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1. 发明专利

TW201202392A 螢光體材料及發光裝置 FLUORESCENT SUBSTANCE MATERIAL AND LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：萤光体材料及发光设备 FLUORESCENT SUBSTANCE MATERIAL AND LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201202392A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100122540
申请日：2011-06-28
申请人：日本陶瓷科技股份有限公司
发明人：傳井美史 , 佐藤豐 , 阿部譽史 , 井口真仁
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K11/02 , C09K11/08 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種可提高耐水性或耐紫外光等特性，且可抑制由於塗布所引起的特性劣化之螢光體材料及發光裝置。該螢光體材料是具有螢光體粒子11、用於被覆該螢光體粒子11之表面的被覆層12，且被覆層12是具有經積層平均粒徑為10nm以上40nm以下之微粒12A的結構。微粒之最大粒徑較佳為50nm以下，且微粒12A較佳為朝厚度方向積層三粒子層以上。
简体摘要：本发明提供一种可提高耐水性或耐紫外光等特性，且可抑制由于涂布所引起的特性劣化之萤光体材料及发光设备。该萤光体材料是具有萤光体粒子11、用于被覆该萤光体粒子11之表面的被覆层12，且被覆层12是具有经积层平均粒径为10nm以上40nm以下之微粒12A的结构。微粒之最大粒径较佳为50nm以下，且微粒12A较佳为朝厚度方向积层三粒子层以上。

2. 发明专利

TW201107452A 螢光體材料及發光裝置 PHOSPHOR MATERIAL AND LUMINESCENT DEVICE 审中-公开
简体标题：萤光体材料及发光设备 PHOSPHOR MATERIAL AND LUMINESCENT DEVICE
公开(公告)号：TW201107452A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099118300
申请日：2010-06-07
申请人：日本陶瓷科技股份有限公司
发明人：傳井美史 , 佐藤敬輔 , 佐藤豐 , 井口真仁
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K11/025 , C09K11/08 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：【課題】提供藉由使耐水性或抗紫外光等提升，可達成長壽命化之螢光體材料及發光裝置。【解決手段】本發明之螢光體材料係具有：螢光體粒子11、及被覆該螢光體粒子11之表面全體的被覆層12，被覆層12係含有由稀土類氧化物、氧化鋁、釔與鋁的複合氧化物、氧化鎂及鋁與鎂的複合氧化物所成群組之中之至少1種金屬氧化物。藉此改善耐水性或抗紫外光等，可達成長壽命化。
简体摘要：【课题】提供借由使耐水性或抗紫外光等提升，可达成长寿命化之萤光体材料及发光设备。【解决手段】本发明之萤光体材料系具有：萤光体粒子11、及被覆该萤光体粒子11之表面全体的被覆层12，被覆层12系含有由稀土类氧化物、氧化铝、钇与铝的复合氧化物、氧化镁及铝与镁的复合氧化物所成群组之中之至少1种金属氧化物。借此改善耐水性或抗紫外光等，可达成长寿命化。

3. 发明专利

TW200501173A 液晶面板用曝光裝置及曝光裝置 EXPOSURE APPARATUS FOR A LIQUID CRYSTAL PANEL AND EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
简体标题：液晶皮肤用曝光设备及曝光设备 EXPOSURE APPARATUS FOR A LIQUID CRYSTAL PANEL AND EXPOSURE APPARATUS
公开(公告)号：TW200501173A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093104228
申请日：2004-02-20
申请人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 日本陶瓷科技股份有限公司 NIHON CERATEC CO., LTD.
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 武久究 TAKEHISA, KIWAMU , 森山司郎 MORIYAMA, SHIROU , 酒卷誠 SAKAMAKI, MAKOTO
IPC分类号： G12B
CPC分类号： G03F7/70716 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B2235/36 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , G03F7/7095
摘要：於液晶面板用曝光裝置100上之光罩平台2與基板平台12，採用在碳化矽中添加玻璃之複合陶瓷材料，且具備蜂巢狀構造之平台。
简体摘要：于液晶皮肤用曝光设备100上之光罩平台2与基板平台12，采用在碳化硅中添加玻璃之复合陶瓷材料，且具备蜂嵌套构造之平台。

4. 发明专利

TWI544058B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI544058B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW099118300
申请日：2010-06-07
申请人：日本陶瓷科技股份有限公司 , NIHON CERATEC CO., LTD.
发明人：傳井美史 , TSUTAI, YOSHIFUMI , 佐藤敬輔 , SATO, KEISUKE , 佐藤豐 , SATO, YUTAKA , 井口真仁 , IGUCHI, MABITO
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/02 , H01L33/26
CPC分类号： C09K11/025 , C09K11/08 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014

5. 发明专利

TW201535800A 發光元件、發光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件、发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201535800A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103139149
申请日：2014-11-12
申请人：日本陶瓷科技股份有限公司 , NIHON CERATEC CO., LTD.
发明人：傳井美史 , TSUTAI, YOSHIFUMI , 阿部譽史 , ABE, TAKASHI , 佐藤豐 , SATO, YUTAKA
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/00 , C09K11/08 , C09K11/56
摘要：提供一種發光元件及發光裝置，其提升耐熱性且能小型化。發光元件10係具備例如配設於基板11的一面上之半導體發光元件12、及配設於基板11的另一面上之螢光體膜13。螢光體膜13係例如於基板11的另一面塗布含有螢光體材料及依水解或氧化而成為氧化矽的氧化矽前驅物等之黏合劑原料的螢光體膜原料，透過在常溫使之反應，或在500℃以下的溫度作熱處理所形成者。
简体摘要：提供一种发光组件及发光设备，其提升耐热性且能小型化。发光组件10系具备例如配设于基板11的一面上之半导体发光组件12、及配设于基板11的另一面上之萤光体膜13。萤光体膜13系例如于基板11的另一面涂布含有萤光体材料及依水解或氧化而成为氧化硅的氧化硅前驱物等之黏合剂原料的萤光体膜原料，透过在常温使之反应，或在500℃以下的温度作热处理所形成者。

6. 发明专利

TW201517329A 發光元件、發光裝置及彼等之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件、发光设备及彼等之制造方法
公开(公告)号：TW201517329A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103129277
申请日：2014-08-26
申请人：日本陶瓷科技股份有限公司 , NIHON CERATEC CO., LTD.
发明人：傳井美史 , TSUTAI, YOSHIFUMI , 佐藤豐 , SATO, YUTAKA , 阿部譽史 , ABE, TAKASHI
IPC分类号： H01L33/50
摘要：提供能使耐熱性提升，且能小型化的發光元件、發光裝置及彼等之製造方法。在基板11上搭載由LED所構成的複數個半導體發光晶片12，在半導體發光晶片12上，與半導體發光晶片12相接配置波長轉換構件14。波長轉換構件14係藉由在形成基材14A的一面塗布螢光體膜原料，使其在常溫下反應或在500℃以下的溫度下熱處理來形成者，該螢光體膜原料包含螢光體材料和黏合劑原料，該黏合劑原料包含包括藉由水解或氧化而成為氧化矽的氧化矽前驅物、矽酸化合物、矽石(silica)、及非晶質矽石的群組中至少一種。
简体摘要：提供能使耐热性提升，且能小型化的发光元件、发光设备及彼等之制造方法。在基板11上搭载由LED所构成的复数个半导体发光芯片12，在半导体发光芯片12上，与半导体发光芯片12相接配置波长转换构件14。波长转换构件14系借由在形成基材14A的一面涂布萤光体膜原料，使其在常温下反应或在500℃以下的温度下热处理来形成者，该萤光体膜原料包含萤光体材料和黏合剂原料，该黏合剂原料包含包括借由水解或氧化而成为氧化硅的氧化硅前驱物、硅酸化合物、硅石(silica)、及非晶质硅石的群组中至少一种。

7. 发明专利

TW201501367A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201501367A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103117086
申请日：2014-05-15
申请人：日本陶瓷科技股份有限公司 , NIHON CERATEC CO., LTD.
发明人：傳井美史 , TSUTAI, YOSHIFUMI , 阿部譽史 , ABE, TAKASHI , 佐藤豐 , SATO, YUTAKA
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/52
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014
摘要：提供一種透過提升耐熱性而能謀求高輸出化、高亮度化之發光裝置。於基板11之上搭載由LED構成的複數個發光元件12，在發光元件12之上，以與發光元件12之間隔有空間15地配置波長變換構件16。波長變換構件16係包含粒子狀的螢光體材料、黏著劑，黏著劑係透過使含有包含依水解或氧化而成為氧化物的氧化物前驅物、矽酸化合物、二氧化矽、及非晶矽石(amorphous silica)的群中之至少1種的黏著劑原料於常溫反應或於500℃以下的溫度進行熱處理而可獲得。
简体摘要：提供一种透过提升耐热性而能谋求高输出化、高亮度化之发光设备。于基板11之上搭载由LED构成的复数个发光组件12，在发光组件12之上，以与发光组件12之间隔有空间15地配置波长变换构件16。波长变换构件16系包含粒子状的萤光体材料、黏着剂，黏着剂系透过使含有包含依水解或氧化而成为氧化物的氧化物前驱物、硅酸化合物、二氧化硅、及非晶硅石(amorphous silica)的群中之至少1种的黏着剂原料于常温反应或于500℃以下的温度进行热处理而可获得。

8. 发明专利

TW201414016A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201414016A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102127703
申请日：2013-08-02
申请人：日本陶瓷科技股份有限公司 , NIHON CERATEC CO., LTD.
发明人：傳井美史 , TSUTAI, YOSHIFUMI , 阿部譽史 , ABE, TAKASHI , 佐藤豐 , SATO, YUTAKA
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： [課題]提供可抑制因由銀所成之反射體與硫黃成分的反應而形成為硫化銀而黑色化而由此反射率降低的情形的發光裝置。[解決手段]具備有：發光元件22、將來自該發光元件22的光進行反射之由銀所成之反射體26、及螢光體材料10。在反射體26的表面的至少一部分形成有含有氧化鋅(ZnO)的被膜26a。藉此，氧化鋅與硫黃成分起反應，而抑制硫化銀發生。
简体摘要： [课题]提供可抑制因由银所成之反射体与硫黄成分的反应而形成为硫化银而黑色化而由此反射率降低的情形的发光设备。[解决手段]具备有：发光组件22、将来自该发光组件22的光进行反射之由银所成之反射体26、及萤光体材料10。在反射体26的表面的至少一部分形成有含有氧化锌(ZnO)的被膜26a。借此，氧化锌与硫黄成分起反应，而抑制硫化银发生。

9. 发明专利

TW201408405A 氧化鋁質燒結體及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化铝质烧结体及其制造方法
公开(公告)号：TW201408405A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101131293
申请日：2012-08-29
申请人：太平洋水泥股份有限公司 , TAIHEIYO CEMENT CORPORATION , 日本陶瓷科技股份有限公司 , NIHON CERATEC CO., LTD.
发明人：齋藤紀子 , SAITO, NORIKO , 小倉知之 , OGURA, TOMOYUKI , 中村浩章 , NAKAMURA, HIROAKI , 三浦友幸 , MIURA, TOMOYUKI
IPC分类号： B22F9/02 , C22C29/12
摘要：本發明係提供燒結體組織均勻、加工性優異、能保持燒結體原本呈色的氧化鋁質燒結體及其製造方法。本發明的氧化鋁質燒結體係由結晶粒子與晶界相所構成者；其中，在結晶粒子中，鈦或鈦化合物依氧化鈦換算計係固溶0.08[重量%]以上且0.30[重量%]以下。依此，因為在晶格中固溶鈦或鈦化合物，促進晶粒成長，所以燒結體組織均勻、加工性良好。又，不易發生鈦酸鋁之生成及氧化鈦之氧缺損等狀況。
简体摘要：本发明系提供烧结体组织均匀、加工性优异、能保持烧结体原本呈色的氧化铝质烧结体及其制造方法。本发明的氧化铝质烧结体系由结晶粒子与晶界相所构成者；其中，在结晶粒子中，钛或钛化合物依氧化钛换算计系固溶0.08[重量%]以上且0.30[重量%]以下。依此，因为在晶格中固溶钛或钛化合物，促进晶粒成长，所以烧结体组织均匀、加工性良好。又，不易发生钛酸铝之生成及氧化钛之氧缺损等状况。

10. 发明专利

TW201311606A 氧化鋁質陶瓷及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化铝质陶瓷及其制造方法
公开(公告)号：TW201311606A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101123203
申请日：2012-06-28
申请人：太平洋水泥股份有限公司 , TAIHEIYO CEMENT CORPORATION , 日本陶瓷科技股份有限公司 , NIHON CERATEC CO., LTD.
发明人：齋藤紀子 , SAITO, NORIKO , 石田弘德 , ISHIDA, HIRONORI , 中村浩章 , NAKAMURA, HIROAKI , 小倉知之 , OGURA, TOMOYUKI , 三浦友幸 , MIURA, TOMOYUKI
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/626
摘要：本發明係提供高純度但加工效率仍高、加工中發生破損與脫落情形少的氧化鋁質陶瓷及其製造方法。本發明的氧化鋁質陶瓷係氧化鋁純度為99.5[重量%]以上的氧化鋁質陶瓷；其中，長軸長度為10[μm]以上、且長寬比為2以上的氧化鋁之異向性結晶粒子10係含有60%以上。氧化鋁粒子的粒徑越大則晶界的阻力越少，故藉由使氧化鋁粒子的長軸長度為10[μm]以上，可提高加工效率。又，因為氧化鋁粒子的長寬比為2以上，因而當朝某一定方向G碰觸磨石時容易破壞的傾向會明顯出現。結果，可獲得高純度但加工效率仍高、且加工中發生破損與脫落情形少的氧化鋁質陶瓷。
简体摘要：本发明系提供高纯度但加工效率仍高、加工中发生破损与脱落情形少的氧化铝质陶瓷及其制造方法。本发明的氧化铝质陶瓷系氧化铝纯度为99.5[重量%]以上的氧化铝质陶瓷；其中，长轴长度为10[μm]以上、且长宽比为2以上的氧化铝之异向性结晶粒子10系含有60%以上。氧化铝粒子的粒径越大则晶界的阻力越少，故借由使氧化铝粒子的长轴长度为10[μm]以上，可提高加工效率。又，因为氧化铝粒子的长宽比为2以上，因而当朝某一定方向G碰触磨石时容易破坏的倾向会明显出现。结果，可获得高纯度但加工效率仍高、且加工中发生破损与脱落情形少的氧化铝质陶瓷。

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