专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI553099B 新穎的蝕刻組成物、使用該組成物之方法及用於製備該組成物之套組有权
简体标题：新颖的蚀刻组成物、使用该组成物之方法及用于制备该组成物之套组
公开(公告)号：TWI553099B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101108083
申请日：2012-03-09
申请人：富士軟片電子材料美國股份有限公司 , FUJIFILM ELECTRONIC MATERIALS U.S.A., INC. , 富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：高橋智威 , TAKAHASHI, TOMONORI , 稻葉正 , INABA, TADASHI , 水谷篤史 , MIZUTANI, ATSUSHI , 杜冰 , DU, BING , 沃吉特薩克威廉A , WOJTCZAK, WILLIAM A. , 高橋和敬 , TAKAHASHI, KAZUTAKA , 上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： C09K13/06 , C23F1/16 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/06 , C23F1/16 , C23F1/28 , C23F1/30 , C23F1/44 , H01L21/28518 , H01L21/76843

2. 发明专利

TW202018438A 藥液、藥液收容體审中-公开
简体标题：药液、药液收容体
公开(公告)号：TW202018438A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108129686
申请日：2019-08-20
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： G03F7/32
摘要：本發明提供一種與矽基板或附氧化矽膜的矽基板接觸時難以產生金屬殘渣缺陷的藥液及藥液收容體。本發明的藥液含有有機溶劑及金屬成分，其中，金屬成分含有氧化鈦粒子及鈦離子，氧化鈦粒子的含量與鈦離子的含量之質量比為100～1012。
简体摘要：本发明提供一种与硅基板或附氧化硅膜的硅基板接触时难以产生金属残渣缺陷的药液及药液收容体。本发明的药液含有有机溶剂及金属成分，其中，金属成分含有氧化钛粒子及钛离子，氧化钛粒子的含量与钛离子的含量之质量比为100～1012。

3. 发明专利

TW202007737A 處理液及處理方法审中-公开
简体标题：处理液及处理方法
公开(公告)号：TW202007737A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108125172
申请日：2019-07-17
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： C09G1/02
摘要：本發明提供一種在適用於具有InP層和形成於InP層上之SiO2層之積層體時能夠選擇性地去除SiO2且能夠抑制SiO2的缺陷及InP層的表面粗糙度之處理液及處理方法。本發明的處理液含有氟化氫和抗蝕劑，每1 mL處理液的粒徑0.10 μm以上的粗粒子的個數少於100個/mL，每1 mL處理液的粒徑0.05 μm以上的粗粒子的個數少於500個/mL，且每1 mL處理液的粒徑0.10 μm以上的粗粒子的個數與每1 mL處理液的粒徑0.05 μm以上的粗粒子的個數之比的值大於0.010且小於1.000。
简体摘要：本发明提供一种在适用于具有InP层和形成于InP层上之SiO2层之积层体时能够选择性地去除SiO2且能够抑制SiO2的缺陷及InP层的表面粗糙度之处理液及处理方法。本发明的处理液含有氟化氢和抗蚀剂，每1 mL处理液的粒径0.10 μm以上的粗粒子的个数少于100个/mL，每1 mL处理液的粒径0.05 μm以上的粗粒子的个数少于500个/mL，且每1 mL处理液的粒径0.10 μm以上的粗粒子的个数与每1 mL处理液的粒径0.05 μm以上的粗粒子的个数之比的值大于0.010且小于1.000。

4. 发明专利

TW201830014A 藥液的品質檢查方法审中-公开
简体标题：药液的品质检查方法
公开(公告)号：TW201830014A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107100165
申请日：2018-01-03
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： G01N30/00 , G01N1/00
摘要：本發明的課題為提供一種能夠簡便地評價缺陷性能之品質檢查方法。本發明的品質檢查方法為使用於半導體基板的製造中之藥液的品質檢查方法，該檢查方法依次具有：製程W，準備第1容器，並且使用藥液的一部分來清洗接液部的至少一部分；製程A，使用清洗之後的第1容器對藥液的一部分進行濃縮來得到c液；製程B，測定c液中的特定成分的含量；及製程C，與預先設定了特定成分的含量之基準值進行比較，至少製程W及製程A於具有藉由ISO14644-1：2015確定之等級4以上的清潔度之無塵室內實施，濃縮於選自包括氬氣、氦氣及氮氣之群組中之至少1種惰性氣體下進行，或者於減壓下進行，且測定藉由規定的測定法進行。
简体摘要：本发明的课题为提供一种能够简便地评价缺陷性能之品质检查方法。本发明的品质检查方法为使用于半导体基板的制造中之药液的品质检查方法，该检查方法依次具有：制程W，准备第1容器，并且使用药液的一部分来清洗接液部的至少一部分；制程A，使用清洗之后的第1容器对药液的一部分进行浓缩来得到c液；制程B，测定c液中的特定成分的含量；及制程C，与预先设置了特定成分的含量之基准值进行比较，至少制程W及制程A于具有借由ISO14644-1：2015确定之等级4以上的清洁度之无尘室内实施，浓缩于选自包括氩气、氦气及氮气之群组中之至少1种惰性气体下进行，或者于减压下进行，且测定借由规定的测定法进行。

5. 发明专利

TW201821606A 處理液及圖案形成方法审中-公开
简体标题：处理液及图案形成方法
公开(公告)号：TW201821606A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106138004
申请日：2017-11-03
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 白川三千紘 , SHIRAKAWA, MICHIHIRO
IPC分类号： C11D7/50 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種能夠形成顯影缺陷少的圖案之圖案形成方法及在該方法中使用之處理液。本發明之圖案形成方法包括：（a）使用感光化射線或感放射線性組成物而形成抗蝕劑膜之製程；（b）將前述膜曝光之製程；及（c）使用處理液對前述經曝光之膜進行處理之製程。前述處理液含有2種以上SP值16.2MPa1/2以上的有機溶劑，前述2種以上有機溶劑中，至少一種係SP值17～18.2MPa1/2。
简体摘要：本发明提供一种能够形成显影缺陷少的图案之图案形成方法及在该方法中使用之处理液。本发明之图案形成方法包括：（a）使用感光化射线或感放射线性组成物而形成抗蚀剂膜之制程；（b）将前述膜曝光之制程；及（c）使用处理液对前述经曝光之膜进行处理之制程。前述处理液含有2种以上SP值16.2MPa1/2以上的有机溶剂，前述2种以上有机溶剂中，至少一种系SP值17～18.2MPa1/2。

6. 发明专利

TW201815731A 有機溶劑的精製方法及有機溶劑的精製裝置审中-公开
简体标题：有机溶剂的精制方法及有机溶剂的精制设备
公开(公告)号：TW201815731A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106129927
申请日：2017-09-01
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： C07B63/00 , B01D15/34 , B01D15/36 , G03F7/32 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要：本發明的課題在於提供一種能夠抑制半導體裝置產生缺陷之有機溶劑的精製方法以及有機溶劑的精製裝置。本發明的有機溶劑的精製方法包括藉由有機雜質吸附構件來去除有機溶劑中的有機雜質之有機雜質去除製程。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种能够抑制半导体设备产生缺陷之有机溶剂的精制方法以及有机溶剂的精制设备。本发明的有机溶剂的精制方法包括借由有机杂质吸附构件来去除有机溶剂中的有机杂质之有机杂质去除制程。

7. 发明专利

TW201814406A 藥液、藥液收容體、藥液的填充方法及藥液的保管方法审中-公开
简体标题：药液、药液收容体、药液的填充方法及药液的保管方法
公开(公告)号：TW201814406A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106130405
申请日：2017-09-06
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 高橋智美 , TAKAHASHI, SATOMI
IPC分类号： G03F7/26 , G03G15/10
CPC分类号： B65D88/06 , C11D7/50 , C11D17/08 , G03F7/16 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要：本發明的課題為提供一種具有優異的顯影性及優異的缺陷抑制性能之藥液。又，本發明的另一課題為提供藥液收容體、藥液的移送方法及藥液的保管方法。本發明的藥液含有有機溶劑、金屬雜質及有機雜質，該藥液中，金屬雜質含有金屬原子，藥液中之金屬原子的合計含量相對於藥液的總質量為50質量ppt以下，藥液中之有機雜質的合計含量相對於藥液的總質量為0.1～10000質量ppm，有機雜質含有醇雜質，且醇雜質的含量相對於有機雜質的合計含量之含有質量比為0.0001～0.5。
简体摘要：本发明的课题为提供一种具有优异的显影性及优异的缺陷抑制性能之药液。又，本发明的另一课题为提供药液收容体、药液的移送方法及药液的保管方法。本发明的药液含有有机溶剂、金属杂质及有机杂质，该药液中，金属杂质含有金属原子，药液中之金属原子的合计含量相对于药液的总质量为50质量ppt以下，药液中之有机杂质的合计含量相对于药液的总质量为0.1～10000质量ppm，有机杂质含有醇杂质，且醇杂质的含量相对于有机杂质的合计含量之含有质量比为0.0001～0.5。

8. 发明专利

TW201809248A 處理液、基板的洗淨方法以及抗蝕劑的除去方法审中-公开
简体标题：处理液、基板的洗净方法以及抗蚀剂的除去方法
公开(公告)号：TW201809248A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106116418
申请日：2017-05-18
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 高橋智威 , TAKAHASHI, TOMONORI
IPC分类号： C11D7/04 , C23F11/04 , C11D7/50 , C11D11/00 , C09D9/00 , B08B3/08 , G03F7/42 , H01L21/3105 , H01L21/67
CPC分类号： C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/28 , C11D7/50 , C11D17/08 , C23G1/06 , C23G1/10 , G03F7/42 , H01L21/304
摘要：本發明的課題為提供一種具有優異之殘渣除去能力，對含有Co之金屬層具有優異之耐蝕性，且能夠抑制缺陷的產生之處理液。本發明的課題亦為提供一種基板的洗淨方法及抗蝕劑的除去方法。處理液是含有含氟化合物、防蝕劑及鈣之半導體裝置用處理液，處理液中的相對於含氟化合物之鈣的含有質量比為1.0×10-10～1.0×10-4。
简体摘要：本发明的课题为提供一种具有优异之残渣除去能力，对含有Co之金属层具有优异之耐蚀性，且能够抑制缺陷的产生之处理液。本发明的课题亦为提供一种基板的洗净方法及抗蚀剂的除去方法。处理液是含有含氟化合物、防蚀剂及钙之半导体设备用处理液，处理液中的相对于含氟化合物之钙的含有质量比为1.0×10-10～1.0×10-4。

9. 发明专利

TW201805399A 研磨液、化學機械研磨方法审中-公开
简体标题：研磨液、化学机械研磨方法
公开(公告)号：TW201805399A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106119744
申请日：2017-06-14
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明的課題係提供一種可賦予面內均勻性優異之被研磨體之研磨液。並且，提供一種使用上述研磨液之化學機械研磨方法。本發明的研磨液係使用於化學機械研磨中之研磨液，其含有研磨粒、有機酸及水溶性高分子，且同時滿足下述式（1）～式（3）。式（1）：1.5≤η100rpm/η1000rpm≤20 式（2）：1.2≤η100rpm/η500rpm≤10 式（3）：η100rpm/η1000rpm＞η100rpm/η500rpm在式（1）～式（3）中，η100rpm係在40%RH、23℃下藉由旋轉黏度計以轉速100rpm測定之上述研磨液的黏度，η500rpm係在40%RH、23℃下藉由旋轉黏度計以轉速500rpm測定之上述研磨液的黏度，η1000rpm係在40%RH、23℃下藉由旋轉黏度計以轉速1000rpm測定之上述研磨液的黏度。
简体摘要：本发明的课题系提供一种可赋予面内均匀性优异之被研磨体之研磨液。并且，提供一种使用上述研磨液之化学机械研磨方法。本发明的研磨液系使用于化学机械研磨中之研磨液，其含有研磨粒、有机酸及水溶性高分子，且同时满足下述式（1）～式（3）。式（1）：1.5≤η100rpm/η1000rpm≤20 式（2）：1.2≤η100rpm/η500rpm≤10 式（3）：η100rpm/η1000rpm＞η100rpm/η500rpm在式（1）～式（3）中，η100rpm系在40%RH、23℃下借由旋转黏度计以转速100rpm测定之上述研磨液的黏度，η500rpm系在40%RH、23℃下借由旋转黏度计以转速500rpm测定之上述研磨液的黏度，η1000rpm系在40%RH、23℃下借由旋转黏度计以转速1000rpm测定之上述研磨液的黏度。

10. 发明专利

TWI613328B 蝕刻液及蝕刻液套組、使用其的蝕刻方法以及半導體基板製品的製造方法有权
简体标题：蚀刻液及蚀刻液套组、使用其的蚀刻方法以及半导体基板制品的制造方法
公开(公告)号：TWI613328B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW103115796
申请日：2014-05-02
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：杉島泰雄 , SUGISHIMA, YASUO , 高橋智美 , TAKAHASHI, SATOMI , 小山朗子 , KOYAMA, AKIKO , 上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： C23F1/02 , C23F1/44 , C23F1/38 , C23F1/40 , C09K13/00 , C23F1/32 , H01L21/321 , H01L21/283
CPC分类号： C23F1/32 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/44 , H01L21/02068 , H01L21/28518 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L29/665 , H01L29/7833

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式