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1. 发明专利

TWI419837B 產生水分用反應爐失效
简体标题：产生水分用反应炉
公开(公告)号：TWI419837B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW099112973
申请日：2010-04-23
申请人：富士金股份有限公司 , FUJIKIN INCORPORATED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 川田幸司 , KAWADA, KOJI , 池田信一 , IKEDA, NOBUKAZU , 森本明弘 , MORIMOTO, AKIHIRO , 皆見幸男 , MINAMI, YUKIO , 平尾圭志 , HIRAO, KEIJI , 坂本信治 , SAKAMOTO, NOBUHARU , 北野真史 , KITANO, MASAFUMI
IPC分类号： C01B5/00 , B01J23/42 , B01J19/00 , H01L21/02
CPC分类号： B01J23/63 , B01J12/007 , B01J23/42 , B01J35/023 , B01J37/0225 , B01J37/0244 , C01B5/00

2. 发明专利

TW201103865A 產生水分用反應爐失效
简体标题：产生水分用反应炉
公开(公告)号：TW201103865A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099112973
申请日：2010-04-23
申请人：富士金股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：大見忠弘 , 川田幸司 , 池田信一 , 森本明弘 , 皆見幸男 , 平尾圭志 , 坂本信治 , 北野真史
IPC分类号： C01B , B01J , H01L
CPC分类号： B01J23/63 , B01J12/007 , B01J23/42 , B01J35/023 , B01J37/0225 , B01J37/0244 , C01B5/00
摘要：本發明的課題在於提供一種產生水分用反應爐，其係藉由對具有鉑觸媒層的反應爐內供給氫氣與氧氣，使進行催化反應，而不使燃燒，在比氫氣和氧氣之著火點低的催化反應溫度使產生高純度的水分之產生水分用反應爐，其中對於設置在母材與鉑觸媒層之間的障壁層，可長期間維持鉑觸媒層的高附著力。本發明的解決手段為具有：設有氣體入口及水分出口的反應爐本體，在前述反應爐本體的內壁面之至少一部分上所成膜的Y2O3障壁層，及在該Y2O3障壁層上的至少一部分上所成膜的鉑觸媒層。前述Y2O3障壁層的膜厚較佳為50nm～5μm。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种产生水分用反应炉，其系借由对具有铂触媒层的反应炉内供给氢气与氧气，使进行催化反应，而不使燃烧，在比氢气和氧气之着火点低的催化反应温度使产生高纯度的水分之产生水分用反应炉，其中对于设置在母材与铂触媒层之间的障壁层，可长期间维持铂触媒层的高附着力。本发明的解决手段为具有：设有气体入口及水分出口的反应炉本体，在前述反应炉本体的内壁面之至少一部分上所成膜的Y2O3障壁层，及在该Y2O3障壁层上的至少一部分上所成膜的铂触媒层。前述Y2O3障壁层的膜厚较佳为50nm～5μm。

3. 发明专利

TW201003747A 微波電漿處理裝置、其所使用之介電窗組件以及介電窗組件之製造方法审中-公开
简体标题：微波等离子处理设备、其所使用之介电窗组件以及介电窗组件之制造方法
公开(公告)号：TW201003747A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098106266
申请日：2009-02-27
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也 , 白井泰雪 , 北野真史 , 綿貫耕平 , 松岡孝明 , 村川惠美
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：已知於一種微波電漿處理裝置中，即便使用Kr作為電漿生成用氣體的狀況下，亦只能獲得與使用Ar或其他惰性氣體所生成之相同特性的氧化膜、氮化膜。為解決前述問題，構成微波電漿處理裝置之介電窗組件係不僅使用陶瓷組件來形成，該陶瓷組件於處理空間一側之表面上，塗佈一可藉由熱處理而形成化學計量（stoichiometric）之SiO2組成之平坦化塗佈膜後，透過熱處理而形成極為平坦且具有緻密表面之平坦化塗佈絕緣膜。於該平坦化塗佈絕緣膜上形成抗腐蝕膜。
简体摘要：已知于一种微波等离子处理设备中，即便使用Kr作为等离子生成用气体的状况下，亦只能获得与使用Ar或其他惰性气体所生成之相同特性的氧化膜、氮化膜。为解决前述问题，构成微波等离子处理设备之介电窗组件系不仅使用陶瓷组件来形成，该陶瓷组件于处理空间一侧之表面上，涂布一可借由热处理而形成化学计量（stoichiometric）之SiO2组成之平坦化涂布膜后，透过热处理而形成极为平坦且具有致密表面之平坦化涂布绝缘膜。于该平坦化涂布绝缘膜上形成抗腐蚀膜。

5. 发明专利

TW201016892A 鋁合金元件、電子裝置製造裝置以及具有陽極氧化膜之鋁合金元件的製造方法 AL ALLOY MEMBER, APPARATUS FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING AN AL ALLOY MEMBER WITH AN ANODE OXIDE FILM 审中-公开
简体标题：铝合金组件、电子设备制造设备以及具有阳极氧化膜之铝合金组件的制造方法 AL ALLOY MEMBER, APPARATUS FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING AN AL ALLOY MEMBER WITH AN ANODE OXIDE FILM
公开(公告)号：TW201016892A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098125495
申请日：2009-07-29
申请人：國立大學法人東北大學 , 日本輕金屬股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 北野真史 , 田原稔 , 伊藤久和 , 白井孝太 , 佐伯雅之
IPC分类号： C25D , C22C
CPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00 , H05K1/053 , H05K2203/0315 , Y10T428/12
摘要：本發明提供可使用於大型製造裝置之機械強度良好的Al合金元件。Al合金元件的特徵在於：由質量%，Mg濃度5.0%以下，Ce濃度15%以下，Zr濃度0.15%以下，殘餘部分為Al以及不可避免的不純物構成，且上述不可避免的不純物的元素各自為0.01%以下，且其維氏硬度大於30。
简体摘要：本发明提供可使用于大型制造设备之机械强度良好的Al合金组件。Al合金组件的特征在于：由质量%，Mg浓度5.0%以下，Ce浓度15%以下，Zr浓度0.15%以下，残余部分为Al以及不可避免的不纯物构成，且上述不可避免的不纯物的元素各自为0.01%以下，且其维氏硬度大于30。

6. 发明专利

TWI356857B 金屬氧化物膜、疊層體、金屬構件及其製造方法 METAL OXIDE FILM, LAMINATE, METALLIC MEMBER AND METHODS OF PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：金属氧化物膜、叠层体、金属构件及其制造方法 METAL OXIDE FILM, LAMINATE, METALLIC MEMBER AND METHODS OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI356857B
公开(公告)日：2012-01-21
申请号：TW095116431
申请日：2006-05-09
申请人：國立大學法人東北大學 , 三菱化學股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 白井泰雪 , 森永均 , 河瀬康弘 , 北野真史 , 水谷文一 , 石川誠
IPC分类号： C25D , G02F , H01L
CPC分类号： C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
摘要：一種金屬氧化物膜，適於保護以鋁為主成分之金屬。一種金屬氧化物膜，係以鋁為主成分之金屬之氧化物所構成之膜，膜厚為10nm以上且來自前述膜之放出水分量為1E18分子/cm2以下，及一種金屬氧化物膜之製造方法，係將以鋁為主成分之金屬於pH4~10之化學生成液中進行陽極氧化而得到金屬氧化物膜。
简体摘要：一种金属氧化物膜，适于保护以铝为主成分之金属。一种金属氧化物膜，系以铝为主成分之金属之氧化物所构成之膜，膜厚为10nm以上且来自前述膜之放出水分量为1E18分子/cm2以下，及一种金属氧化物膜之制造方法，系将以铝为主成分之金属于pH4~10之化学生成液中进行阳极氧化而得到金属氧化物膜。

7. 发明专利

TWI507568B 電子裝置製造用A1合金元件、電子裝置製造裝置以及具有陽極氧化膜之電子裝置製造用A1合金元件的製造方法有权
简体标题：电子设备制造用A1合金组件、电子设备制造设备以及具有阳极氧化膜之电子设备制造用A1合金组件的制造方法
公开(公告)号：TWI507568B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW098125495
申请日：2009-07-29
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 北野真史 , KITANO, MASAFUMI , 田原稔 , TAHARA, MINORU , 伊藤久和 , ITO, HISAKAZU , 白井孝太 , SHIRAI, KOTA , 佐伯雅之 , SAEKI, MASAYUKI
IPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00
CPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00 , H05K1/053 , H05K2203/0315 , Y10T428/12

8. 发明专利

TWI243881B 真空排氣系用閥有权
简体标题：真空排气系用阀
公开(公告)号：TWI243881B
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：TW093102547
申请日：2004-02-04
申请人：富士金股份有限公司 FUJIKIN INCORPORATED , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 池田信一 , 山路道雄 , 北野真史 , 森本明弘
IPC分类号： H01L , F16K
CPC分类号： F16K7/14 , F16K27/003 , F16K51/02
摘要：本發明之技術課題在於提供因應真空排氣系設備的小型化和因此達成的成本降低以及供縮短真空排氣時間的真空排氣系配管的小口徑化，可防止因氣體分解而產生的解離生成物堆積所造成的內部腐蝕或堵塞、逸漏等的閥。
本發明用來解決此技術課題的手段為藉由將鋁鈍態使用於真空排氣系用閥等配管零件，可抑制烘烤之際溫度上昇所造成的氣體分解，適於真空排氣系的小口徑化的零件，特別製作成不會因氣體分解所產生生成物堆積而發生腐蝕或堵塞、逸漏等。
简体摘要：本发明之技术课题在于提供因应真空排气系设备的小型化和因此达成的成本降低以及供缩短真空排气时间的真空排气系配管的小口径化，可防止因气体分解而产生的解离生成物堆积所造成的内部腐蚀或堵塞、逸漏等的阀。本发明用来解决此技术课题的手段为借由将铝钝态使用于真空排气系用阀等配管零件，可抑制烘烤之际温度上升所造成的气体分解，适于真空排气系的小口径化的零件，特别制作成不会因气体分解所产生生成物堆积而发生腐蚀或堵塞、逸漏等。

9. 发明专利

TW200424464A 真空排氣系用閥审中-公开
简体标题：真空排气系用阀
公开(公告)号：TW200424464A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093102547
申请日：2004-02-04
申请人：富士金股份有限公司 FUJIKIN INCORPORATED , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 池田信一 , 山路道雄 , 北野真史 , 森本明弘
IPC分类号： H01L , F16K
CPC分类号： F16K7/14 , F16K27/003 , F16K51/02
摘要：本發明之技術課題在於提供因應真空排氣系設備的小型化和因此達成的成本降低以及供縮短真空排氣時間的真空排氣系配管的小口徑化，可防止因氣體分解而產生的解離生成物堆積所造成的內部腐蝕或堵塞、逸漏等的閥。本發明用來解決此技術課題的手段為藉由將鋁鈍態使用於真空排氣系用閥等配管零件，可抑制烘烤之際溫度上昇所造成的氣體分解，適於真空排氣系的小口徑化的零件，特別製作成不會因氣體分解所產生生成物堆積而發生腐蝕或堵塞、逸漏等。
简体摘要：本发明之技术课题在于提供因应真空排气系设备的小型化和因此达成的成本降低以及供缩短真空排气时间的真空排气系配管的小口径化，可防止因气体分解而产生的解离生成物堆积所造成的内部腐蚀或堵塞、逸漏等的阀。本发明用来解决此技术课题的手段为借由将铝钝态使用于真空排气系用阀等配管零件，可抑制烘烤之际温度上升所造成的气体分解，适于真空排气系的小口径化的零件，特别制作成不会因气体分解所产生生成物堆积而发生腐蚀或堵塞、逸漏等。

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