。

2. 发明专利

TWI623974B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI623974B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105106874
申请日：2016-03-07
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/027

3. 发明专利

TWI616970B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI616970B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105117556
申请日：2016-06-03
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN , 中島章宏 , NAKASHIMA, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , B05B12/08
CPC分类号： H01L22/10 , H01L21/6715 , H01L21/67248

4. 发明专利

TW201705252A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201705252A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105106874
申请日：2016-03-07
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/6715
摘要：本發明為一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持基板；處理液噴嘴，係具有於內部區劃了用於流通處理液之處理液流徑的噴嘴配管、與上述處理液流徑呈開口的吐出口；處理液保持單元，係將處理液維持為較常溫高之既定高溫並予以保持；處理液配管，係連接於上述處理液保持單元及上述處理液噴嘴，用於將由上述處理液保持單元所保持之處理液引導至上述處理液噴嘴；與感應加熱單元，係對加熱對象部分藉感應加熱進行加熱，該加熱對象部分係設於包含上述處理液配管及上述噴嘴配管之處理液流通配管之至少一部分者，含有磁感應體材料及/或碳材料而構成。
简体摘要：本发明为一种基板处理设备，系包含：基板保持单元，系保持基板；处理液喷嘴，系具有于内部区划了用于流通处理液之处理液流径的喷嘴配管、与上述处理液流径呈开口的吐出口；处理液保持单元，系将处理液维持为较常温高之既定高温并予以保持；处理液配管，系连接于上述处理液保持单元及上述处理液喷嘴，用于将由上述处理液保持单元所保持之处理液引导至上述处理液喷嘴；与感应加热单元，系对加热对象部分藉感应加热进行加热，该加热对象部分系设于包含上述处理液配管及上述喷嘴配管之处理液流通配管之至少一部分者，含有磁感应体材料及/或碳材料而构成。

5. 发明专利

TWI603165B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI603165B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105109689
申请日：2016-03-28
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：清水大介 , SHIMIZU, DAISUKE , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/306

6. 发明专利

TW201706720A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201706720A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105109689
申请日：2016-03-28
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：清水大介 , SHIMIZU, DAISUKE , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要：本發明提供一種基板處理方法及執行該方法的基板處理裝置，該基板處理方法係可以優異地去除已附著於基板之上表面的微粒子等。基板處理方法係依順序執行以下的步驟：槳葉形成步驟(S3)，其在基板(W)之上表面形成沖洗液之液膜(F)；接觸步驟(S4)，其使具備有篩孔構件(134)的構件(13)接觸於液膜(F)，該篩孔構件(134)係形成有複數個空隙部(135)；以及微粒子捕捉步驟(S5)，其藉由在沖洗液、氛圍(A)及構件(13)的篩孔構件(134)之內緣所相交的三相界面產生的界面自由能量，而在該沖洗液之液膜(F)內產生對流以使篩孔構件(134)之側面(134b)捕捉微粒子。
简体摘要：本发明提供一种基板处理方法及运行该方法的基板处理设备，该基板处理方法系可以优异地去除已附着于基板之上表面的微粒子等。基板处理方法系依顺序运行以下的步骤：桨叶形成步骤(S3)，其在基板(W)之上表面形成冲洗液之液膜(F)；接触步骤(S4)，其使具备有筛孔构件(134)的构件(13)接触于液膜(F)，该筛孔构件(134)系形成有复数个空隙部(135)；以及微粒子捕捉步骤(S5)，其借由在冲洗液、氛围(A)及构件(13)的筛孔构件(134)之内缘所相交的三相界面产生的界面自由能量，而在该冲洗液之液膜(F)内产生对流以使筛孔构件(134)之侧面(134b)捕捉微粒子。

7. 发明专利

TW201703128A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201703128A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105105098
申请日：2016-02-22
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：澤島隼 , SAWASHIMA, JUN , 波多野章人 , HATANO, AKITO , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 西村優大 , NISHIMURA, YUTA , 島井基行 , SHIMAI, MOTOYUKI , 林豊秀 , HAYASHI, TOYOHIDE
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , B05C11/08 , B05C11/10 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67017 , H01L21/67051
摘要：本發明之基板處理裝置中，供給流路分支為複數個上游流路。複數個噴出口分別配置於與旋轉軸線之距離不同之複數個位置。回流流路連接於上游流路。下游加熱器對流動於上游流路之液體進行加熱。下游切換單元將自供給流路供給至複數個上游流路之液體選擇性地供給至複數個噴出口及回流流路中之一者。
简体摘要：本发明之基板处理设备中，供给流路分支为复数个上游流路。复数个喷出口分别配置于与旋转轴线之距离不同之复数个位置。回流流路连接于上游流路。下游加热器对流动于上游流路之液体进行加热。下游切换单元将自供给流路供给至复数个上游流路之液体选择性地供给至复数个喷出口及回流流路中之一者。

8. 发明专利

TW201700177A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201700177A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105113645
申请日：2016-05-02
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：波多野章人 , HATANO, AKITO , 林豊秀 , HAYASHI, TOYOHIDE , 橋本光治 , HASHIMOTO, KOJI , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI
IPC分类号： B05B1/02 , B05B1/26 , B05C5/02
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/022 , B08B3/024 , B08B5/023 , H01L21/304 , H01L21/68764
摘要：基板處理裝置具備有：基板旋轉機構，其使基板旋轉；噴嘴部，其對基板之主面吐出處理液之液滴；及噴嘴移動機構，其使噴嘴部沿著該主面之方向移動。噴嘴部具備有2個導引面511、2個氣體噴出口512、及2個處理液供給口513。氣體噴出口沿著導引面噴出氣體，而形成沿著導引面流動之氣流。處理液供給口係設於導引面，對氣流與導引面之間供給處理液。若將噴嘴部之2個氣體噴出口中之一者視為形成作為將處理液朝向導引面之下端端緣516搬運之氣流之薄膜流的第1氣體噴出口，另一者即成為形成撞擊自下端端緣飛散之處理液之氣流的第2氣體噴出口。藉此，可吐出均勻之粒徑之多數的液滴，而適當地對基板進行處理。
简体摘要：基板处理设备具备有：基板旋转机构，其使基板旋转；喷嘴部，其对基板之主面吐出处理液之液滴；及喷嘴移动机构，其使喷嘴部沿着该主面之方向移动。喷嘴部具备有2个导引面511、2个气体喷出口512、及2个处理液供给口513。气体喷出口沿着导引面喷出气体，而形成沿着导引面流动之气流。处理液供给口系设于导引面，对气流与导引面之间供给处理液。若将喷嘴部之2个气体喷出口中之一者视为形成作为将处理液朝向导引面之下端端缘516搬运之气流之薄膜流的第1气体喷出口，另一者即成为形成撞击自下端端缘飞散之处理液之气流的第2气体喷出口。借此，可吐出均匀之粒径之多数的液滴，而适当地对基板进行处理。

9. 发明专利

TWI642088B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI642088B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105104591
申请日：2016-02-17
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN , 西村優大 , NISHIMURA, YUTA , 中島章宏 , NAKASHIMA, AKIHIRO , 島井基行 , SHIMAI, MOTOYUKI , 波多野章人 , HATANO, AKITO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/306

10. 发明专利

TWI606865B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI606865B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105113645
申请日：2016-05-02
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：波多野章人 , HATANO, AKITO , 林豊秀 , HAYASHI, TOYOHIDE , 橋本光治 , HASHIMOTO, KOJI , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI
IPC分类号： B05B1/02 , B05B1/26 , B05C5/02
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/022 , B08B3/024 , B08B5/023 , H01L21/304 , H01L21/68764

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