专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI586839B 防止氧化方法、半導體產品及其製造方法與金屬腐蝕抑制劑有权
简体标题：防止氧化方法、半导体产品及其制造方法与金属腐蚀抑制剂
公开(公告)号：TWI586839B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102127193
申请日：2013-07-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：水谷篤史 , MIZUTANI, ATSUSHI , 朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 清水哲也 , SHIMIZU, TETSUYA
IPC分类号： C23F11/14 , H01L21/306
CPC分类号： H01L24/03 , C23F11/10 , C23F11/141 , C23F11/149 , H01L24/05 , H01L2224/0381 , H01L2224/0382 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2924/12044 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201637088A 圖案處理方法、半導體基板製品的製造方法及圖案結構的前處理液审中-公开
简体标题：图案处理方法、半导体基板制品的制造方法及图案结构的前处理液
公开(公告)号：TW201637088A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105101968
申请日：2016-01-22
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 水谷篤史 , MIZUTANI, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02057
摘要：一種圖案處理方法、半導體基板製品的製造方法及圖案結構的前處理液，所述圖案處理方法對具備具有多晶矽、非晶矽、Ge及k值為2.4以下的低介電常數材料的至少一者的圖案結構的半導體基板賦予對該圖案結構的表面進行改質的前處理液。
简体摘要：一种图案处理方法、半导体基板制品的制造方法及图案结构的前处理液，所述图案处理方法对具备具有多晶硅、非晶硅、Ge及k值为2.4以下的低介电常数材料的至少一者的图案结构的半导体基板赋予对该图案结构的表面进行改质的前处理液。

3. 发明专利

TW201411711A 蝕刻方法和使用該方法的半導體基板製品以及半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法和使用该方法的半导体基板制品以及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201411711A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102125786
申请日：2013-07-18
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：室祐継 , MURO, NAOTSUGU , 上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 稲葉正 , INABA, TADASHI , 渡邉敬宏 , WATANABE, TAKAHIRO , 朴起永 , PARK, KEE YOUNG
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要：蝕刻方法，具有以下步驟。將蝕刻液塗布在半導體基板中的含TiN層上，從而蝕刻含TiN層。蝕刻液包括水、以及其水中的鹼性化合物及氧化劑，以使得蝕刻液的pH為8.5至14，且含TiN層的表面氧含量為0.1莫耳%至10莫耳%。
简体摘要：蚀刻方法，具有以下步骤。将蚀刻液涂布在半导体基板中的含TiN层上，从而蚀刻含TiN层。蚀刻液包括水、以及其水中的碱性化合物及氧化剂，以使得蚀刻液的pH为8.5至14，且含TiN层的表面氧含量为0.1莫耳%至10莫耳%。

4. 发明专利

TWI621740B 蝕刻液、使用其的蝕刻方法及半導體元件的製造方法有权
简体标题：蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TWI621740B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW102137844
申请日：2013-10-21
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 室祐継 , MURO, NAOTSUGU , 稲葉正 , INABA, TADASHI
IPC分类号： C23F1/26 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/30608 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139

5. 发明专利

TW201634755A 釕除去組成物、及磁阻式記憶體的製造方法审中-公开
简体标题：钌除去组成物、及磁阻式内存的制造方法
公开(公告)号：TW201634755A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104135517
申请日：2015-10-29
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 水谷篤史 , MIZUTANI, ATSUSHI
IPC分类号： C23F1/40 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , C23F1/30 , C23F1/40 , C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要：本發明提供一種可抑制CoFeB的溶解並且溶解Ru的釕除去組成物、及使用其的磁阻式記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）的製造方法。本發明的釕除去組成物的特徵在於：含有正過碘酸及水，且pH值為11以上。所述釕除去組成物較佳為相對於組成物的總質量，正過碘酸的含量為0.01質量%～5質量%。
简体摘要：本发明提供一种可抑制CoFeB的溶解并且溶解Ru的钌除去组成物、及使用其的磁阻式内存（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）的制造方法。本发明的钌除去组成物的特征在于：含有正过碘酸及水，且pH值为11以上。所述钌除去组成物较佳为相对于组成物的总质量，正过碘酸的含量为0.01质量%～5质量%。

6. 发明专利

TW201623597A MRAM乾蝕刻殘渣除去組成物、磁阻記憶體的製造方法及鈷除去組成物审中-公开
简体标题： MRAM干蚀刻残渣除去组成物、磁阻内存的制造方法及钴除去组成物
公开(公告)号：TW201623597A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104135512
申请日：2015-10-29
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 水谷敦史 , MIZUTANI, ATSUSHI
IPC分类号： C11D7/04 , C11D7/18 , H01L21/3065 , H01L21/321 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L27/105 , H01L28/00 , H01L43/12
摘要：本發明的目的在於提供一種MRAM乾蝕刻殘渣除去組成物、及使用其的磁阻記憶體的製造方法，所述MRAM乾蝕刻殘渣除去組成物可於MRAM的製造步驟中，抑制含有特定金屬的基板的損傷，並且除去乾蝕刻殘渣，以及本發明的目的在於提供一種鈷的除去性優異的鈷除去組成物。本發明的MRAM乾蝕刻殘渣除去組成物的特徵在於含有強氧化劑及水。另外，本發明的鈷除去組成物的特徵在於含有正過碘酸及水。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种MRAM干蚀刻残渣除去组成物、及使用其的磁阻内存的制造方法，所述MRAM干蚀刻残渣除去组成物可于MRAM的制造步骤中，抑制含有特定金属的基板的损伤，并且除去干蚀刻残渣，以及本发明的目的在于提供一种钴的除去性优异的钴除去组成物。本发明的MRAM干蚀刻残渣除去组成物的特征在于含有强氧化剂及水。另外，本发明的钴除去组成物的特征在于含有正过碘酸及水。

7. 发明专利

TWI693635B 圖案處理方法、半導體基板製品的製造方法及圖案結構的前處理液有权
简体标题：图案处理方法、半导体基板制品的制造方法及图案结构的前处理液
公开(公告)号：TWI693635B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105101968
申请日：2016-01-22
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 水谷篤史 , MIZUTANI, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/304

8. 发明专利

TW201631645A 基板處理方法及半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：基板处理方法及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201631645A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104134755
申请日：2015-10-23
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：水谷敦史 , MIZUTANI, ATSUSHI , 朴起永 , PARK, KEE YOUNG
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明的目的在於提供一種釕蝕刻速度高、異物去除性優異、所使用的去除液的保存穩定性優異的基板處理方法、及包含所述基板處理方法的半導體元件的製造方法。本發明的基板處理方法的特徵在於：其包括去除步驟，對於形成有含釕膜的基板，藉由去除液去除附著於所述基板的形成有所述含釕膜的面的外緣部及/或背面的釕附著物，或者對於形成有含釕膜的NAND快閃記憶體製造用基板，藉由去除液去除含釕物，且所述去除液含有正過碘酸，所述去除液的pH值為3.5以下。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种钌蚀刻速度高、异物去除性优异、所使用的去除液的保存稳定性优异的基板处理方法、及包含所述基板处理方法的半导体组件的制造方法。本发明的基板处理方法的特征在于：其包括去除步骤，对于形成有含钌膜的基板，借由去除液去除附着于所述基板的形成有所述含钌膜的面的外缘部及/或背面的钌附着物，或者对于形成有含钌膜的NAND闪存制造用基板，借由去除液去除含钌物，且所述去除液含有正过碘酸，所述去除液的pH值为3.5以下。

9. 发明专利

TW201614722A 蝕刻殘渣除去組成物、蝕刻殘渣的除去方法以及蝕刻殘渣除去套組以及磁阻記憶體的製造方法审中-公开
简体标题：蚀刻残渣除去组成物、蚀刻残渣的除去方法以及蚀刻残渣除去套组以及磁阻内存的制造方法
公开(公告)号：TW201614722A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104121955
申请日：2015-07-07
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 水谷篤史 , MIZUTANI, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L27/105 , H01L43/12
摘要：本發明是一種蝕刻殘渣除去組成物，其含有氧化劑、二醇化合物、及胺化合物，且以組成物總量作為基準時的水分量為30質量%以下。
简体摘要：本发明是一种蚀刻残渣除去组成物，其含有氧化剂、二醇化合物、及胺化合物，且以组成物总量作为基准时的水分量为30质量%以下。

10. 发明专利

TW201422848A 蝕刻液、使用其的蝕刻方法及半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201422848A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102137844
申请日：2013-10-21
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 室祐継 , MURO, NAOTSUGU , 稲葉正 , INABA, TADASHI
IPC分类号： C23F1/26 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/30608 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
摘要：本發明是一種蝕刻液，其對具有包含TiN的第1層、與包含選自3族~11族的過渡金屬的至少1種金屬的第2層的基板進行處理，而選擇性除去第1層，且包含六氟矽酸化合物與0.05質量%以上、且小於10質量%的氧化劑。
简体摘要：本发明是一种蚀刻液，其对具有包含TiN的第1层、与包含选自3族~11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量%以上、且小于10质量%的氧化剂。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式