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    • 8. 发明专利
    • 含氧化膦基質及金屬鹽之半導體材料
    • 含氧化膦基质及金属盐之半导体材料
    • TW201533054A
    • 2015-09-01
    • TW103135157
    • 2014-10-09
    • 諾瓦發光二極體有限公司NOVALED GMBH
    • 諾爾納 邁克ZOELLNER, MIKE羅斯 卡斯登ROTHE, CARSTEN
    • C07F9/53C07F5/02C07F9/58H01L51/00
    • 本揭露內容提及了一種包含如式(I)的化合物的半導體材料: (I) 其中R1 、R2 以及R3 獨立地選自C1 -C30 -烷基、C3 -C30 環烷基、C2 -C30 -雜烷基、C6 -C30 -芳基、C2 -C30 -雜芳基、C1 -C30 -烷氧基、C3 -C30 -環烷基氧基、C6 -C30 -芳基氧基以及具有通式E-A-的結構單元,其中A是伸苯基間隔單元,以及E是選自C10 -C60 芳基以及包含上至6個獨立地選自O、S、P、Si以及B的雜原子的C6 -C60 雜芳基,且包含至少10個非定域電子的共軛系統的電子傳遞單元,選自R1 、R2 以及R3 的至少一基團具有通式E-A-,以及 具有式(II)的至少一鋰錯合物 (II)   其中A1 是C6 -C30 亞芳基或在芳香環中包含至少一選自O、S以及N的原子的C2 -C30 雜亞芳基,以及每個A2 -A3 獨立地選自C6 -C30 芳基以及在芳香環中包含至少一選自O、S以及N的原子的C2 -C30 雜芳基。以及一種電子裝置,包含陰極、陽極以及在陰極與陽極之間的如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的半導體材料。此外,揭露了一種化合物以及一種電子裝置。
    • 本揭露内容提及了一种包含如式(I)的化合物的半导体材料: (I) 其中R1 、R2 以及R3 独立地选自C1 -C30 -烷基、C3 -C30 环烷基、C2 -C30 -杂烷基、C6 -C30 -芳基、C2 -C30 -杂芳基、C1 -C30 -烷氧基、C3 -C30 -环烷基氧基、C6 -C30 -芳基氧基以及具有通式E-A-的结构单元,其中A是伸苯基间隔单元,以及E是选自C10 -C60 芳基以及包含上至6个独立地选自O、S、P、Si以及B的杂原子的C6 -C60 杂芳基,且包含至少10个非定域电子的共轭系统的电子传递单元,选自R1 、R2 以及R3 的至少一基团具有通式E-A-,以及 具有式(II)的至少一锂错合物 (II)   其中A1 是C6 -C30 亚芳基或在芳香环中包含至少一选自O、S以及N的原子的C2 -C30 杂亚芳基,以及每个A2 -A3 独立地选自C6 -C30 芳基以及在芳香环中包含至少一选自O、S以及N的原子的C2 -C30 杂芳基。以及一种电子设备,包含阴极、阳极以及在阴极与阳极之间的如申请专利范围第1项至第9项中任一项所述的半导体材料。此外,揭露了一种化合物以及一种电子设备。