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1. 发明专利

TW201735263A 膜的製造方法审中-公开
简体标题：膜的制造方法
公开(公告)号：TW201735263A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106110213
申请日：2017-03-28
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：中村誠吾 , NAKAMURA, SEIGO , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 板井雄一郎 , ITAI, YUICHIRO , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/786 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
摘要：本發明的膜的製造方法包含形成膜的製造步驟，其為使與基板的基板表面對向而隔開配置的塗佈刮刀的刮刀表面於和存在於刮刀表面與基板表面之間的膜形成用的溶液相接的狀態下，於相對於基板表面而平行的面內在第1方向上移動，且溶液由刮刀表面與基板表面之間的儲液保持，塗佈刮刀的與溶液相接的外周端部的至少一部分於相對於基板表面而平行的面內相對於第1方向而傾斜。藉此提供一種以高生產性形成品質良好的膜的膜的製造方法。
简体摘要：本发明的膜的制造方法包含形成膜的制造步骤，其为使与基板的基板表面对向而隔开配置的涂布刮刀的刮刀表面于和存在于刮刀表面与基板表面之间的膜形成用的溶液相接的状态下，于相对于基板表面而平行的面内在第1方向上移动，且溶液由刮刀表面与基板表面之间的储液保持，涂布刮刀的与溶液相接的外周端部的至少一部分于相对于基板表面而平行的面内相对于第1方向而倾斜。借此提供一种以高生产性形成品质良好的膜的膜的制造方法。

2. 发明专利

TW201622013A 電晶體以及電晶體的製造方法审中-公开
简体标题：晶体管以及晶体管的制造方法
公开(公告)号：TW201622013A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104125314
申请日：2015-08-05
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 一木孝彦 , ICHIKI, TAKAHIKO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/283 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0529 , H01L21/283 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：本發明提供一種電晶體以及電晶體的製造方法，其不僅防止由絕緣膜表面的形狀或物質所引起的遷移率的下降，而且防止絕緣層的耐電壓的下降，另外可防止由彎曲所引起的閘極電極與半導體層的短路。所述電晶體包括：具備絕緣性的基板；源極電極及汲極電極，於基板的主面的面方向上相互分離而設置；閘極電極，於基板的面方向上設置於源極電極及汲極電極之間；半導體層，與源極電極及汲極電極接觸而設置；以及絕緣膜，在與基板的主面垂直的方向上設置於閘極電極與半導體層之間；並且於半導體層與絕緣膜之間形成有間隙區域。
简体摘要：本发明提供一种晶体管以及晶体管的制造方法，其不仅防止由绝缘膜表面的形状或物质所引起的迁移率的下降，而且防止绝缘层的耐电压的下降，另外可防止由弯曲所引起的闸极电极与半导体层的短路。所述晶体管包括：具备绝缘性的基板；源极电极及汲极电极，于基板的主面的面方向上相互分离而设置；闸极电极，于基板的面方向上设置于源极电极及汲极电极之间；半导体层，与源极电极及汲极电极接触而设置；以及绝缘膜，在与基板的主面垂直的方向上设置于闸极电极与半导体层之间；并且于半导体层与绝缘膜之间形成有间隙区域。

3. 发明专利

TW201826359A 晶片的製造方法及積層體审中-公开
简体标题：芯片的制造方法及积层体
公开(公告)号：TW201826359A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106127399
申请日：2017-08-14
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：沢野充 , SAWANO, MITSURU , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 犬島孝能 , INUJIMA, TAKAYOSHI
IPC分类号： H01L21/301 , B32B27/34
摘要：本發明提供一種即使不使用雷射切割機或切片裝置亦能夠製造已切片分割之晶片之新型晶片的製造方法。本發明提供一種新型積層體。一種晶片的製造方法，其包括：曝光顯影製程，對位於基材上之感光性樹脂層進行曝光，並顯影而形成兩個以上的樹脂區域；裝置材料應用製程，在感光性樹脂層或樹脂區域的面上，且與基材側的面相反一側的面上應用裝置材料；以及於裝置材料應用製程後，從樹脂區域分離基材而對樹脂區域進行切片之製程。
简体摘要：本发明提供一种即使不使用激光切割机或切片设备亦能够制造已切片分割之芯片之新型芯片的制造方法。本发明提供一种新型积层体。一种芯片的制造方法，其包括：曝光显影制程，对位于基材上之感光性树脂层进行曝光，并显影而形成两个以上的树脂区域；设备材料应用制程，在感光性树脂层或树脂区域的面上，且与基材侧的面相反一侧的面上应用设备材料；以及于设备材料应用制程后，从树脂区域分离基材而对树脂区域进行切片之制程。

4. 发明专利

TW201740587A 有機半導體膜的製造裝置审中-公开
简体标题：有机半导体膜的制造设备
公开(公告)号：TW201740587A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106102532
申请日：2017-01-24
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：中村誠吾 , NAKAMURA, SEIGO , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 板井雄一郎 , ITAI, YUICHIRO , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
摘要：一種有機半導體膜的製造裝置，其使用有機半導體溶液而製造有機半導體膜。製造裝置包含：塗佈構件，與形成有機半導體膜的基板的表面對向而隔開配置，於其與基板之間形成有機半導體溶液的儲液；供給部，將有機半導體溶液供給至基板與塗佈構件之間；覆蓋部，至少覆蓋有機半導體溶液的晶體生長部。覆蓋部包含附著蒸發的有機半導體溶液的溶媒，將由蒸發的所述有機半導體溶液的溶媒而形成的附著物導至有機半導體膜的未成膜區域的導板。一面藉由供給部將有機半導體溶液供給至其與基板的表面之間，一面在使塗佈構件與有機半導體溶液相接的狀態下，使塗佈構件於與基板的表面平行的第1方向上移動，將晶體生長部作為起點形成有機半導體膜。
简体摘要：一种有机半导体膜的制造设备，其使用有机半导体溶液而制造有机半导体膜。制造设备包含：涂布构件，与形成有机半导体膜的基板的表面对向而隔开配置，于其与基板之间形成有机半导体溶液的储液；供给部，将有机半导体溶液供给至基板与涂布构件之间；覆盖部，至少覆盖有机半导体溶液的晶体生长部。覆盖部包含附着蒸发的有机半导体溶液的溶媒，将由蒸发的所述有机半导体溶液的溶媒而形成的附着物导至有机半导体膜的未成膜区域的导板。一面借由供给部将有机半导体溶液供给至其与基板的表面之间，一面在使涂布构件与有机半导体溶液相接的状态下，使涂布构件于与基板的表面平行的第1方向上移动，将晶体生长部作为起点形成有机半导体膜。

5. 发明专利

TW201612986A 半導體裝置的製造方法以及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法以及半导体设备
公开(公告)号：TW201612986A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104128023
申请日：2015-08-27
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 高橋弘毅 , TAKAHASHI, KOUKI , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 中村誠吾 , NAKAMURA, SEIGO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0512 , B23K26/0006 , B23K26/0087 , B23K26/066 , B23K26/082 , B23K26/351 , B23K26/359 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K2201/42 , B23K2203/50 , H01L51/0014 , H01L51/0024 , H01L51/0558
摘要：本發明提供一種可以簡易的步驟及高生產性製造具有多個有機半導體元件的半導體裝置的製造方法以及半導體裝置。本發明是藉由如下方式而解決該課題：在絕緣性基板上形成源極電極及汲極電極的最上部的位置高於閘極電極的對應於多個半導體元件的電極，並且在絕緣性支持板的表面形成有機半導體膜，進而在有機半導體膜形成溝槽，藉此形成對應於各個半導體元件的分割區域，將絕緣性支持體與絕緣性基板位置對準而積層。
简体摘要：本发明提供一种可以简易的步骤及高生产性制造具有多个有机半导体组件的半导体设备的制造方法以及半导体设备。本发明是借由如下方式而解决该课题：在绝缘性基板上形成源极电极及汲极电极的最上部的位置高于闸极电极的对应于多个半导体组件的电极，并且在绝缘性支持板的表面形成有机半导体膜，进而在有机半导体膜形成沟槽，借此形成对应于各个半导体组件的分割区域，将绝缘性支持体与绝缘性基板位置对准而积层。

6. 发明专利

TW201807495A 圖案製造方法、半導體裝置的製造方法及積層體审中-公开
简体标题：图案制造方法、半导体设备的制造方法及积层体
公开(公告)号：TW201807495A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106118077
申请日：2017-06-01
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：犬島孝能 , INUJIMA, TAKAYOSHI , 沢野充 , SAWANO, MITSURU , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L23/12 , H05K3/10
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L23/12 , H05K3/10
摘要：本發明提供一種能夠從積層體直接剝離透明基板的圖案製造方法、半導體裝置的製造方法及積層體，該積層體具有透明基板和位於上述透明基板的表面之樹脂圖案（例如，絕緣層）。本發明的圖案製造方法包括剝離製程，該剝離製程中從積層體的透明基板側對積層體照射輻射光而從積層體剝離透明基板，該積層體具有透明基板和位於透明基板的表面之樹脂圖案，且樹脂圖案包含選自聚醯亞胺及聚苯并噁唑中之至少一種，所照射的輻射光的波長中的樹脂圖案的吸光度係0.5以上。
简体摘要：本发明提供一种能够从积层体直接剥离透明基板的图案制造方法、半导体设备的制造方法及积层体，该积层体具有透明基板和位于上述透明基板的表面之树脂图案（例如，绝缘层）。本发明的图案制造方法包括剥离制程，该剥离制程中从积层体的透明基板侧对积层体照射辐射光而从积层体剥离透明基板，该积层体具有透明基板和位于透明基板的表面之树脂图案，且树脂图案包含选自聚酰亚胺及聚苯并恶唑中之至少一种，所照射的辐射光的波长中的树脂图案的吸光度系0.5以上。

7. 发明专利

TW201741039A 有機半導體膜的製造方法审中-公开
简体标题：有机半导体膜的制造方法
公开(公告)号：TW201741039A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106102541
申请日：2017-01-24
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：中村誠吾 , NAKAMURA, SEIGO , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 板井雄一郎 , ITAI, YUICHIRO , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： B05D5/12 , H01L51/00
CPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
摘要：一種有機半導體膜的製造方法，其包含製造步驟，亦即一面於與基板的基板表面對向而隔開配置的塗佈刮刀的刮刀表面與基板表面之間供給有機半導體溶液，一面使刮刀表面與有機半導體溶液相接而於與基板表面平行的第1方向移動，於第1方向上形成有機半導體膜。塗佈刮刀於刮刀表面與有機半導體溶液相接的區域配置相對於基板表面而言相隔間隙大小不同的第1間隙與第2間隙，於第1方向的上游側具有第1間隙，於下游側具有與第1間隙相比而言間隙大小較小的第2間隙。第2間隙的大小是基板表面與刮刀表面的最小距離，且為40 μm以下。
简体摘要：一种有机半导体膜的制造方法，其包含制造步骤，亦即一面于与基板的基板表面对向而隔开配置的涂布刮刀的刮刀表面与基板表面之间供给有机半导体溶液，一面使刮刀表面与有机半导体溶液相接而于与基板表面平行的第1方向移动，于第1方向上形成有机半导体膜。涂布刮刀于刮刀表面与有机半导体溶液相接的区域配置相对于基板表面而言相隔间隙大小不同的第1间隙与第2间隙，于第1方向的上游侧具有第1间隙，于下游侧具有与第1间隙相比而言间隙大小较小的第2间隙。第2间隙的大小是基板表面与刮刀表面的最小距离，且为40 μm以下。

8. 发明专利

TW201701361A 電晶體及電晶體的製造方法审中-公开
简体标题：晶体管及晶体管的制造方法
公开(公告)号：TW201701361A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105109371
申请日：2016-03-25
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L21/31105 , H01L29/42356 , H01L29/786 , H01L29/78696
摘要：本發明提供一種於氣隙型電晶體中，電性連接的可靠性高、可表現出良好電晶體特性、可微細化且生產性高的電晶體及其製造方法。於成為半導體層支持體的支持體前驅物層的上表面形成半導體層後，去除半導體層的一部分，形成一個以上的使支持體前驅物層露出的開口部，於半導體層上以相互隔開且開口部的至少一部分位於兩個蝕刻保護層之間的區域的方式形成兩個蝕刻保護層，自多個開口部使蝕刻劑與支持體前驅物層接觸，去除支持體前驅物層的一部分，在與兩個蝕刻保護層之間的區域對應的位置形成空隙，從而形成夾著空隙而配置的兩個半導體層支持體。
简体摘要：本发明提供一种于气隙型晶体管中，电性连接的可靠性高、可表现出良好晶体管特性、可微细化且生产性高的晶体管及其制造方法。于成为半导体层支持体的支持体前驱物层的上表面形成半导体层后，去除半导体层的一部分，形成一个以上的使支持体前驱物层露出的开口部，于半导体层上以相互隔开且开口部的至少一部分位于两个蚀刻保护层之间的区域的方式形成两个蚀刻保护层，自多个开口部使蚀刻剂与支持体前驱物层接触，去除支持体前驱物层的一部分，在与两个蚀刻保护层之间的区域对应的位置形成空隙，从而形成夹着空隙而配置的两个半导体层支持体。

9. 发明专利

TW201351669A 半導體裝置用基板、半導體裝置、調光型照明裝置、自發光顯示裝置、太陽電池及反射型液晶顯示裝置审中-公开
简体标题：半导体设备用基板、半导体设备、调光型照明设备、自发光显示设备、太阳电池及反射型液晶显示设备
公开(公告)号：TW201351669A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102115801
申请日：2013-05-03
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：佐藤圭吾 , SATO, KEIGO , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 垣內良蔵 , KAITO, RYOZO , 祐谷重徳 , YUYA, SHIGENORI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L51/44 , C23C28/04 , C25D11/18 , G02F1/133305 , H01L51/0097 , H01L51/52 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
摘要：提供一種可於半導體裝置中適宜地利用之半導體裝置用基板、使用該基板之半導體裝置及反射型液晶顯示裝置、以及使用該半導體裝置之照明裝置、顯示裝置及太陽電池。基板藉由如下者而解決該課題：包含鋁基材、於基材之兩個面所形成之鋁之多孔質陽極氧化膜、於陽極氧化皮膜之至少一方之表面所形成之包含含有矽之無孔質氧化物之保護層，且陽極氧化皮膜於室溫下具有壓縮方向之應變。
简体摘要：提供一种可于半导体设备中适宜地利用之半导体设备用基板、使用该基板之半导体设备及反射型液晶显示设备、以及使用该半导体设备之照明设备、显示设备及太阳电池。基板借由如下者而解决该课题：包含铝基材、于基材之两个面所形成之铝之多孔质阳极氧化膜、于阳极氧化皮膜之至少一方之表面所形成之包含含有硅之无孔质氧化物之保护层，且阳极氧化皮膜于室温下具有压缩方向之应变。

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