专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201841402A 電子元件、其備製方法及含該元件之顯示裝置审中-公开
简体标题：电子组件、其备制方法及含该组件之显示设备
公开(公告)号：TW201841402A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105849
申请日：2018-02-21
申请人：德商諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：黑格曼烏里希 , HEGGEMANN, ULRICH , 漢莫特馬克斯 , HUMMERT, MARKUS , 羅斯諾湯瑪士 , ROSENOW, THOMAS , 福諾馬洛 , FURNO, MAURO
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/00 , H01L27/32 , C07F5/02
摘要：本發明是關於一種電子裝置，其包括含有硼酸鹽的至少一層，其中該硼酸鹽包含於含有該硼酸鹽的該層中的量，以重量計及/或以體積計，超過該層中另外包含的其他成分的總量、含該電子裝置的顯示裝置、和製備該電子裝置的方法。
简体摘要：本发明是关于一种电子设备，其包括含有硼酸盐的至少一层，其中该硼酸盐包含于含有该硼酸盐的该层中的量，以重量计及/或以体积计，超过该层中另外包含的其他成分的总量、含该电子设备的显示设备、和制备该电子设备的方法。

2. 发明专利

TW201843856A 電子半導體元件及其製備方法审中-公开
简体标题：电子半导体组件及其制备方法
公开(公告)号：TW201843856A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107105850
申请日：2018-02-21
申请人：德商諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：黑格曼烏里希 , HEGGEMANN, ULRICH , 漢莫特馬克斯 , HUMMERT, MARKUS , 羅斯諾湯瑪士 , ROSENOW, THOMAS , 福諾馬洛 , FURNO, MAURO
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54 , H01L27/32
摘要：本發明是關於一種電子裝置及其製備方法，該電子裝置於一第一電極與一第二電極之間包括至少一第一電洞傳輸層，其中該第一電洞傳輸層包括： (i) 至少一第一電洞傳輸基質化合物，其由共價鍵結的原子所組成；以及 (ii) 選自金屬鹽及選自電中性金屬錯合物之至少一電性p-摻雜物，該至少一電性p-摻雜物包括一金屬陽離子與至少一個陰離子及/或至少一個陰離子配位基，該陰離子配位基是由至少四個共價鍵結的原子所組成，其中該電性p-摻雜物的金屬陽離子是選自：鹼金屬；鹼土金屬、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；氧化態(II)或(III)的稀土金屬； Al、Ga、In；及選自氧化態(IV)或更低的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo與W；前提是排除： a) 包括具有一般式(Ia)或(Ib)的陰離子配位基或陰離子之p-摻雜物其中 A1、A2、A3和A4獨立地選自CO、SO2或POR1； R1= 吸電子基團，該吸電子基團選自包含鹵化物、腈、鹵化或全鹵化的C1至C20烷基、鹵化或全鹵化的C6至C20芳基、或具有5至20個成環原子的鹵化或全鹵化的雜芳基之群組； B1、B2、B3和B4相同或獨立地選自取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C1至C20雜烷基、取代或未取代的C6至C20芳基、取代或未取代的C5至C20雜芳基，或是B1和B2形成一個環； b) 由一個二價或三價金屬陽離子和羧酸根陰離子組成的p-摻雜物，以及 c) 由Li陽離子和選自過氯酸鹽和四氟硼酸鹽的陰離子所組成的p-摻雜物。
简体摘要：本发明是关于一种电子设备及其制备方法，该电子设备于一第一电极与一第二电极之间包括至少一第一电洞传输层，其中该第一电洞传输层包括： (i) 至少一第一电洞传输基质化合物，其由共价键结的原子所组成；以及 (ii) 选自金属盐及选自电中性金属错合物之至少一电性p-掺杂物，该至少一电性p-掺杂物包括一金属阳离子与至少一个阴离子及/或至少一个阴离子配位基，该阴离子配位基是由至少四个共价键结的原子所组成，其中该电性p-掺杂物的金属阳离子是选自：碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；氧化态(II)或(III)的稀土金属； Al、Ga、In；及选自氧化态(IV)或更低的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo与W；前提是排除： a) 包括具有一般式(Ia)或(Ib)的阴离子配位基或阴离子之p-掺杂物其中 A1、A2、A3和A4独立地选自CO、SO2或POR1； R1= 吸电子基团，该吸电子基团选自包含卤化物、腈、卤化或全卤化的C1至C20烷基、卤化或全卤化的C6至C20芳基、或具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基之群组； B1、B2、B3和B4相同或独立地选自取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C1至C20杂烷基、取代或未取代的C6至C20芳基、取代或未取代的C5至C20杂芳基，或是B1和B2形成一个环； b) 由一个二价或三价金属阳离子和羧酸根阴离子组成的p-掺杂物，以及 c) 由Li阳离子和选自过氯酸盐和四氟硼酸盐的阴离子所组成的p-掺杂物。

3. 发明专利

TW201526328A 含膦氧化物基質及金屬摻雜劑之n摻雜半導體材料审中-公开
简体标题：含膦氧化物基质及金属掺杂剂之n掺杂半导体材料
公开(公告)号：TW201526328A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103145092
申请日：2014-12-23
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：維爾納安斯加爾 , WERNER, ANSGAR , 布洛姆弗朗西斯科 , BLOOM, FRANCISCO , 羅斯諾湯瑪士 , ROSENOW, THOMAS , 卡利什托馬斯 , KALISZ, TOMAS , 吉爾卡伊 , GILGE, KAI , 賓恩史托克揚 , BIRNSTOCK, JAN , 羅斯卡斯登 , ROTHE, CARSTEN , 安格曼延斯 , ANGERMANN, JENS , 坎茨勒爾托比雅斯 , CANZLER, TOBIAS , 丹克烏里希 , DENKER, ULRICH , 法德希爾奧姆蘭 , FADHEL, OMRANE , 諾爾納邁克 , ZOELLNER, MIKE
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54
摘要：本發明與電性摻雜半導體材料、其製備方法以及包含該電性摻雜半導體材料的電子裝置有關。該電性摻雜半導體材料包含至少一金屬元素作為n摻雜劑以及包含至少一膦氧化物基團的至少一電子傳輸基質化合物。
简体摘要：本发明与电性掺杂半导体材料、其制备方法以及包含该电性掺杂半导体材料的电子设备有关。该电性掺杂半导体材料包含至少一金属元素作为n掺杂剂以及包含至少一膦氧化物基团的至少一电子传输基质化合物。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式