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1. 发明专利

TW201623597A MRAM乾蝕刻殘渣除去組成物、磁阻記憶體的製造方法及鈷除去組成物审中-公开
简体标题： MRAM干蚀刻残渣除去组成物、磁阻内存的制造方法及钴除去组成物
公开(公告)号：TW201623597A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104135512
申请日：2015-10-29
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 水谷敦史 , MIZUTANI, ATSUSHI
IPC分类号： C11D7/04 , C11D7/18 , H01L21/3065 , H01L21/321 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L27/105 , H01L28/00 , H01L43/12
摘要：本發明的目的在於提供一種MRAM乾蝕刻殘渣除去組成物、及使用其的磁阻記憶體的製造方法，所述MRAM乾蝕刻殘渣除去組成物可於MRAM的製造步驟中，抑制含有特定金屬的基板的損傷，並且除去乾蝕刻殘渣，以及本發明的目的在於提供一種鈷的除去性優異的鈷除去組成物。本發明的MRAM乾蝕刻殘渣除去組成物的特徵在於含有強氧化劑及水。另外，本發明的鈷除去組成物的特徵在於含有正過碘酸及水。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种MRAM干蚀刻残渣除去组成物、及使用其的磁阻内存的制造方法，所述MRAM干蚀刻残渣除去组成物可于MRAM的制造步骤中，抑制含有特定金属的基板的损伤，并且除去干蚀刻残渣，以及本发明的目的在于提供一种钴的除去性优异的钴除去组成物。本发明的MRAM干蚀刻残渣除去组成物的特征在于含有强氧化剂及水。另外，本发明的钴除去组成物的特征在于含有正过碘酸及水。

2. 发明专利

TW201631645A 基板處理方法及半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：基板处理方法及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201631645A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104134755
申请日：2015-10-23
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：水谷敦史 , MIZUTANI, ATSUSHI , 朴起永 , PARK, KEE YOUNG
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明的目的在於提供一種釕蝕刻速度高、異物去除性優異、所使用的去除液的保存穩定性優異的基板處理方法、及包含所述基板處理方法的半導體元件的製造方法。本發明的基板處理方法的特徵在於：其包括去除步驟，對於形成有含釕膜的基板，藉由去除液去除附著於所述基板的形成有所述含釕膜的面的外緣部及/或背面的釕附著物，或者對於形成有含釕膜的NAND快閃記憶體製造用基板，藉由去除液去除含釕物，且所述去除液含有正過碘酸，所述去除液的pH值為3.5以下。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种钌蚀刻速度高、异物去除性优异、所使用的去除液的保存稳定性优异的基板处理方法、及包含所述基板处理方法的半导体组件的制造方法。本发明的基板处理方法的特征在于：其包括去除步骤，对于形成有含钌膜的基板，借由去除液去除附着于所述基板的形成有所述含钌膜的面的外缘部及/或背面的钌附着物，或者对于形成有含钌膜的NAND闪存制造用基板，借由去除液去除含钌物，且所述去除液含有正过碘酸，所述去除液的pH值为3.5以下。

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