会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 8. 发明专利
    • 基板處理方法及半導體元件的製造方法
    • 基板处理方法及半导体组件的制造方法
    • TW201631645A
    • 2016-09-01
    • TW104134755
    • 2015-10-23
    • 富士軟片股份有限公司FUJIFILM CORPORATION
    • 水谷敦史MIZUTANI, ATSUSHI朴起永PARK, KEE YOUNG
    • H01L21/304
    • 本發明的目的在於提供一種釕蝕刻速度高、異物去除性優異、所使用的去除液的保存穩定性優異的基板處理方法、及包含所述基板處理方法的半導體元件的製造方法。本發明的基板處理方法的特徵在於:其包括去除步驟,對於形成有含釕膜的基板,藉由去除液去除附著於所述基板的形成有所述含釕膜的面的外緣部及/或背面的釕附著物,或者對於形成有含釕膜的NAND快閃記憶體製造用基板,藉由去除液去除含釕物,且所述去除液含有正過碘酸,所述去除液的pH值為3.5以下。
    • 本发明的目的在于提供一种钌蚀刻速度高、异物去除性优异、所使用的去除液的保存稳定性优异的基板处理方法、及包含所述基板处理方法的半导体组件的制造方法。本发明的基板处理方法的特征在于:其包括去除步骤,对于形成有含钌膜的基板,借由去除液去除附着于所述基板的形成有所述含钌膜的面的外缘部及/或背面的钌附着物,或者对于形成有含钌膜的NAND闪存制造用基板,借由去除液去除含钌物,且所述去除液含有正过碘酸,所述去除液的pH值为3.5以下。